场效应管压降为多少，场效应管在完全导通时其导电沟道是不是就会像一个导线那样低

来源：整理时间：2023-04-13 08:42:02 编辑：亚灵电子网手机版

1，场效应管在完全导通时其导电沟道是不是就会像一个导线那样低

对的，就是那样，这不是数电里经常讲的吗，

场效应管在完全导通时其导电沟道是不是就会像一个导线那样低

2，si2301 mos管压降多少

si2301是低压P沟道MOS场效应管，当漏极电流为2.3A时，压降约为.03欧姆。

si2301 mos管压降多少

3，场效应管的门槛电压

场效应管的开启电压是4Ｖ左右

正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，才能直正导通。导通后两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V)

很难连高手也不会知道

场效应管的门槛电压

4，场效应管寄生二极管压降09V正常吗

场效应管寄生二级管压降0.9v，感觉不太正常的，场效应管ds二极管的压降是0.6v左右的

5，求一场效应管型号N沟道增强型600伏耐压1AVgs24伏时完

2N60,4N60都有TO252封装的，前者耐压600V，电流2A，后者耐压600V，电流4A。都符合你的要求。淘宝上可以买到。

在600v1a的条件下要4v完全导通，这种管子没有见过，就是有驱动的问题也比较困难。这种管子的导通电阻是随着耐压升高而增大，电流小电阻也增大，其导通电阻起码也在5欧姆以上。

6，ASEMI场效应管7N60的压降是多少

7N60参数描述型号：7N60封装：TO-220特性：低功耗场效应管电性参数：7A 600V连续二极管正向电流(IS)：7A脉冲二极管正向电流(ISM)：28A漏源电压(VDSS)：600V栅源电压(VGS)：±30V导通电阻(RDS(on))：1.2Ω源-漏二极管压降(VSD)：1.5V漏源击穿电流(IDSS)：1uA反向恢复时间(trr)：648NS工作温度：-55~+150℃引线数量：3 7N60插件封装系列。它的本体长度为16.0mm，加引脚长度为29.5mm，宽度为10.35mm，高度为4.55mm，脚间距为2.54mm。7N60有低栅极电荷、快速切换、100%雪崩测试，改进的dv/dt功能等特性。

7，场效应管问什么漏极接负载时压降小

不是所有场效应管而是MOS,vMOS,MES,等绝缘栅型场效应管，以N沟道为例-当漏源电压小于栅源电压时工作于导通态，否则工作于夹断（恒流）状态，故漏极接负载时有利于进入理想导通态，压降小……略……。

漏极接负载，那么在负载上也产生一个压降加载漏极的电压减小所以场管的压降减小反之加载源极后漏极电压增大故场管的压降变大再看看别人怎么说的。

8，场效应管中的电压电流数学关系是怎样的类似于三极管中的这种搜

ΔId=g*ΔUgs（g为跨导，相当于放大倍数，Ugs为栅源间电压）Id=IsIg=0

电流：用数字万用表放于测量电路找一电阻测两端电压，i=u/r就ok了电阻：看色环直接读，不能就取下来，将表打到电阻挡，直接测就好电压：测量方法在上面了电容，电感和电阻一样二极管：正反两次，看电阻值是否一样，一样就坏，不一样就好三极管：测量rbe,rbc我只知道这么多了

9，N沟道场效应管控制极启动电压多少伏栅极加1V电压能导通不搜

需要查手册。大功率增强型NMOS管，开启电压最少要2V。

1V能导通？你怎么想出来的？一般来说，常用的NMOS（也就是N沟道增强型MOS管）导通电压在2-4V之间，最少也要2V。但要提醒你：这个电压下，MOS管的工作状态不太好，要它完全导通，最好在10V左右。

gs之间电压应为正值还是负值?答：vgs=+ -20伏。可靠导通时的电压是+20伏，可靠截止的电压是-20伏。驱动irf630时，gs间电压为3.4v，但为什么不导通？答：3.4伏远远小于20伏所以不能导通。

10，场效应管测量

如果不用电路只用万用表测量的话，先用电阻档测，G和S之间，G和D之间的正反向电阻都是无穷大，有短路说明击穿。D和S之间分NMOS和PMOS两种情况，使用二极管档，测量之前先把G和S相连，对于NMOS，红笔接D，黑笔接S，应显示无穷大；红笔接S，黑笔接D，应显示二极管导通压降0.7V左右（MOS寄生二极管效应）；对于PMOS，红笔接S，黑笔接D，应显示无穷大；红笔接D，黑笔接S，应显示二极管导通压降0.7V左右。如果有显示短路或开路即说明管子损坏。上述是用万用表的基本测量，可以测量管子有无开路和短路。也可以用电路进一步测量管子的控制功能。左边是NMOS，电路如图连接，开关断开时，G极输入低电平，NMOS截止，用电压档测量DS电压应为10V；开关闭合后，G极输入高电平，NMOS导通，测量DS电压应接近0V。右边是PMOS，开关断开时，G极输入高电平，PMOS截止，测量SD电压应为10V；开关闭合后，G极输入低电平，测量SD电压应接近0V。

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