n型砷化镓的霍尔系数是多少，霍尔系数是什么

1，霍尔系数是什么

抛开公式，霍尔系数表征的是该霍尔材料的霍尔灵敏度。一般来讲霍尔系数与材料的载流子迁移率成正比。

霍尔系数是什么

2，砷化镓半导体是n型半导体还是P型怎样判断

砷化镓半导体有n型也有p型的，看你掺杂什么了。可以通过霍尔效应测试判定。也可以采用热探针法等等。

砷化镓半导体是n型半导体还是P型怎样判断

3，半导体的霍尔系数的数量级是多少啊

一般是10^（-3）

那要根据你产品的类型来分，一般大学试验中的半导体霍尔系数大约为10的三次方数量级。工厂里的药跟踪霍尔器件的应用来考虑

半导体的霍尔系数的数量级是多少啊

4，霍尔效应的系数是多少

霍尔系数一般为4.62KGS/A，表示的为B/Is的大小。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：UH=RH*IC*B/d（1）式中，RH称为霍尔系数，它的单位是米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度,IC 为电流，B为磁场强度。简介通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。霍尔效应于1879年由埃德温·赫伯特·霍尔（Edwin Herbert Hall）发现。除导体外，半导体也能产生霍尔效应，而且半导体的霍尔效应要强于导体。

5，霍尔系数的数量级是多少单位是厘米每库仑

用范德保伍法测得铜在20℃下的霍尔系数为-5.1×10~(-5)cm~3/col,电阻率为1.97×10~(-6)Ω·cm.实验方法简便,设备容易获得:与所见文献数据比较,数量级是一致的

霍尔系数的单位是cm^3/col，数量级是10^(-5)霍尔系数是在计算霍尔电势的时候，用到的一个参数。当材料一定时候，霍尔系数是个常量。如用范德保伍法测得铜在20℃下的霍尔系数为-5.1×10^(-5)cm^3/col。

6，霍尔效应根据霍尔元件的灵敏度计算n型半导体中单位体积电子数n

霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为： UH=RH/d*IC*B （1）式中，RH称为霍尔系数，由导体材料的性质决定；d为导体材料的厚度，IC为电流强度，B为磁感应强度。设RH/d=K，则式（1）可写为： UH=K*IC*B (2) 可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称霍尔系数。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。霍尔系数:K=1/(n*q)式中，n为载流子密度，一般金属中载流子密度很大，所以金属材料的霍尔系数系数很小，霍尔效应不明显；而半导体中的载流子的密度比金属要小得多，所以半导体的霍尔系数系数比金属大得多，能产生较大的霍尔效应，故霍尔元件不用金属材料而是用半导体。而在半导体材料中，N型半导体材料的载流子迁移率比P型半导体材料大，所以霍尔元件多采用N型半导体材料制作。希望对你有所帮助。

7，霍尔系数单位是什么

霍尔系数的单位是米的三次方每库仑。——立方米/库仑(m3/C)霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：UH=RH/d*IC*B （1）式中，RH称为霍尔系数，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度。设RH/d=K,则式（1）可写为：UH=K*IC*B (2)可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。在式（2）中，若控制电流IC,为常数，磁感应强度B与被测电流成正比，就可以做成霍尔电流传感器；另外，若仍固定IC为常数，B与被测电压成正比，又可制成霍尔电压传感器。

霍尔系数（又称霍尔常数）rh 在磁场不太强时，霍尔电势差uh与激励电流i和磁感应强度b的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即uh =rh*i*b/δ，式中的rh称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另rh=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。

8，怎样用霍尔效应判断半导体种类

9，一般来说霍尔元件灵敏度KH为多少

一、霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，单位为mV/(mA.G)，它通常可以表征霍尔常数。另外，如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值，具体还得看实验用具。二、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。扩展资料：元件特性：1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍尔常数。3、霍尔额定激励电流当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。4、霍尔最大允许激励电流以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。5、霍尔输入电阻霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。6、霍尔输出电阻霍尔输出电极间的电阻值称为输出电阻。7、霍尔元件的电阻温度系数在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。参考资料来源：搜狗百科-霍尔元件

你说的应该是线性霍尔的KH，市场上的产品一般是一点几毫伏/高斯到五毫伏/高斯，如果你是大学物理里的霍尔实验那个值可能会到十以上，具体看实验用具

霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，单位为mV/(mA.G)，它通常可以表征霍尔常数。另外，如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值，具体还得看实验用具。实际的霍尔元件，通常分为开关型或线性型两种，开关型一般不标称灵敏度，而线性型通常电流I由内部电路决定。因此，灵敏度的定义发生了变化。线性型霍尔元件中，从原理上看，由VH=KHIB变为VH=KHB，单位变为mV/G，此时灵敏度一般在1~5mV/G 左右。扩展资料：霍尔灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制电流时的霍尔电势大小，即在单位磁感应强度B和单位控制电流I时，产生霍尔电压的大小。在霍尔效应中，霍尔元件的灵敏度与霍尔元件的厚度和载流子的浓度两个因素有关。由霍尔元件灵敏度的计算公式可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。其中，K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。参考资料来源：搜狗百科-霍尔元件参考资料来源：搜狗百科-霍尔系数

