mosfet管适用多少频率，在线求助关于功率MOSFET最高频率的计算

来源：整理时间：2023-10-08 07:55:15 编辑：亚灵电子网手机版

本文目录一览

1，在线求助关于功率MOSFET最高频率的计算
2，MOSFET适用于多少KW下的高频电源
3，MOSFET适用于多少KW下的高频电源
4，在线求助关于功率MOSFET最高频率的计算
5，开关电源MOS管选择IRF3205和IRF540哪个好 PWM波频率什么范围
6，mos管开关频率一般多大
7，GTO GTR IGBT MOSFET 频率范围分别为多少
8，MOS管驱动一个电机要用两路PWM吗
9，mosfet体二极管用作整流二极管在多大的频率下工作
10，W20NK50Z MOS管可以工作在放大状态吗他的频率是多少求解

1，在线求助关于功率MOSFET最高频率的计算

td(on) +tr +td(off)+ tf ，然后乘以10，再取倒数就行了

可控硅能承受的功率最大，mosfet是三者中工作频率最高的，理论上可以做到1mhz（1000khz）,应用范围比较多的频率段应该为几百khz左右，但只适用于10kw以下的电力电子装置

在线求助关于功率MOSFET最高频率的计算

2，MOSFET适用于多少KW下的高频电源

这个和功率没关系，我们公司的可以用mosfet做到30KW单个模块，如果算上模块并联，已经可以做到300KW了。所以和功率没关系，主要是水平。

MOSFET适用于多少KW下的高频电源

3，MOSFET适用于多少KW下的高频电源

这个和功率没关系，我们公司的可以用mosfet做到30KW单个模块，如果算上模块并联，已经可以做到300KW了。所以和功率没关系，主要是水平。

你好！MOSFET用于高频电源，和电影功率无关，但高频也是有限制的，否则管子的开关时间也不够，频率太高了，MOSFET也不能用。一般的管子在100K以内吧。打字不易，采纳哦！

MOSFET适用于多少KW下的高频电源

4，在线求助关于功率MOSFET最高频率的计算

5，开关电源MOS管选择IRF3205和IRF540哪个好 PWM波频率什么范围

IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V;540 100V)如果耐压满足的话就选3205。频率最大可到100K，一般选50K较合适。

IRF540，具体对电源有什么要求

你好！开关电源的频率一般是30-50KHZ如有疑问，请追问。

6，mos管开关频率一般多大

理论上可以达到几十MHz或以上，原来的模拟示波器输入端就用MOS管，这样输入阻抗高，有500MHz的；常见的开关电源中，其工作频率一般情况下不超百kHz，大部分是几十kHz，这主要是对周边器件要求高…具体参数可以根据型号在百度或其他专业网站查询。

7，GTO GTR IGBT MOSFET 频率范围分别为多少

GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级，所以说这是个折衷考虑的结果。

8，MOS管驱动一个电机要用两路PWM吗

不用，需要一个IO口置高或置低，对应正转和反转。pwm频率不能太高，一般取200HZ以下

楼上的mosfet并不是开关速度快，相反是慢于bjt,一般都需要bjt来驱动；mosfet用在这里的最主要原因是导通后的内阻小，通过的电流大；这样加在电机的电压就接近电源电压，使得电机能正常工作；而bjt导通后内阻大，而一般直流电机内阻极小，根据欧姆定律，bjt上分得的压降就多，加在电机上的电压可能不足以驱动电机，再者，就算能后驱动电机，因为电机电流一般很大，而bjt上的压降也很大（内阻大），耗散在bjt上的功率也就很大，最终导致烧毁bjt.

9，mosfet体二极管用作整流二极管在多大的频率下工作

可以，一般寄生二极管可通过的电流为MOSFET本身可以通过的电流。只不过他的压降会大一些，反向恢复时间会长一些，如果频率不高的话，还是没有问题的。实在不行换一个或者在硬之城上面找找这个型号的资料

耐压=场效应管耐压，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，方向n沟道的是源极为正！如果你是想用mos进行同步整流，利用mosfet的到通电流无方向的特点、漏极为负，利用体二极管方向进行整流，p沟道相反，失去整流电流时要同时关断mos，则是将mos倒着接，同时在产生整流电流时驱动mos导通对于增强型场效应管或者说现在常用的功率mosfet，漏极到源极之间有一个本体二极管

10，W20NK50Z MOS管可以工作在放大状态吗他的频率是多少求解

电阻调节电路工作点电感滤波，调节谐振频率三极管可以放大电压三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。

应该不能吧。