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ic受到多少静电会被打坏,半导体ic零件在静电压值多少时会造成损坏

来源:整理 时间:2024-01-02 23:14:59 编辑:亚灵电子网 手机版

1,半导体ic零件在静电压值多少时会造成损坏

1,这个每家生产的ESD电压值不一样2,一般的半导体在5000左右的防静电3,但是某些特殊的芯片会高达万伏以上

半导体ic零件在静电压值多少时会造成损坏

2,静电多大就对IC造成影响

不同的器件对静电的耐受力也不同,没有一定的数值。有些较早的CMOS器件,必须要用锡箔包裹保存,如果去掉锡箔,用手接触一下其管脚,仅仅人体静电就足以使其损坏,现在有些高输入阻抗的运放也是插在防静电介质上的,不能用手去接触其管脚。而有些接口器件如MAX232ECPE、SN75LBC176等在电路内部有抗静电设计,可以承受几千伏的静电电压而不致损坏。

静电多大就对IC造成影响

3,静电敏感等级

静电敏感元器件有90%产生软击穿,而10%左右被完全破坏静电敏感元器件有90%产生软击穿,而10%左右被完全破坏易被静电损坏的电子器件称为静电敏感器件(Static Sensitive Device简称SSD)。由于科技时代的需要,小体积、多功能、快速度的集成电路已是目前电子工业的基本要求。增厚氧化膜,提高其耐压性,显然是行不通的,因此在器件的集成度越来越高的趋势下,通常将器件氧化膜的膜厚做得越来越薄使其尺寸减少,器件的耐压也随之降低。半导体器件,特别是IC,根据其种类不同受静电破坏的程度也不一样,弱至100V的静电也会造成破坏,具体数据见表l。 表l各种半导体器受静电破坏的水平 元件的种类 遭受破坏的电压范围(V) 元器件典型范例 VMOS器件 30~1800 IRF640、SPP11N60S5、BSN304 MOS场效应器件 100~200 TDA4605、TDA16846 坤化镓场效应器件 100~300 EPROM 100 M24C08、AT24C16 结型场效应器件 140~7000 K30A 表面滤波器 150~500 A号板的CF6264 运算放大器 190~2500 V号板LM3580 CMOS器件 250~3000 S、V号板AT27C010(L) 肖特基二极管 300~2500 高清上网板1N5817 薄膜电阻 300~3000 双极型晶体管 380~7000 C1815、A1015 可控硅 680~1000 V号板SFORIB4

静电敏感等级

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