载流子浓度n为多少，载流子浓度是否有正负

本文目录一览

1，载流子浓度是否有正负
2，霍尔元件电导率怎么求
3，霍尔效应中的载流子浓度的单位是什么要国际单位
4，本征载流子浓度ni是多少
5，硅和锗在T400K时热平衡载流子浓度各是多少
6，电导率公式是什么
7，t400k时锗的本征载流子浓度值是多少最好告诉哪有表格可查找
8，计算已知Si中本征载流子ni 15 x 1010 cm3Si原子密度为5 x 1022
9，如何测量半导体材料的载流子浓度
10，空气电离后的电阻率是多少

1，载流子浓度是否有正负

浓度哪有负数的，q指电量，是个正值

载流子浓度是否有正负

2，霍尔元件电导率怎么求

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霍尔元件电导率怎么求

3，霍尔效应中的载流子浓度的单位是什么要国际单位

单位是个/每立方米，或者写成 /m?0?6，（其中m?0?6可以换成立方厘米)

霍尔效应中的载流子浓度的单位是什么要国际单位

4，本征载流子浓度ni是多少

本征载流子浓度ni= 1.5×1010 cm N=5e4 cm-3 。本征载流子浓度（Intrinsic carrier concentration）为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，常用值为300K时的浓度值。本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高；与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。所谓本征载流子就是物质本身所固有的，而不是添加剂或者杂质引起的电流载体。当体系主要由电子引起电导时，本征载流子就是空穴和电子，即空穴和电子都可以充当电流的载体。当然电子和空穴有时起相当的作用，有时则不一定。例如在n型半导体中电子就占据主导作用，体系中电子浓度和迁移率会更高；有些体系则更多地依赖于空穴，此时空穴的浓度和迁移率会更高些，如p型半导体。本征载流子的总浓度则是本征空穴浓度与本征电子浓度之和。如果体系电导由离子引起，则本征载流子就是正离子和负离子。同样，在不同的场合下，正负离子所起的作用是不同的。本征载流子的浓度等于本征正负离子浓度之和。

5，硅和锗在T400K时热平衡载流子浓度各是多少

硅3300。273和锗4250。323

6，电导率公式是什么

电导率 = （霍尔片长L*工作电流Is）/（电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d）。在实验仪器上，标注有霍尔片的规格，直接代入公式就行，注意单位的统一。霍尔系数Rh＝U*d/IB，U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件du厚度，单位为μm，I为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T。载流子浓度n＝1/|Rh|。迁移率＝Kh*(L/l)*(I/U )。L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。Kh为霍尔元件灵敏度，Kh＝U/IB, U为霍尔电压，I为工作电流，B为磁场强度。影响因素：1、温度电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的升高而减小。半导体的电导率随着温度的升高而增加。在一段温度值域内，电导率可以被近似为与温度成正比。为了要比较物质在不同温度状况的电导率，必须设定一个共同的参考温度。电导率与温度的相关性，时常可以表达为，电导率对上温度线图的斜率。2、掺杂程度固态半导体的掺杂程度会造成电导率很大的变化。增加掺杂程度会造成电导率增高。水溶液的电导率高低相依于其内含溶质盐的浓度，或其它会分解为电解质的化学杂质。水样本的电导率是测量水的含盐成分、含离子成分、含杂质成分等等的重要指标。水越纯净，电导率越低（电阻率越高）。水的电导率时常以电导系数来纪录；电导系数是水在25°C温度的电导率。

7，t400k时锗的本征载流子浓度值是多少最好告诉哪有表格可查找

t=400k时,锗的本征载流子浓度值是1.624*10^15 cmˉ3

我不会~~~但还是要微笑~~~：）

8，计算已知Si中本征载流子ni 15 x 1010 cm3Si原子密度为5 x 1022

Si原子密度为5 x 1022/cm3，每百万个Si原子掺入1个磷原子，则掺杂浓度为5 x 1016/cm3，则多数载流子与掺杂磷原子数相当，所以多数载流子为5 x 1016/cm3。少数载流子浓度为4.5x103 /cm3。

没看懂什么意思？

9，如何测量半导体材料的载流子浓度

半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷

你看看有关霍尔效应的实验吧，霍尔效应测磁场的实验中就有计算半导体的载流子浓度n=γ(h)/[|r(h)|*e]=γ(h)/[|k(h)*d|*e];γ(h)表示霍尔因子，一般为3π/8=1.18;r(h)霍尔系数；k(h)霍尔元件灵敏度；

10，空气电离后的电阻率是多少

理论上：电阻率ρ=1/（载流子浓度n * 载流子迁移率μ * 电子电荷e）。其中n 包括电子和正离子的浓度。假如在正常（温度和位置）情况下单位体积内的空气成分可知，并且可以电离的数量可知，则n 就可知；μ 由多种散射因数确定。在此主要是未电离气体分子的散射，载流子散射和强电场下的载流子散射......比较复杂，没有准确的数据可循；e 是常量。所以，理论上计算还是比较困难。实验上：1- 用绝缘材料做一个已知体积的矩形空间，比如长、宽、高是：a、b、c。其中长(a)方向的两个相对面的内表面用金属材料做成电极(面积=b*c)；2- 在空间中装入空气，在电极上加高压直到空气电离；3- 这时测出高压的数值V，以及高压回路的电流I ；4- 用公式：ρ = （V * b* c）/(I * a) 可算出电阻率。重复以上的2- 、3-、 4- ，可以得到不同高压下的电阻率。（供讨论而已）