浪涌电流是多少，单相整流桥的技术参数中浪涌电流指什么

来源：整理时间：2023-03-10 17:07:06 编辑：亚灵电子网手机版

1，单相整流桥的技术参数中浪涌电流指什么

二极管的浪涌电流是指整流桥或者二极管可以承受的最大瞬间正向的冲击电流。

单相整流桥的技术参数中浪涌电流指什么

2，浪涌电流如何测试

浪涌电流通常使用罗氏线圈来测量，目前全球做的最好的是pearson这一家的，很贵，动辄上万。自己也可以试着利用欧姆定律做，即使用一个较小的电阻，比如0.1ohm，功率和耐压够大，穿在线路中测量他的电压，就可以知道电流了。当然要使用无感的，使用电阻率合适的康铜丝可以，采用对绕的方式。具体可参见西交大陈景亮老师和姚学龄老师的书，具体书名忘记了。

浪涌电流如何测试

3，冲击线圈绕阻的浪涌电流可以达到平稳运行的多少倍

经时恒电子长期实践发现，无论是在DC电机或是AC电机中，每一次的电机开机运行，冲击线圈绕阻的浪涌电流平均都是电机最大工作电流的6~30倍，如一个50W，工作电压为24V的电机，其最大稳态工作电流一般为2A左右，但是它在工作开机瞬间时的浪涌电流一般可达9-15A区间，浪涌电流的持续时间约为11~200ms之间。所以开机瞬间会对电机造成巨大伤害。

电机的启动电流是运行电流的多少倍？电机的启动电流是额定电流的3.5~7倍。变频器软起动、星-三角降压起动、自藕减压起动、电阻降压起动、频敏变阻器起动、延边三角起动、直接起动。

冲击线圈绕阻的浪涌电流可以达到平稳运行的多少倍

4，开关电源浪涌电流是多少A

工作电流的100倍以内。开关电源的输入电路大都采用电容滤波型整流电路，在进线电源合闸瞬间，由于电容器上的初始电压为零，电容器充电瞬间会形成很大的浪涌电流，特别是大功率开关电源，采用容量较大的滤波电容器，使浪涌电流达100A以上。在电源接通瞬间如此大的浪涌电流，重者往往会导致输入熔断器烧断或合闸开关的触点烧坏，整流桥过流损坏;轻者也会使空气开关合不上闸。上述现象均会造成开关电源无法正常工作，为此几乎所有的开关电源都设置了防止流涌电流的软启动电路，以保证二手机器人电源正常而可靠运行。如果采用“软启动电路”来消除开关电源启动时的浪涌电流，可以很好地避免上述传统浪涌电流限制方法的缺点。通过“软启动”来控制开关电源的启动以消除浪涌电流，包含这样两条设计原则：即在加电瞬间除去负载、同时限制有用的电流。如果不驱动负载，开关电源启动时一般电流很小。在很多情况下，启动电流实际有可能要比利用这种方法保持的稳态工作电流小。

工作电流的100倍以内

要根据输出的不同，浪涌电流也不同

5，为什么家用电器打开一瞬间会产生巨大的电流

家电起动电流大于工作电流简单说主要有两种情况。一、电热类（包括白炽灯），是电阻性的。一般电阻材料的阻值是随温度的升高而增加的，起动时是冷态，所以起动电流较大于工作电流，但不会大几倍，约百分之几到十几吧，这其中电感也有一定作用，但很微小。二、变压器、电动类，是电感性的。起动瞬间，器件磁场还没建立，阻抗很小，所以电流大。而电动机起动时，转子处于静止状态，定子磁场与转子相对速度极大，转子感应出极大的电流，定子电流要平衡这个电流产生的磁场，电流必然很大，不过这个时间很短，随着转子的加速，电流很快下降。...电流是按单位时间计的，如果看初始起动的毫秒瞬间，电流可大至额定电流的十数倍甚至更大，当然，时间是非常短暂的。顺便说明，电机堵转容易烧毁也是这个原因。

电磁炉瞬间峰值高的话容易造成igbt损害的漏电的话空开会跳闸的用万用表测量啊

朋友，因为凡是电器，在开启的瞬间由冷态变为热态，这个转换过程中就有大量电流损失，所以必然产生浪涌电流而导致电流增大的。

也不是巨大的是根据功率的大小最大也就是几倍

6，电容和电阻的公式是什么呢

1M=1000K R 是电阻的符号，无大小，他跟电压有关系，公式为U[电压】=I[电流]*R[电阻]1.电容量(uf)=电流(mA)/15限流电阻（Ω）=310/最大允许浪涌电流放电电阻（KΩ）=500/电容(uf)2.计算方式 C=15×I C为电容容量单位微法 i设备为工作电流单位为安如一个灯泡的电阻为0.6安电容就选择 15×0.6＝9微法在电路里串连 9微法的电容就可以了3.经验公式，1uF输出50mA4.半波整流方式计算应该是每uF电容量提供约30mA电流，这是在中国的50Hz220V线路上的参考。全波整流时电流加倍，即每uF可提供60mA电流。5.R*C≥（3～5）*T/2,需要知道纹波成份中的频率最低信号的频率是多少（即最大的T)，然后来确定C的值。6.滤波电容计算方法：半波整流方式计算应该是每uF电容量提供约30mA电流，这是在中国的50Hz220V线路上的参考。全波整流时电流加倍，即每uF可提供60mA电流。其他的方法不用考虑，2明显有误，3基本和4的相同。如果不是对市电滤波，计算方法按C＊dU／dt＝I计算。 7.限流电阻（Ω）=310/最大允许浪涌电流，市电最大电压为310V。 8.放电电阻 R*C≥（3～5）*T/2，电阻越大放电越慢。T是放电时间。

