可控硅多少a如何解读，可控硅上的字母和数字都表示什么意思这只可控硅1 3脚测阻值89

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本文目录一览

1，可控硅零件型号尾锥数字ABC各是什么意思
2，可控硅BTB16800B面上数学字怎么解读
3，20A12V时浓可控硅整流器型号如何解读T广X2012KG高频可控硅整
4，可控硅上的字母和数字都表示什么意思这只可控硅1 3脚测阻值89
5，晶闸管就是可控硅的AKG怎么判断有没有略微简单的方法啊百度知
6，晶闸管单相桥式半控整流电路解读
7，T435800W可控硅是多少A电流的
8，什么是可控硅如何识别可控硅
9，可控硅的电压等级和电流等级有哪些
10，常用可控硅主要参数
11，可控硅上标的100A是什么含义
12，可控硅原理的可控硅原理工作过程

1，可控硅零件型号尾锥数字ABC各是什么意思

一般指的是电压的分层艾维电气

期待看到有用的回答！

可控硅零件型号尾锥数字ABC各是什么意思

2，可控硅BTB16800B面上数学字怎么解读

可控硅BTB16-800B，其中：BTB：意法ST公司，四象限/非绝缘/双向可控硅。意法ST公司以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成，ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”；16-800三端双向可控硅元件额定电流、电压 16A 800V；B：触发电流50mA。型号后缀字母代表触发电流，意法 ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA。注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明。

可控硅BTB16800B面上数学字怎么解读

3，20A12V时浓可控硅整流器型号如何解读T广X2012KG高频可控硅整

你好，20A/12V可控硅整流器指的是输出电流电压为20A,12V。主要用途为铝阳极氧化、着色、抛光，不绣子边坐价坚鲜部医下鲜重钢材电解抛光，彩涂钢带表面镀锌处理，电解铜箔工艺，五金物件表面处理，模具、五金等硬铬工艺，环保废水处理，工业废渣电解液电解回收，电池工业领域，稀土冶炼，电泳等。建议多看看 40见0（台兴）- 101（智能赶降站低）- 3780（电源）。特点应该有很多，建议咨询专业人士。希望回答可以帮助到您！

20A12V时浓可控硅整流器型号如何解读T广X2012KG高频可控硅整

4，可控硅上的字母和数字都表示什么意思这只可控硅1 3脚测阻值89

TYN0512，这是只单向可控硅。05，代表平均电流5A、12，代表耐压1200V。1 3脚阻值89欧，正常，但不一定都是好的。有可能1、2，2、3短路，或断路。

5，晶闸管就是可控硅的AKG怎么判断有没有略微简单的方法啊百度知

单向可控硅的检测。　　万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测。　　用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。晶闸管(可控硅)的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。

6，晶闸管单相桥式半控整流电路解读

单相桥式全控整流电路甲相项广调委，由4个可控硅组成桥式整流，能控制交流输入和直流输出。单相桥式半控整流电路，组成形式有多种。最常见的方式360问答为2只可控硅，2只整流管，由可控硅控制交流输入端举国照，直流输出不控制。还有一种简单控制电路，在普通桥毛式整流前加一只交流型固态继电器溶吗重认纪几控制整流桥交流输入。相对于对交流输入和直流输出均能控制的全控制整流电路，只能控制交流输入端或直流输出端的整流电路称为半控整流电路。单相桥式全控整流电路获斤末百用四个晶闸管，两只晶闸管接成共阴极，两只晶闸管接成共阳极，每一只晶闸管是一个桥臂。在u2正半波的（0~α）区间，晶闸管VT1、VT4承受正压，但无触发脉冲，处于关断状态。假设电路已工作在稳定状态，则在0～α背绍化胜燃象段死区间由于电感释放能量，晶闸管VT2、VT3维持导通。在u2正半波的ωt=α时刻及以后，ωt=α处触发晶闸管VT1、VT4使其导通谈候宗轮鲁草困基爱节权，电流沿a→VT1→L→R→VT4→b→Tr的波犯望二次绕组→a流通，此时负载上有输出电压（ud=u2）和电流。电源电压反向加到晶闸管VT2、VT3上，使其承受反压而处于关断状态。在u2负半让端跳静找测尔轴社委波的（π~π+α）区间，当ωt=π时，电源电压自然过零，感应电势使晶闸管VT1、VT4继续导通。在电压负半波，晶闸管VT2、VT3承受正压，因无触发脉冲，VT2、VT3处于关断状态。在u2负半波的ωt=π+α时刻及以后，ωt=π+α处触发晶闸管VT2、VT3使其导通，电流沿b→VT3→L→R→VT甲2→a→Tr的二次绕组→b流通还空算两律帮，电源电压沿正半周期的方向施加到负载上，负载上有输出电压（ud=-u2）和电流。此时电源电压反向加到VT1、VT4上，使其承受反压而变为关断状态。晶闸管VT2、VT3一直要导通到下一周期ωt=2π+α处再次触发晶闸管VT1、VT4为止。在单向桥式半控整流电路中，VT1和VD4组成一对桥臂，VD2和VT3组成言杂企曲另一对桥臂。在u正半周，若4个管子均不导通，负载电流id为零，ud也为零，VT1、VD4串联承受电压u，流己站督设VT1和VD4的漏电阻相等起倒危马仅爱指沙区，则各承受u的一半。若在触发角?处给VT1加触发脉冲，VT1和VD4即导通，电流从电源a端经VT1、R、VD4流回电源b端。当u过零时，流经晶闸管的电流也降到零，VT1和VD4关断与衡喜刚。在u负半周，仍板在触发延迟角?处触发VD2和VT3，VD2和VT3导通，电流从电源b端流出，经VT3、R、VD2流回电源a端。到u过零时，电流又降为零，VD2和VT3关断。此后又是VT1和VD4导通，如此循环地工作下去。晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为根号2/2·U和根号2·U。由于在交流电源的正负半周都有整流输出电流流过负载，故该电路为全波整流。在u一个周期内，整流电压波形脉动2次，脉动次数多于半波整流电路，该电路属于双脉波整流电路。

