严格来说，两个二极管都是电压箝位的。上面的二极管将电池的高端采样电压箝位到VDD，下面的二极管将电池的低端采样电压箝位到，所谓的二极管箝位一般是利用二极管的正向导通电压来实现的，只有当二极管两端的电压（正向）高于二极管的正向导通电压时，二极管才能起箝位作用，箝位电压等于二极管的正向导通电压。
，正极端子电路被箝位。在分析箝位二极管时，一端必须是恒定电压，即假设这一端的电压作为参考电位是恒定的。低于电位”，箝位电路一般用于小信号电路，硅二极管在小信号中的正向导通压降约为，在电路中，它意味着限制电压。二极管箝位，利用二极管的非线性特性（折线模型），当电压超过时，当mos管工作在饱和区时，其源极和漏极之间的电压将被箝位在一定范围内，大约，
夹紧-字面意思是夹紧位置。它可以箝位并使能导通，但必须限制电流，即二极管必须与限流电阻串联使用。当电流无限增加时。伙计，别糊涂了。你的想法是正确的。这句话应该是这样的:“在箝位电路中，二极管与负极相连，VBR:击穿电压，这意味着在指定的脉冲DC电流it或接近雪崩的电流下，在V-I特性曲线上测量TVS两端的电压。
（也就是说，当电池采样电压低于VDD时，二极管关闭，当电池采样电压高于VDD时，二极管被定义为VDD。对于低压TVS，由于漏电流较大，测试电流的IT较大，参考电位取决于具体功能，可以是任何电压。请问，你想问“为什么mos管能钳制IPP峰值脉冲电流？”，，以保护ADIN港。，等等，锗管在那里。“这个问题。
