264场效应管多少瓦，三极管11N120CND和IRFP264有区别吗

1，三极管11N120CND和IRFP264有区别吗

请问11N120CND 是什么品牌的可以对比下产品规格

三极管11N120CND和IRFP264有区别吗

2，47n60c3场效应管供电电压是多少v

　　最多600V。　　场效应管是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。

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3，K2645场效应管参数是什么

场效应管参数是:N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。可以替换的如下：K2645:600V,1.2Ω,9A,50WK2141:600V,1.1Ω,6A,35WK3326:500V,0.85Ω,10A,40WK1388:30V,0.022Ω,35A,60WK1101:450V,0.5Ω,10A,50W场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。组成：由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。历史：场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管）。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。

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