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y2电容绝缘电阻是多少,电力电容器绝缘电阻不小于多少

来源:整理 时间:2023-10-10 11:26:42 编辑:亚灵电子网 手机版

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1,电力电容器绝缘电阻不小于多少

对于开关、插座绝缘电阻应该在5MΩ以上 。仅供参考

电力电容器绝缘电阻不小于多少

2,y1电容和y2电容的区别

一、来源: 耐d 电压和脚距不同Y1额定电压是AC 耐压可以达到AC;Y1的脚距通常都是10mm;Y2 额定电压为AC 耐压可以达到AC;Y2的脚距通常都是7.5mm;二、绝缘类型不同Y1属于双重绝缘或者说加强绝缘;Y2属于基本绝缘或附加绝缘;三、使用场合不同Y1电容用于跨接一二次侧;Y2电容用于跨接一次侧对保护大地即FG线;备注:FG即大地。四、体积不同容量相同的情况下,Y1电容体积要比Y2电容适当大一点。至于Y电容的表示方法,则基本上差不多,常见的有:Y1 MACY1 MACY1 MACY2 MACY2 MACY2 MAC参考文章:

y1电容和y2电容的区别

3,请问Y2电容392M是多少PF

392M=3900PF属于Y5V,望采纳
2200pf,望采纳!

请问Y2电容392M是多少PF

4,瓷片电容跟Y2电容有什么区别

Y2电容是安规电容的一种,虽然同样是磁片电容,普通的瓷片电容不需要考虑安全规范安规电容是指电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。包括X电容和Y电容两种类型,x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,一般选用金属薄膜电容;Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现。基于漏电流的限制,Y电容值不能太大,一般X电容是uF级,Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰,Y电容抑制共模干扰。Y电容底下又分为Y1, Y2, Y3,Y4,主要差别在于:1. Y1 额定电压≤500VAC,峰值电压等于8 kV,实验电压4000VAC2. Y2额定电压≥150VAC,≤500VAC,峰值电压等于5 kV,实验电压1500VAC,

5,两个472M 10KV的电容器并联 两极之间绝缘电阻应该是多少

在击穿之前,电容的绝缘电阻应该是无穷大。但是用一般的摇表是测不准的,因为输出是交流,会流过电容,这时显示值很低,与电容的容量有关,容量越大,越低。其实这时候测量的容抗值。电容没有必要测电阻。要检测耐压,必须使用专用的电容耐压测试仪。
测量绝缘电阻应该使用兆欧表,两个12KV4.7微法电容并联绝缘电阻应该在20兆欧以上。再看看别人怎么说的。

