mos管的关断电压是多少，MOS管的vgs大多是多少伏

1，MOS管的vgs大多是多少伏

Vgs是MOS管的驱动电压，首先分NMOS和PMOS然后又分增强型和耗尽型一般情况下，增强型NMOS管的Vgs是一个大于0的电压，插件型的一般是12V左右，贴片型的可以做到5V耗尽型的开启电压跟增强型的差不多，但是其关断电压是一个负电压，实际用的不多PMOS与NMOS电压相反。

MOS管的vgs大多是多少伏

2，mosfet的触发导通电压是多少关闭电压是多少

MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。 N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。

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3，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。扩展资料：PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。参考资料来源：百度百科-mos管

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少