7，我要选igbt请问igbt直流电流和变频器额定电流是什么关系啊谢谢

从你提的问题就可看出你是新手。先学变频器的原理吧。具体修的话先判断是不是igbt烧。若肯定igbt模块烧（即使找到相同型号的igbt，在原因查明之前也不能贸然换上，不然很可能换多少烧多少）再查激励电压和波形是否正常，400v直流是否正常，各单元控制供电是否正常。若控制激励不正常就比较麻烦，建议送修。若能肯定各单元供电正常，激励电压和波形正常，igbt烧，才可以找同型号igbt代换，用低功率假负载试运行。再检查真正的负载，都没问题了才能上机。没有维修经验最好送修。

直流侧功率=交流侧功率所以根据直流电压和交流电压就可以算出直流电流和交流电流关系了

IGBT典型失效现象及分析1、温度上升对IGBT参数的影响温度上升包含两个意思：一是IGBT中的电磁场能量转化为热能，主要由于器件中的电阻热效应；一是器件发热与外部冷却之间的相互作用，发生的热量如果不能及时散发出去，即散发能力不够，则使温度上升。温度上升，IGBT中的两个晶体管的放大系数α1和α2均增大，该两个晶体管构成一个寄生晶闸管。借助于IGBT等效电路图（图3），开通过程为：当给栅极加压Vg，产生Ig，则MOSFET开通，产生I1，I1为PNP的基极电流，开通PNP，产生I2，I2为NPN提供基极电流，产生I3，使整个IGBT全面开通。I1、I2和I3构成IGBT开通后的全部电流，其中I2为主要部分。当温度上升，α1和α2上升，使α1＋α2→1，将使寄生晶闸管出现“闭锁效应”，而使IGBT一直导通，即使Vg去掉，I1=0,由于该闭锁效应，PNPN导通，开关失效。因此，温度上升，增加，使得重复开断的通态电流下降。图4为SKM600GB126D 型IGBT的通态电流IC随温度变化的曲线【5】。从图中可以看到，随温度升高，电流下降，且在800C之后，电流下降非常迅速。图4 IGBT（SKM600GB126D）温度－电流曲线（略）在一台实际的160kW三电平变频器中，温升试验中发生的IGBT失效现象说明该问题：该变频器所选的IGBT型号为SKM600GB126D，工频下重复可关断电流为600A。该变频器起动后，带满载运行，额定电流为315A。起动稳定后的50分钟运行一切正常，随着运行时间的增加，IGBT壳温从300C上升到1200C，装置发生过流保护。分析其原因：当IGBT壳温达到1200C以后，最大重复可关断电流值发生变化（约为250A），驱动开关发生失效，直流母排中点电压平衡破坏，造成直通过流，器件保护。一般解决该问题的主要措施有：（1）减小器件的发热，选择适当的IGBT参数；（2）加强散热，主要从冷却结构和方式中寻找最优结构和方式；（3）降低开关频率，在开关频率为1k以上，开关损耗超过总损耗的一半；（4）缩短开通和关断时间，也是为了减小开关损耗，但要注意，di/dt和 dv/dt的升高，引起另外的器件失效机理；（5）降低谐波分量。谐波分量不转化为有功，但增加器件内部电阻损耗。2、输入电压升高，开关器件保护，PWM脉冲失效，中点电压平衡破坏仍以上面的160kW、380V低压三电平变频器为例，其调制采用SVPWM方法，开环VVVF控制，驱动一台160kW的异步电机。当输入电压为300V以下时，起动运行都没有问题，中点电压平衡很好。但输入电压升至350V或者380V时，则电机起动不起来，IGBT发生保护，中点电压偏离，严重时烧坏器件。事实上，当起动电机时，电机速度为零。电机反电势为零，其等效电路图如图5所示。其中R为回路电阻，L1为回路漏电感，Lr为电机电枢电感（可变，与电机反电势相对应），V为电源。Lr为零，而R与L1很小，此时回路电流基本为短路电流，数值很大，且该数值取决于电源电压。输入电源电压越高，则短路电流越大。该大电流使得di/dt、dv/dt均增大，直至超过IGBT的承受值，使得IGBT保护，驱动脉冲失效，打破了中点平衡开关序列规律，而使中点电压发生偏离。从能量的角度来看，此时输出的机械能受阻，输入电磁能在变频器内部吸收，尤其在IGBT内部转化，轻则使得器件保护，重则器件烧坏。此时电磁能与机械能转化不合理，电流中的有功和无功分量不合理。