6,电容的型号30表示什么意思

表示30PF。1) 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成: 第一部分:用字母表示名称,电容器为C。 第二部分:用字母表示材料。 第三部分:用数字表示分类。 第四部分:用数字表示序号。 2) 电容的标志方法: (1) 直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2) 文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻 的表示方法相同。小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF。 (3) 色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V15)安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全. 安规电容安全等级 应用中允许的峰值脉冲电压 过电压等级(IEC664) X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV ——16)安规电容安全等级 绝缘类型 额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘 ≥ 250V Y2 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150VY电容的电容量必须受到限制,从而达到控制在额定频率及额定电压作用下,流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电 容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外,还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量,避免在极端恶劣环境条件下出现 击穿短路现象,Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义安规电容的参数选择 X电容,聚苯乙烯(薄膜乙烯)电容,从上面的贴子里也可以看到,聚苯乙烯 的耐电压较高,适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算:一般两级X电容,前一级用0.47uF,第二基用0.1uF;单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。(电容容量的大小 和电源的功率无直接关系)电容的型号命名: 1) 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成: 第一部分:用字母表示名称,电容器为C。 第二部分:用字母表示材料。 第三部分:用数字表示分类。 第四部分:用数字表示序号。 2) 电容的标志方法: (1) 直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2) 文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻 的表示方法相同。小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF。 (3) 色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V(4) 进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成。 第一项:用字母表示类别: 第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示: 序号 字母 颜色 温度系数 允许偏差 字母 颜色 温度系数 允许偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470 4 G ±30 U 紫 -750 5 H 棕 -30 ±60 V -1000 6 J ±120 W -1500 7 K ±250 X -2200 8 L 红 -80 ±500 Y -3300 9 M ±1000 Z -4700 10 N ±2500 SL +350~-1000 11 P 橙 -150 YN -800~-5800 备注:温度系数的单位10e -6/℃;允许偏差是 % 。第四项:用数字和字母表示耐压,字母代表有效数值,数字代表被乘数的10的幂。 第五项:标称容量,用三位数字表示,前两位为有效数值,第三为是10的幂。当有小数时,用R或P表示。普通电容器的单位是pF,电解电容器的单位是uF。 第六项:允许偏差。用一个字母表示,意义和国产电容器的相同。 也有用色标法的,意义和国产电容器的标志方法相同。 3. 电容的主要特性参数: (1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级:I级±5%,II级±10%,III级±20%。在有些情况下,还有0级,误差为±20%。 精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。 常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±0.5%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。 (2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。 (3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。 (4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。 (6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而 增加。另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。所有这些,使得电容 器的使用频率受到限制。 不同品种的电容器,最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ ① 铝电解电容与钽电解电容 铝电解电容的容体比较大,串联电阻较大,感抗较大,对温度敏感。它适用于温度变化不大、工作频率不高(不高于25kHz)的场合,可用于低频滤波。铝电解电容具有极性,安装时必须保证正确的极性,否则有爆炸的危险。 与铝电解电容相比,钽电解电容在串联电阻、感抗、对温度的稳定性等方面都有明显的优势。但是,它的工作电压较低。 ② 纸介电容和聚酯薄膜电容 其容体比较小,串联电阻小,感抗值较大。它适用于电容量不大、工作频率不高(如1MHz以下)的场合,可用于低频滤波和旁路。使用管型纸介电容器或聚酯薄膜电容器时,可把其外壳与参考地相连,以使其外壳能起到屏蔽的作用而减少电场耦合的影响。 ③ 云母和陶瓷电容 其容体比很小,串联电阻小,电感值小,频率/容量特性稳定。它适用于电容量小、工作频率高(频率可达500MHz)的场合,用于高频滤波、旁路、去耦。但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱,因此不能将它随便跨接在低阻电源线上,除非是特殊设计的。 ④ 聚苯乙烯电容器 其串联电阻小,电感值小,电容量相对时间、温度、电压很稳定。它适用于要求频率稳定性高的场合,可用于高频滤波、旁路、去耦。常用电容命名方法:我们常用的电容有: 1、 电介电容:多数在 1 μ F 以上,直接用数字表示。如: 4.7 μ F 、 100 μ F 、 220 μ F 等等。这种电容的两极有正负之分,长脚是正极。 2、 瓷片电容:多数在 1 μ F 以下,直接用数字表示。如: 10 、 22 、 0.047 、 0.1 等等,这里要注意的是单位。凡用整数表示的,单位默认 pF ;凡用小数表示的,单位默认 μ F 。如以上例子中,分别是 10P 、 22P 、 0.047 μ F 、 220 μ F 等。 现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法(单位默认 pF ): 如:“ 473 ”即 47 000 pF=0.047 μ F “ 103 ”即 10 000 pF=0.01 μ F 等等 “ XXX” 第一、二个数字是有效数字,第三个数字代表后面添加 0 的个数。这种表示法已经相当普遍

