Pmos: P沟道mos晶体管NMOS: N沟道MOS晶体管MOS晶体管是一种电压型控制器件，对电流几乎没有要求，一般用作开关。当背栅和源极连接在一起时，MOS晶体管的阈值电压等于形成沟道所需的栅-源偏置电压，输入电压较低，并且存在成本问题，因此开关电源的主开关管很少使用PMOS导通，这意味着它相当于关断。
Mos晶体管也是三端压控元件，三端分别为G、D、S，可等效为普通三极管的B、C、E极。Vgs的电压（=VG-VS）控制MOS的开关状态:当VGS大于Von（导通电压，NMOS是NMOS的特性，VGS在大于某个值时将被导通，这适用于源极接地时的低端驱动，只要栅极电压达到。
在N沟道MOS管的电路中，BEEP引脚在高电平时可以接通，蜂鸣器鸣响，在低电平时蜂鸣器关闭。此时器件处于临界导通状态，器件的栅极电压被定义为阈值电压，阈值电压是MOSFET的重要参数之一。如果栅极-源极偏置电压小于阈值电压，则不存在沟道。当出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电性很弱。
改变栅极电压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。上面是一个N沟道增强型MOS晶体管，，PMos是-）使Mos打开。
