怎么测mos的耐压是多少v，场效应管MOS反向耐压怎么看

1，场效应管MOS反向耐压怎么看

1.不叫内部稳压二极管是体二极管，从S至D就是一个正的PN结原则上耐压比较小，1V左右。看规格书里就是VSD的参数2.过大的反向电流会烧毁吗? 会的，就是体二极管的电流参数，规格书里看IS

场效应管MOS反向耐压怎么看

2，如何测试功率mos管漏源反向耐压

你用示波器（最好是数字示波器）观察通过MOS管的电流最大尖峰流量有多少，就按照这个参数来选择管子，比较可靠。你最大电流通过5A，这个是个平均值，不是峰值。我建议至少选择10A以上的MOS管。

如何测试功率mos管漏源反向耐压

3，典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。扩展资料：MOS管其发热情况有以下三点：1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。参考资料来源：百度百科-阈值电压百度百科-mos管

典型MOS管的阈值电压是多少