7,什么是电容绝缘电阻介电强度介电常数

答:绝缘电阻是衡量介质绝缘性能好坏的物理量由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体,它的电阻不是无限大,而是一个有限的数值.它在数值L等于介质所其有的电阻值,单位是MΩ,一般在1 000MΩ以上。人们把电流达到泄漏电流时的电阻值叫做绝缘电阻或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小.漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗这种损耗不仅影响电容的寿命,而且会影响电路的工作口因此,漏电电阻越大越好。介电强度是材料抗高电压而不产生介电击穿能力的量度.将试样放置在电极之间,井通过一系列的步骤升高所施加的电压直到发生介电击穿、以此测量介电强度尽管所得的结果是以kV/㎜为单位的,但并不表明与试样的厚度无关。因此,只有在试样厚度相同的条件下得到各种材料的数据才有可比性。介电强度应该说的是一个绝缘物体最高能承受的电压有多高。如果超过这个值,邢么就会出现击穿了。介电常数用于衡量绝缘体储存电能的性能。它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度,也就是对电荷的束缚能力.介电常数越大,对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响.同一种介质,影响相同。介质不同,介电常数不同。
搜一下:什么是电容绝缘电阻、介电强度、介电常数?

8,高压瓷片电容器的绝缘电阻是多少

高压瓷片电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降,在低温(-55℃)到高温(125℃)的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程测量瓷片电容器绝缘电阻的时需要重点考虑绝缘电阻与电容量的关系电容量值与绝缘电阻成反比,即电容量越高,绝缘电阻越低这是因为电容量与漏电流大小是相互成正比的,可以用欧姆定律和比体积电容关系加以说明欧姆定律表述了导体中电流(I),电压(V)和电阻(R)之间的关系:I=V/R但是,电阻(R)是一个与尺寸有关的物理量,也与材料本征的电阻率有关,如下所示:R=ρL/A这里L=导体长度A=导体横截面积因此电流(I)可以表示为:I=VA/ρL高压瓷片电容器中通过绝缘体的漏电流(i)也可用上述关系式表示:I=VA/ρt,这里V=测试电压A=有效电极面积ρ=介质电阻率t=介质层厚度从上面关系式可以看到,对于给定的测试电压,漏电流大小正比于电容器有效电极面积,反比于介质层厚度(和电阻率),即:i∝A/t类似地,电容量(C)正比于有效电极面积,反比于介质层厚度,即:C=KA/4.452t(这里K=介电常数A=有效电极面积t=介质层厚度)因此C∝A/t以及i∝C漏电流(i)与绝缘电阻成反比,即:IR∝1/C基于上述关系,可以归纳出以下几点:1.绝缘电阻是测试电压的函数,漏电流正比于外加电压:i=VA/ρt或IR=ρt/VA2.对于任意给定的电容器,绝缘电阻很大程度上依赖于介质材料本征的电阻率(ρ),也依赖于材料配方和测量时的温度3.电容器绝缘电阻(IR)的测量值与电容量成反比,也就是说,IR是电容量的函数,因此,工业应用中产品IR的最小标准是由电阻(R)和容量(C),(R×C),所决定的,如下表所示EIA标准要求产品在25℃时R×C超过1000欧姆-法拉(通常表示成1000兆欧-微法),在125℃时超过100欧姆-法拉瓷谷电子-高压瓷片电容器厂家,专业生产CG安规电容及高压瓷片电容器30年,生产的高压瓷片电容器规格型号多,全自动生产设备及检测设备在行业领先出货快,钻石品质本着安全的安规电容生产,为科技守护美好生活,更好的守护我们身边最爱的人的安全
电容器的直流绝缘电阻是无穷大,对直流有电阻那就是漏电