从原理看：vh=khibkh称为灵敏度。单位为mv/(ma.g)实际的霍尔元件，通常分为开关型或线性型两种，开关型一般不标称灵敏度。线性型通常电流i由内部电路决定。因此，灵敏度的定义发生了变化。vh=khb。单位变为mv/g一般在1~5mv/g，假设供电电流为10ma，也可转变为：kh=0.1~0.5mv/(ma.g)

10，如何判断霍尔元件的类型

霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，以及判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要手段。还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。霍尔电势差是这样产生的：当电流IH通过霍尔元件（假设为P型）时，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力（3－14－1）式中q为电子电荷。洛沦兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以有些偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场E，直到电场对载流子的作用力FE=qE与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止，即（3－14－2）这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。如果是N型样品，则横向电场与前者相反，所以N型样品和P型样品的霍尔电势差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。设P型样品的载流子浓度为p，宽度为b，厚度为d。通过样品电流IH＝pqvbd，则空穴的速度v＝IH／pqbd，代入（3－14－2）式有（3－14－3）上式两边各乘以b，便得到（3－14－4）称为霍尔系数。在应用中一般写成UH＝KHIHB. （...霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，以及判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要手段。还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。霍尔电势差是这样产生的：当电流IH通过霍尔元件（假设为P型）时，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力（3－14－1）式中q为电子电荷。洛沦兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以有些偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场E，直到电场对载流子的作用力FE=qE与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止，即（3－14－2）这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。如果是N型样品，则横向电场与前者相反，所以N型样品和P型样品的霍尔电势差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。设P型样品的载流子浓度为p，宽度为b，厚度为d。通过样品电流IH＝pqvbd，则空穴的速度v＝IH／pqbd，代入（3－14－2）式有（3－14－3）上式两边各乘以b，便得到（3－14－4）称为霍尔系数。在应用中一般写成UH＝KHIHB. （3－14－5）比例系数KH＝RH／d＝1／pqd称为霍尔元件灵敏度，单位为mV/(mA·T)。一般要求KH愈大愈好。KH与载流子浓度p成反比。半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小，所以都用半导体材料作为霍尔元件。KH与片厚d成反比，所以霍尔元件都做的很薄，一般只有0.2mm厚。由（3－14－5）式可以看出，知道了霍尔片的灵敏度KH，只要分别测出霍尔电流IH及霍尔电势差UH就可算出磁场B的大小。这就是霍尔效应测磁场的原理。

几种霍尔元件的检测一、线性霍尔元件的好坏判断1、改变磁场的大小线性霍尔元件的好坏将线性霍尔元件通电，输出端接上电压表，磁铁从远到近逐渐靠近线性霍尔元件时，该线性霍尔元件的输出电压逐渐从小到大变化，这说明该线性霍尔元件是好的，如果磁铁从远到近逐渐地靠近线性霍尔元件，该线性霍尔元件的输出电压保持不变，这说明该线性霍尔元件已被损坏。 2、改变线性霍尔元件恒流源的电流大小判断线性霍尔元件的好坏磁铁保持不动（即对线性霍尔元件加入一个固定不变的磁场），使得线性霍尔元件恒流源的电流从零逐渐地向额定电流变化时（不能超过线性霍尔元件的额定电流），这时线性霍尔元件的输出电压也从小逐渐地向大变华，这说时该线性霍尔元件是好的，如果线性霍尔元件恒流的电流从零逐渐地向额定电流变化时，这时该线性霍尔元件的电压保持不变，这说明该线性霍尔元件已损坏二、单极开关型霍尔元件的好坏检测将单极开关霍尔元件通电5v，输出端串联电阻，当磁铁远离开关霍尔元件时，开关霍尔元件的输出电压为高电平（+5v），当磁铁靠近开关霍乐元件时，开关霍尔元件的输出电压为低电平（+0.2v左右），这说明该开关开型霍尔元件是好的。如果不认靠近或离开霍尔开关，该霍尔开关的输出电平保持不变，则说明该霍尔开关已损坏。我是做霍尔元件的，可以和我讨论qq86774632三、双极锁存霍尔开关元件的好坏检测当磁铁n极或s极靠近霍尔开关，输出是高电平或低电平，然后拿还霍尔元件，电平保持不变，再用刚才相反的磁极得到与刚刚相反的电平，这时说明霍尔元件是好的，如果当霍尔元件靠近得到的电平，在磁铁离开后不锁存，说明霍尔是坏的，当磁铁用相反的极性靠近霍尔，得不到与另一个极性靠近霍尔所得出相反的电平，那么这个霍尔开关也是坏的