目前芯片的物理极限确实是7nm，随之而来的是软件计算的等效效果。新的芯片材料可以产生比目前90纳米的7纳米芯片强50倍的性能，英特尔在物理意义上仍然是7nm，中国芯片7nm工艺正在开发中，从14纳米到7纳米甚至5纳米和3纳米，每一次突破都伴随着巨大的成本飙升。7nm前后，熟悉的nm工艺基于7 =上一代/2迭代了新nm工艺的演进模式，事实上，7纳米是物理纳米工艺的极限，台积电和三星从事的是更高阶的等效，而不是物理意义上的等效，我个人认为这是出于nm的竞争和营销意识。
芯片的制造工艺通常以90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、22纳米、14纳米和10纳米为代表。数值越小，技术越先进，性能越强，功耗越低，但制造难度也越大。例如，从14纳米到7纳米，再到5纳米和3纳米，制造成本急剧上升，并且总是数百亿美元。经过很长时间，DUV已经勇敢地达到7纳米，SMIC将跨越5纳米。
尽管高性能小型芯片的性能不错，例如苹果15的4纳米芯片可能并不比苹果14的5纳米芯片更好，但对于智能手机等大多数消费品来说，现有芯片的性能可以完美满足大多数用户的需求。再加上高性能的小芯片，并不代表性能就很好。例如，苹果15的4纳米芯片并没有比苹果14的5纳米芯片带来更好的用户体验。首先是光子芯片的生产线建设和量产，这使中国成为世界上第一个实现光子芯片商业化的国家。由于制造工艺的不同，光量子芯片可以在没有掩模对准器的情况下生产，并且可以突破硅基芯片的物理极限。
DUV的实际芯片极限不是7纳米，而是3纳米。介绍了半导体制造领域的光刻技术以及台积电、英特尔和三星等行业巨头在该技术领域的竞争，SMIC宣布将投资7纳米技术的研发，这比GalaxyS810nm纳米处理器更先进。然而，这种等效的7 nm芯片并不是真正的7 nm芯片，但它在逻辑芯片的有效接触面积上与7 nm非常相似。