9,为什么绝缘电阻检测和Y电容有关

绝缘电阻测试的原理一、绝缘电阻测试原理;绝缘电阻测试是指在被测样品加以一直流电压U,通过检测加压后所产生的电流I,再由R=U/I,得到绝缘电阻其原理如下图上图的I有三部分电流构成,即泄漏电流、电容电流、吸收电流如下图泄漏电流I1:这部分电流时由于介质本身电导引起的,其电流值是恒定不变的;电容电流I2:这部分电流是由于介质的电容效应产生的,当对被测样品加压时,介质内部发生快速极化,相当于对电容充电产生的电流;其是瞬时存在的,衰减速度快吸收电流I3:这部分电流是由于介质内部发生缓慢极化所产生的电流;其随着时间的推移而衰减图2是介质绝缘电阻等值电路图,图中I为实测电流,有图可得出,绝缘电阻R在开始是随时间衰减,当达I3=0及介质内部极化反应结束时,绝缘电阻趋于平衡,即此时的电阻为介质的泄漏电阻由此可以看出,对于正在运行的设备来说,I2、I3在达到平衡状态后期值为零,此时流过绝缘介质的电流只有泄漏电流I1,由此可以看出泄漏电流的大小是决定设备绝缘水平好坏关键因素R=U/I1即为我们所测的绝缘电阻R的大小取决于设备绝缘介质的好坏,介质老化、受潮、灰尘、裂缝等因素决定了泄漏电流I1的大小,即绝缘电阻的大小,其先随时间的推移而逐步增大,只到达到一固定值二、吸收比与极化指数1、吸收比:为60S绝缘电阻(R60)与15S绝缘电阻(R15)的比值,中小型变压器的吸收现象要弱些,根据吸收比的变化可以判断绝缘的状况,吸收比K=R60/R15由于其是绝缘介质的电容效用引起的阻值变化,由电容值计算公式:C=(εS)/(4kπd)其中:ε为介电常数,S为电容器板面积,K为常数,D为两板距离可得:介电常数ε越大,电容值就越大,而介电常数的大小与介质的绝缘性能有关,绝缘性能越好介电常数越大为什么说为什么绝缘电阻检测和Y电容有关呢?是因为Y电容和外壳有连接,检测绝缘电阻仪器会输出交流电压去检测,这样Y电容就导通了以上关于缘电阻检测和Y电容知识来自东莞市瓷谷电子有限公司研发部提供,更多关于资讯大家可移步至网站中瓷谷资讯中获取瓷谷电子-30年专注高压瓷片电容,Y电容及陶瓷电容的研发生产销售,生产安规电容系列规格型号齐全产品外观小巧,精莹剔透,粉涂均匀,我们还可以为客人需求订制观型尺寸公司所有产品均获得各工业国安规认证,为满足客户需求都有生产编带高压瓷片电容,公司的设备也是全自动生产设备及检测设备,出货快,钻石品质是合法安规电容生产企业,本着安全的安规电容生产,为科技守护美好生活,更好的守护我们身边最爱的人的安全

