mos管可以加多少驱动电压，mos管100n50驱动电压电流多大

来源：整理时间：2023-05-11 19:12:50 编辑：亚灵电子网手机版

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1，mos管100n50驱动电压电流多大
2，为什么mos管驱动电压为电源电压加120
3，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

1，mos管100n50驱动电压电流多大

MOS管是电压驱动不需要电流，电流只用于栅极电容充电。电压一般在2.5伏左右

mos管100n50驱动电压电流多大

2，为什么mos管驱动电压为电源电压加120

因为mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须在电源电压上加120伏才有足够的电流输出。

为什么mos管驱动电压为电源电压加120

3，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。扩展资料：PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。参考资料来源：百度百科-mos管

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少