7，T435800W可控硅是多少A电流的

电流为4A,电压为800V

用bt137的来代替1、可以用电流为1a 的双向可控硅代替。 2、“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称triac即三端双向交流开关之意。

8，什么是可控硅如何识别可控硅

可控硅就是可控二极管　　数字表更好使啊，不是专门有测晶体管的当吗？^_^^_^^_^　　一般触发脚较其他两脚细，用表笔测其他两脚，应该不通，在慢慢旋转可控硅，使触发端接触表笔，如果显示不变，两表笔换一下再试，如果显示由1变为数字，再小心的把触发脚移开，两个电极千万不要和表笔断开，如果显示不变，那他是好的，如果掉换表笔都有触发，那应该是双向可控硅。至于极性你应该能辨出来吧！　　（不过说明一下：数字表+表笔内接电池+极，指针表+表笔内接电池-极）　　用万用表测量可控硅　　可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。　　2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。　　对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。　　对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。　　更多http://hi.baidu.com/qinhongsheng/blog/item/b880c2bf63c4ae0b18d81f7a.htmlhttp://www.567blog.com/blog/web/chenwenheng/archives/2006/2654.html

9，可控硅的电压等级和电流等级有哪些

普通可控硅电流有分1A 2A 4A 6A 8A 10A 12A 16A 20A 41A当然功率小的也有 0.2A 0.25A 0.8A 1.25A大的有 40A 70A 再大的就要可控硅模块了，它含有保护电路100A 150A 300A 500A 1600A我只能解释普通可控硅的常规（静态）电压等级》400》600》800>1000>1200静态耐电压越高，说明在实际工作环境性能越稳定，其反向漏电流越少，误导通的机会越少。

可控硅的工作电压电流每种型号不一样的，但它的触发电压一般都很小，1000a的可控硅只要3v也可触发，只要触发电流达到即可。你要说出详细型号才能准确回答。

10，常用可控硅主要参数

电流　　1. 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压　　2. 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流　　3. 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。额定正向平均电流 4.在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值

常用可控硅的IT一般为一安到几十安。1. 耐压　　反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。2. 触发电流　　控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。额定正向平均电流4.在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。

说点实在简单的吧！可控硅参数：可通过最大电流a一般0.1a起。4a 8a 12a 20a 等等大的很的都有可承受最大反向电压，一般工作电压就在这个电压以内。几十v到几千v都有。一般使用不超过这两个参数的7成。可控硅一般分单向，双向，单向一般用于直流电控制，双向多用于交流电，脉冲控制。控制方式：一般是电流方式。

11，可控硅上标的100A是什么含义

理论上讲是可以,但实际不行.因为电表测出来的数据不一定正确(方法问题),而且可控硅过载能力很差.除非你能肯定测出的数据非常正确.还是以设计参数为准(即图纸).

楼上的回答与我想的一样。我还想问一下：可控硅整流中，导通角可调。是不是只要电流不超过100A（用普通电流表测量），就可以使用这个可控硅呢？余量先不考虑。

万用表不准确，能作为不行的理由吗？当然要保证测量值误差并不大，即使是要求不太高的工业用仪表，误差不会超过5%吧？还有“方法问题”是什么意思？用万用表测量电流应该采用什么方法？

对初学者多讲点注意事项也是应该的。也要小心自己常用的电表等有时会不准，导致维修失误。

它表示的是可控硅的额定通态平均电流.条件是在环境温度为正40摄氏度和规定的冷却条件下,在单相工频正弦半波电路中,导通角不小于170度角,负载为电阻性,结温稳定且不超过额定结温时,管子所允许的最大的通态电流(平均值).因可控硅的过载能力很低,选用时要有1.5~2.0的安全系数!!

我认为“老灰兔子”老师的解答是完全正确的，遵循了合乎情理的逻辑结构。不要吹毛求疵或者是求全责备，要防止精神活动中的不良倾向。比如说，没有经过例行鉴定的仪表，都不能认定为合格准确的仪表。100安培的电流，当然是间接测量，提示测量方法是完全必要的。

12，可控硅原理的可控硅原理工作过程

晶闸7a686964616fe4b893e5b19e31333361303030管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路双向晶闸管的结构与符号见图2。它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。从晶闸管的内部分析工作过程：晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二.当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图三所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据p-n结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个p-n结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个p-n结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在r*10或r*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（k）、阳极（a）、控制极（g）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称t2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称t2极，剩下则为控制极（g）。 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（r×1挡），可能是a、k或g、a极（对单向可控硅）也可能是t2、t1或t2、g极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为k极，黑笔接的为g极，剩下即为a极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至r×1或r×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为g极，黑笔所接为t1极，余下是t2极。 2、性能的差别：将旋钮拨至r×1挡，对于1~6a单向可控硅，红笔接k极，黑笔同时接通g、a极，在保持黑笔不脱离a极状态下断开g极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开a极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。对于1~6a双向可控硅，红笔接t1极，黑笔同时接g、t2极，在保证黑笔不脱离t2极的前提下断开g极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通a极或t2极时断开g极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关k，灯应发亮，断开k灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅，闭合开关k，灯应发亮，断开k，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.