mos低于多少导通条件，P型MOS管的导通条件是什么

1，P型MOS管的导通条件是什么

对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。

P型MOS管的导通条件是什么

2，MOS导通条件为什么有的地方说4V或者10V

你说的应该是开启电压。常见的MOS管4V开启基本都没问题，但实际电路中电压一般在10~20V之间，目的是让管子可靠导通。

MOS导通条件为什么有的地方说4V或者10V

3，有没有这样的mos管我是想要栅极电压大于15V时管子处于夹断

具我了解，只有一种只能会这样的那就是结型珊极场效应管你找一下会找到的，希望能帮到你

有没有这样的mos管我是想要栅极电压大于15V时管子处于夹断

4，P型MOS管的导通条件是什么

1、对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。2、PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动。3、但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

5，三极管工作导通条件和MOS管都是导通工作条件

谁能不能详细地说说MOS管的导通条件。请高手教授一下。

控制积电压大于或等于输入电压才完全道通

第一个是pnp三极管不符合到同条件所以不会导通第二不会

我也不懂。。。。

6，P型MOS管的导通条件是什么

P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

7，mos参数问题

首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。

8，下面图片中的MOS管在什么情况下导通

在PQB03收到ACDRV这个信号之前是出于截止状态，因VIN加到了PQB03的漏极所以P1此时并没有电压。见图：当芯片发出ACDRV这个信号后PQB03和PQB04两个NMOS开启，此时有了P1和P2，P1为适配器电压19V经PRB11和PRB12分压(PRB12*19/(PRB11+PRB12)),分压后的电压是4.75V。见下图。那么根据NMOS管的导通条件栅极电压必须高于源极4.5V以上才可以导通，现在源极是19V而栅极是4.75V，这个管子怎么可以导通。见下图。即便此管可以正常导通，但是ACDRV得信号电压是25V加到此管的漏极，这个MOS管还是不能够导通。见下图：

是防止主人用其它的适配器，可能插头正、负极不同造成烧机的可能。

9，mosfet导通

这里你是没有说明两个条件，一是电源是交流还是直流的220V，这个电压很容易让人想到是交流市电，交流是不能直接接到MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。

你的公共点在那里呢就是gnd?还有两个交流和直流是否共地的?首先你看irf4905的datasheet,其vgs(th)等于-2v就导通,就是当g比s在小2v的情况下就导通了.之前用6v交流没导通的时候,g和s的值分别是12v和6v,vgs=+6v,绝对不会导通.后面的12v交流加入的时候,g和s的值都是12v,如果你的输入交流12v是指峰值电流,他还不回导通,但如果输入的12v交流是有效值,那它峰值肯定超过12,这时候s比g的瞬时电压差大,vgs有可能小于-2v,所以会导通.而且,如果不共地的话,没有参考点那两者电压比较就成了随机数,导通不导通就是随机的了!

10，怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通在电路图纸中怎么看一直

看图纸画的MOS的形状，如果箭头指向栅极，那么就是高电平导通，反之为低电平导通

有型号吗？如果有的话看它的DATASHEET就可以啦。如果是电脑电源一般是N

可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管晶体管逻辑电路不兼容。在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。扩展资料：MOS管的应用：1、PMOS管反向保护电路中用到PMOS，不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管，但它完全没有用处。在电路正常通电时，GATE接在远低于D端的0电位上，此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端，PMOS完全截止。2、NMOS管反向保护电路中用到PMOS，不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管，但它完全没有用处。在电路正常通电时，GATE接在远低于D端的0电位上，此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端，PMOS完全截止。参考资料来源：百度百科—pmos参考资料来源：百度百科—NMOS

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6，P型MOS管的导通条件是什么

7，mos参数问题

8，下面图片中的MOS管在什么情况下导通

9，mosfet导通

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