图5 变频调速系统等效电路图（略）有效的解决方法主要包括：（1）增加有效预励磁，减小起动电流，提高启动转矩，使电流有功分量和无功分量分配合理；（2）设定低频启动，延长起动时间，使得di/dt和dv/dt降低；（3）减小v/f补偿值，适当减小占空比，起动力矩也随之有效减小；（4）在母排上加一起动限流器，以减小di/dt，正常运行时再切除掉。3、驱动功率不够，PWM脉冲失效，中点平衡破坏当驱动电压脉冲Vg没有足够的值，或者即使达到了阈值，但持续的时间太短，其波形如图6所示，导致IGBT不能有效的打开，而使IGBT开关顺序破坏,致使中点电压偏离，最后导致器件过压保护，严重时器件击穿。分析其原因主要有三：（1）驱动电源本身能力不够，驱动电压和尖峰电流都达不到要求，或者其中之一达不到要求，导致驱动电压、电荷不到位；（2）驱动回路延时过大（电阻或电容过大），使驱动电压上升太慢，所需时间大于最小脉宽时间，导致IGBT远没有完全打开就执行关断指令，IGBT没有实现开通；（2）驱动电源质量不好，电压本身有波动，或者受外部dv/dt和di/dt的干扰，导致驱动电压本身变化，而使驱动脉冲失效；（3）驱动输出与IGBT门极连线过长，且没有屏蔽，导致电磁干扰在该传输线上破坏驱动脉冲，致使驱动失效。图6 驱动脉冲序列（略）驱动是一种功率放大的过程，驱动信号将信号流与能量流有机结合。驱动本身亦是一种能量转换过程，一方面驱动本身有一个能量是否足够的问题，另一方面有一个转换时间的问题，同时本身的能源是否可靠也是问题。IGBT是一个驱动MOS场控型器件，控制的关键是沟道反型。开通时要求适当快，沟道足够宽，关断时亦要适当快、关闭严。对于IGBT，关断时电压Vg可到负值，以便深度关断，同时起抗干扰作用。另外，IGBT的导通电阻受栅压调制，可用于IGBT的过电流保护。如测试到一定的过流信号，立刻把驱动电压Vg减小一半，使得IGBT通态电阻增大，抑制电流；当过流消失后，再恢复栅极电压正常值，若持续过大电流，则采取相应保护动作。主要解决措施有：（1）加强驱动功率，实施强驱动，以加快导通区的横向扩大速率和增加初始导通区的面积，前沿要陡，以满足最大驱动电流要求；（2）选择适当的驱动回路的电阻Rs和电容Cs，使其时间常数适中，延时不大于最小脉宽时间，同时又不能太快，以致dv/dt过大；（3）保证驱动电源的质量，稳压稳流，减小电磁干扰影响；（4）利用IGBT的正导作用，有效实施调节Vg的二次导通功能，以达到主动保护效果。4、di/dt与dv/dt过大导致器件失效 160kW三电平变频器中，IGBT开通时和通态时，发现有时di/dt毛刺很大，达到1000A/us，引起IGBT过压而保护，PWM失效，中点电压偏离，变频器不能工作，严重时烧坏管子，另外在关断时发现有时dv/dt毛刺大，引起IGBT误导通。该变频器的di/dt和dv/dt典型试验波形如图7(a)和(b)所示。图7 di/dt和dv/dt试验波形（略）di/dt过大，意味着集电极电流上升很快，它将引起束流效应，即在IGBT中产生实际的局部电流密度过高而发热，致使局部热损坏。dv/dt与结电容CJ构成移位电流，相当于器件的触发信号，引起α增大，在一定条件下产生误触发，致使IGBT失效。di/dt和dv/dt过大本质上都是能量变化太快，如果引导不好，则产生能量过于集中而产生破坏。L和C在电路中都起一个储存能量和缓冲变化的作用，各种缓冲吸收及软开关电路，均为对LC在电路回路中的合理应用。如果回路中L太小，则电流变化快，IGBT导通面积来不及扩展，产生束流效应，致使局部过热损坏；如果回路中C太小，则电压变化快有可能产生浪涌电流而击穿器件。有效的改善di/dt和dv/dt过大的有效措施包括：（1）选择适当的开关频率，使di/dt和dv/dt限制在器件的承受范围内；（2）尽可能选取耐di/dt和dv/dt髙的开关器件；（3）采取强、尖脉冲触发，前沿一定要陡，使初始导通面积尽可能大；（4）大容量使用中，采用限流饱和电抗器和维持脉冲相结合的办法来降低di/dt；（5）外加并联电容，以吸收器件内的移位电流，减小dv/dt；（6）外加RCD电路，以同时降低di/dt和dv/dt；（7）增大驱动电路上的时间常数，减少开通和关断时间，降低di/dt和dv/dt；（8）小容量变频器上可在IGBT集电极套磁环，以减小di/dt。