mos场管s极工作电压多少，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

来源：整理时间：2023-03-26 08:48:15 编辑：亚灵电子网手机版

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1，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏
2，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏
3，关于场效应管Vgs和Vds电压的问题
4，mos管vds电压怎么计算
5，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少
6，高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V
7，这个场管的电压正常是多少
8，mos 开启电压 08v吗

1，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

2，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏. MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的,会击穿.

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

3，关于场效应管Vgs和Vds电压的问题

是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。

关于场效应管Vgs和Vds电压的问题

4，mos管vds电压怎么计算

mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=10.3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞10.3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。Vds是场效应管漏极和源极间的电压，Vgs是栅极与源极间电压，指的是电压值不存在加减关系和电流方向。场效应管Vgs和Vds电压问题说明：MOS管的时候记得是G极电压，D极电压，S极电压这样叫。我知道电压是指电路之间的电位差，但弄不明白Vds是指D极电压减去S极电压的值，还是Vds只表明了电压或电流的方向。电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。

5，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。

大约1.2v。。。。。。。。。。

从电路上看，大概11V左右。

6，高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V

1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。扩展资料：MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科—MOS管

7，这个场管的电压正常是多少

主供电VIN正常不，二是MOS管老化，这个问题最容易出现，三是，芯片本身问题。

还有，量下R917阻值正常不？

查R914 R917 R918 R919 Q903.Q903漏极电压（295V-315V)。源极0V(一般维修用的表量）。栅极1.5V-2.1V（根据线路设计而定。看你线路结构有可能是1.5V）。这样你该知道偏小的原因了。漏极偏小问题肯定在整流滤波部分。栅极偏小肯定先查R914 、R917、R918如果这几个都好的话再查R919是否变大。如都好就直接换掉SG6841。SG6841的工作电压是直接接315V所以坏的可能性较大。上述是不考虑你的负载过重因SG6841有过流过压保护功能。5脚过压、6脚过流。R914异常也会导致过压保护误动作引起输出电压过低。建议换掉SG6841.

8，mos 开启电压 08v吗

各种MOSFET多了去了，不同种类不同工艺的开启电压都不一样。一般来说特征尺寸越小的工艺开启电压越低，例如65nm的管子开启电压只有大约0.3~0.4V。0.8V的开启电压大概是0.5um工艺以上了。（对于IC，分立元件还不一定）具体使用的时候必须先看说明文档。

根据功率，和其他要求，开启电压也有所不同，一般是0.3V到3v左右

你好！各种MOSFET多了去了，不同种类不同工艺的开启电压都不一样。一般来说特征尺寸越小的工艺开启电压越低，例如65nm的管子开启电压只有大约0.3~0.4V。0.8V的开启电压大概是0.5um工艺以上了。（对于IC，分立元件还不一定）具体使用的时候必须先看说明文档。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

管子不同门槛电压不同，我用过的一般最小2V,还是大点好，否则管子内诅很大

是根据工作电压的0.3

不是，一般在2v左右，详细的建议查看具体datasheet

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1，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

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3，关于场效应管Vgs和Vds电压的问题

4，mos管vds电压怎么计算

5，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

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5，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

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