此时，MOS晶体管的阈值电压将随其源极和衬底之间的电位差而变化。FET的导通和关断由栅极-源极电压控制，对于增强型FET，N沟道晶体管通过增加直流电压而导通，这将导致控制电压必须大于所需电压，并且会有不必要的麻烦，输出电压请参考此电路图“具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路”:具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路。
对于N-MOSFET，Ugs（th）指仅形成导电沟道所需的Ugs电压。注意这里的属性——只是形成导电通道。如果是电动车电池，MOS管的导通电压是其固有参数，建议查看数据表。是输入电压，P沟道的G极电压为-极性。对于PMOS管，基板通常连接到电路的最高电位，VBS≥，
MOS晶体管的导通是一个过程，所以你需要仔细阅读模型书并复习Ugs（th）的定义。P型MOS晶体管的导通条件:在G极上加一个触发电压，使N极和D极导通，如果你想改变它，当它存在时，此时的电压是全V，N沟道的G极电压是极性的。或者购买功率逆变器，选择PMOS作为控制开关，它有以下两种应用:第一种应用，PMOS管的经典开关电路由PMOS选择，当V。
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