mos管耐压值设计时应取多少，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

来源：整理时间：2024-02-27 17:44:43 编辑：亚灵电子网手机版

1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。开启的阈值电压4-5V。关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，反激电源中的MOS开关管的耐压值一般是多少

220v整流滤波后的电压在300v左右,而开关管的负载是磁芯变压器,也就是电感负载,理论上最高会有1倍的反向电动势,所以从可靠性方面来讲应选择>600v的管子为谊.

反激电源中的MOS开关管的耐压值一般是多少

3，MOS管设计要考虑哪些

要考虑导通电阻，开启电压，DS耐压，最大电流，允许功率等。

散热和过电流

MOS管设计要考虑哪些

4，比如说电脑主板输入12V为什么选MOS耐压要选25V以上的

选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。这就限制了电压不能无限制抬高。这是相互矛盾的情况，根据经验，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量。但是具体是由你的应用电路、客户需求以及产品的可靠性要求决定。比如，3.7V的锂电平台，MOS有用12V的，也有用24V的。36V或48V的平台，都有选用75V的MOS。220V的交流，一般选600V或900V的MOS。 MOS当开关电源使用，电感上的电压为锯齿波形，但是是平滑而不带尖峰的。只是，谁也说不准什么时候会有刺激、电压波动或异常动作，所以才要加一些设计余量。比如，DCDC肯定是几路并联给不同设备供电的，其中一路重载后负载突降，其输入端电压肯定是要被抬高的，这和电路的设计特性有关，很难真正的计算出来，还有控制器的死区时间控制不好，等等。都会带来电压的跳动，从而使平台电压高于12V的

5，MOS管子的过压指的是直接加在mos管子D和S两端的电压吗在

是的，Vdss就是。

方法一。从model文件中可以找到方法二。做一次单管的dc分析，通过波形文件measure到需要的参数特性方法三。用hspice仿真后查看.lis文件，里面有mos管的所有参数及其工作状态描述

6，设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值

反激式开关电源开关管受到的电压为三部分：1、电源电压，220V的峰值为 380V2、复位电压，变压器反冲电压和漏感形成的反电动势。管子复位需要承受的附加电压，这个跟管子的开关占空比有关，占空比越大，复位电压越高。占空比0.4（Dmax）的一般没功率矫正的120-130V，有功率校正的 163-253V。如果管子耐压不够高，要降低复位电压，就把占空比做小，一般小功率的小电源占空比可以做的小些。占空比小，意味着提供电流的时间短，开关输入电容承受的脉冲电流更大些，需要选择的电容要更大一点，耐受脉冲电流也要大一些。占空比不能太小。太小效率不高。3、尖峰电压，没功率矫正的100-150V，有功率矫正的 150-200V不等上面三个电压再加个余量50VVd= 380+250+200=830V。没功率矫正，电压小点Vd= 380+130+150=660V例如220V电压下限176V时，输出电压占空比为0.2，那么高电压时，复位电压不变，占空比就到0.12了。这个占空比太小，让电源效率非常糟糕。所以提高mos的耐压，可以提高占空比。改善性能效率。85V-265V国际交流电压等级（电流断续）的反激式电源管子耐压数据参考下：D为占空比的最大值和最小值，最大值是100V的占空比，最小值时370V高峰的占空比。600V D0.5-0.21 复位电压100V，尖峰电压80V,安全余量 50V650V D0.55-0.245 复位电压 120V,尖峰电压110V，余量 50V700V D0.57-0.26 复位电压 130V,尖峰电压150V，余量 50V800V D0.67-0.35 复位电压 200V,尖峰电压200V，余量 50V我们基本时220V电压，所以D的最大值很少达到，比较靠近最小值。开关占空比小效率差。例如选600V的管子，可能工作再0.20多些，而用800V管子，可以工作在接近0.4而带PFC的功率因子校正耐压要求更高，因为功率校正回让Vmin保持在接近最大值，所以开关D接近没PFC的最小值。复位电压高。600V D0.208-0.208 复位100V 尖峰80 余量50650V D0.24-0.24 复位120V 尖峰110V 余量50V800V D0.345-0.345 复位200 尖峰200 余量50一般国用的都是 600-650V左右的管子。而且占空比小些，这样就满足要求了。自己做的不计成本的话，用好点就不容易击穿。前面加入保险管，滤波，雷击等吸收电路，保证后面不受大电压冲击。大功率的做个功率校正，更节能绿色环保。

7，MOS管设计简单集成电路时主要考虑那些参数

源、漏、栅、衬底的电压、MOS管宽长比、栅氧化层厚度、阈值电压

流过二极管的电流太大，把二极管烧掉了。led要串联电阻限流的，阻值选可为：（12-2）÷0.01=1000欧姆，串联个1k的电阻就行了。希望能帮到你！

8，能否把MOS管串联起来用以增加MOS管的耐压值

应该是不行的吧串起电流可以增加，但是效率值下降。 PMOS管 80V 多少电流的你要什么封装的？

绝对没有，就是一般的单管igbt也很少有2000v的，基本最高到1600到顶了，你这么高的电压是用在电力机车或者输变电上面吗？这个要用东芝iegt模块了。

9，航模电调的mos管耐压要比电源高多少啊30v的场效应管可以用6s吗

如果要得到更专业的回答请上专业的模型论坛，比如我爱模型模型世界等。你这个问题比较复杂，一般一架机飞多久和很多问题都有关，比如载机设计是否合理，电池有没有虚标，电机和桨的效率等，但你说的感觉就没电这个不知道是什么意思，一般模型用锂电电压不能低于3伏，否则会过放，但一些模友都把电压保留到3.3伏或更高才安心,而锂电充满只不过4.2伏,所以感觉没电不准确,应该连个电压计.而且四轴这种东西原本就比固定翼费电的.一般条件允许的话,多数使用多S的电池,效率会高一些,但也受到电机和配桨效率的影响.用高压电还是低压电主要取决于电调是不是支持，还有电机在高压下工作是不是高效。如果电机和电调都支持高压工作，并且效率好的话，那么应该尽量用高压。可以减少电流降低发热提高效率。

或许可以。

10，设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值

针对反激架构，MOS管的电压可以分成三个部分：Bulk电容电压+N*Vo+VspikeBulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于1.414*VinN为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。MOS的耐压需要大于实际的电压，才不会有击穿的危险。

不同的电路拓扑，开关管耐压有不同的取值，一般耐压取2倍的电源电压是安全的

vds一般选用600v或者800v，rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10a/600v的mos管。还有就是厂家，比如fairchild、ship等啊，差别蛮大的。