10,贴片电容的绝缘电阻值1G 多少ohm

江门三巨(专业中高压贴片电容、贴片压敏电阻)的回答: 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能的电子。对于陶瓷介质,其电子被离子键和共价键牢牢束缚住,理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率是有限,并非无穷大,这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 在氧化物陶瓷中,如钛酸盐,通过缺陷化学计量,也就是阴、阳离子电荷不平衡可以推断出电荷载流子的存在以及材料晶体结构中有空缺位置(空位)和填隙离子。例如,一个Al3+阳离子取代一个Ti4+的位置,产生一个净负电荷。同样,如果氧离子与其他离子的比例不足以维持理想的化学价,也会产生一个净正电荷。后面这种情况在低氧分压烧结和“还原”烧结条件下非常容易出现,剧烈的还原将会使钛酸盐的电阻率降低,显示出半导体性质。 填隙离子的出现是由于离子具有一定的随机性,这种性与温度有关;温度升高能使离子获得更大的热能以克服能垒的作用,离子扩散程度加剧。在外加电场作用下,扩散不再是随机的,而是沿着电场电位梯度方向,从而产生漏电流。 因此,片式电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度。所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降,在低温(-55℃)到高温(℃)的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程。 测量电容器绝缘电阻的时候需要重点考虑的是绝缘电阻与电容量的关系。电容量值与绝缘电阻成反比,即电容量越高,绝缘电阻越低。这是因为电容量与漏电流大小是相互成正比的,可以用欧姆定律和比体积电容关系加以说明。欧姆定律表述了导体中电流(I),电压()和电阻(R)之间的关系: I = /R 但是,电阻(R)是一个与尺寸有关的物理量,也与材料本征的电阻率有关,如下所示: R = ρL/A 这里 L = 导体长度 A = 导体横截 因此电流(I)可以表示为: I = A/ρL 考虑到陶瓷电容器中通过绝缘体的漏电流(i)也可用上述关系式表示:I = A/ρt ,这里 = 测试电压 A = 有效电极ρ= 介质电阻率 t = 介质层厚度 从上面关系式可以看到,对于给定的测试电压,漏电流大小正比于电容器有效电极,反比于介质层厚度(和电阻率),即:i ∝ A/t 类似地,电容量(C)正比于有效电极,反比于介质层厚度,即:C = KA/4.t 这里 K = 介电常数 A = 有效电极 t = 介质层厚度 因此 C ∝ A/t 以及 i ∝ C 漏电流(i)与绝缘电阻成反比,即:IR ∝ 1/C 基于上述关系,可以归纳出以下几点: 1. 绝缘电阻是测试电压的函数,漏电流正比于外加电压:i = A/ρt 或 IR =ρt/A (b) 对于任意给定的电容器,绝缘电阻很大程度上依赖于介质材料本征的电阻率(ρ),也依赖于材料配方和测量时的温度。 (c) 电容器绝缘电阻(IR)的测量值与电容量成反比,也就是说,IR是电容量的函数,因此,工业应用中产品IR的最小标准是由电阻(R)和容量(C),(R×C),所决定的,如下表所示。EIA标准要求产品在25℃时R×C超过欧姆-法拉(通常表示成兆欧-微法),在℃时超过欧姆-法拉。 通常,电介质具有很高的电阻值,测量时往往用10的高次方倍欧姆表示: 1 太欧(TΩ)= 10E+12欧姆 1 吉欧(GΩ)= 10E+9欧姆 1 兆欧(MΩ)= 10E+6欧姆 除了材料和尺寸外,还有其他一些物理因素会对电容器的绝缘电阻产生影响。 (a) 表面电阻率:由于表面吸收了杂质和水分,因此介质表面电阻率与体电阻率不一致。 (b) 缺陷:介质是由多晶体陶瓷聚合体所组成,其微观结构中存在的晶界和气孔总会降低材料的本征电阻率。从统计学角度来说,这些物理缺陷出现的几率与元件体积以及结构复杂程度是成正比的。因此,对于尺寸更大,电极更大,电极层数越多的元件来说,其电阻率和绝缘强度均低于小尺寸元件。硬之城上面应该有这个型号,可以去看看有没有教程之类的,不行的话就请教下客服最直接了一对一解决问题。
1GΩ=1000KΩ=1000000Ω(欧姆)
江门三巨(专业中高压贴片电容、贴片压敏电阻)的回答: 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能的电子。对于陶瓷介质,其电子被离子键和共价键牢牢束缚住,理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率是有限,并非无穷大,这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 在氧化物陶瓷中,如钛酸盐,通过缺陷化学计量,也就是阴、阳离子电荷不平衡可以推断出电荷载流子的存在以及材料晶体结构中有空缺位置(空位)和填隙离子。例如,一个Al3+阳离子取代一个Ti4+的位置,产生一个净负电荷。同样,如果氧离子与其他离子的比例不足以维持理想的化学价,也会产生一个净正电荷。后面这种情况在低氧分压烧结和“还原”烧结条件下非常容易出现,剧烈的还原将会使钛酸盐的电阻率降低,显示出半导体性质。 填隙离子的出现是由于离子具有一定的随机性,这种性与温度有关;温度升高能使离子获得更大的热能以克服能垒的作用,离子扩散程度加剧。在外加电场作用下,扩散不再是随机的,而是沿着电场电位梯度方向,从而产生漏电流。 因此,片式电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度。所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降,在低温(-55℃)到高温(℃)的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程。
文章TAG:y2电容绝缘电阻是多少电容绝缘绝缘电阻

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