ikw40n120t2损耗是多少，谁知道IGBT IKW25N120T2的功率是多少

来源：整理时间：2024-01-14 10:43:53 编辑：亚灵电子网手机版

1，谁知道IGBT IKW25N120T2的功率是多少

电压1200V电流25A，一般用在3.7KW的变频器中。

谁知道IGBT IKW25N120T2的功率是多少

2，MOS管40N120ASEMI的开关损失怎么计算

MOS管开关损失怎么看：不管是NMOS还是PMOS，导通后都有一个导通电阻，所以当DS之间有电流流动时，两端都会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，消耗的这部分能量称为导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会降低导通损耗。 MOS在开启和关闭时，一定不是瞬间完成。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。一般来说，开关损耗远大于导通损耗，开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积越大，由此产生的损耗也很大。减少开关时间可以减少每次导通时的损耗；降低开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以降低开关损耗。

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3，哪位大侠帮忙提供英飞凌IGBTFF200R33KF2CFF400R33KF2CFZ

你好,英飞凌IGBT 全系列现货 IKW50N60T FF75R12RT4FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF75R12RT4UC3846N FGW40N120HD FGL40N120AND IKW50N60T IKW50N60H3 IKW25N120T2/h3IKW20N60T IKW30N60H3 SKW30N60HSIKW40N120T2 IKW40N120H3 IKW40T120IDP45E60 IDW75E60 IDW100E60 IHW20N120R2 IHW30N120R2只有原装,只做原装

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4，k40t1202和fgl40n120这两个igbt都是参数一样吗为什么体积大小不一

参数不一样，因为电压支持不同，所以粗细规格也不同。40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。扩展资料IGBT工作方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率。因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。参考资料：百度百科——IGBT

5，电磁炉功率管H20R1203用什么管子代换

用2908管子代替1203管用不能用

FGA25N120ANTD 1KW25T120

h20r1203可代用管：25n120、25t120、h20r1202、25n150d、phgw1220、ihw20n120r3、 ihw30n120r2、 ihw30n160r2 、ikw40n120t2、ikw40n120h3、 ikw20n60t ikw30n60h3、ikw50n60h3、ikw50n60t、ikw75n60t、idp45e60、idw75e60 idw100e60提示：如果功率管烧坏，有可能桥整流和升压电容也被烧坏，这两个东西没修好之前换上功率管还会烧坏，如果没有维修经验的话还是送修。

6，电磁炉功率管H20R1203用什么代换

H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。一般IGBT有三个电极, 分别称为栅极G、集电极C及发射极E。扩展资料：在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。参考资料来源：百度百科——IGBT

7，怎样判断ff400r33kf2c的好坏

对不熟悉的块子判断好坏，我的方法就是用万用表二极管档（通断、蜂鸣档）分别量三个管脚，及对地情况，然后和另外好的块子比较！

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8，MOSFET真假

应该都是真的,2个封装地,右边的应该是中国封装的,参考这样不能100%确定你好,英飞凌IGBT 全系列现货 IKW50N60T FF75R12RT4FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF75R12RT4UC3846N FGW40N120HD FGL40N120AND IKW50N60T IKW50N60H3 IKW25N120T2/h3IKW20N60T IKW30N60H3 SKW30N60HSIKW40N120T2 IKW40N120H3 IKW40T120IDP45E60 IDW75E60 IDW100E60 IHW20N120R2 IHW30N120R2只有原装,只做原装

这得问你的供应商了。这样看看不出来的。再看看别人怎么说的。

9，MOSFET AO3442是耗尽型还是增强型单单看数据表规格书怎么看

要看资料,这个型号不熟悉,英飞凌IGBT 全系列现货 FF75R12RT4FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF75R12RT4UC3846N FGW40N120HD FGL40N120AND IKW50N60T IKW50N60H3 IKW25N120T2/h3IKW20N60T IKW30N60H3 SKW30N60HSIKW40N120T2 IKW40N120H3 IKW40T120IDP45E60 IDW75E60 IDW100E60 IHW20N120R2 IHW30N120R2只有原装,只做原装

你好！MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。AO3422我认为是N沟道增强型，单从规格书上是看不出来的，需要问生产厂家。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

10，电磁炉功率管H20R1203用什么代换

H20R1203可代用管：25N120、25T120、H20R1202、25N150D、PHGW1220、IHW20N120R3、 IHW30N120R2、 IHW30N160R2 、IKW40N120T2、IKW40N120H3、 IKW20N60T IKW30N60H3、IKW50N60H3、IKW50N60T、IKW75N60T、IDP45E60、IDW75E60 IDW100E60提示：如果功率管烧坏，有可能桥整流和升压电容也被烧坏，这两个东西没修好之前换上功率管还会烧坏，如果没有维修经验的话还是送修。

电磁炉功率管你可以买到的

h20r1203参数:1200v20a1.48ⅴh20r1353参数:1350ⅴ20a1.6ⅴh20r1353可以用h20r1203代换，但有点勉强。

H20R1202, 25N150D 等等