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407芯片有多少管脚,stm32f407v与stm32f407zg的区别

来源:整理 时间:2023-08-22 00:21:12 编辑:亚灵电子网 手机版

1,stm32f407v与stm32f407zg的区别

405 = STM32F40xxx, connectivity407= STM32F40xxx, connectivity, camera interface, Ethernet R = 64 pins O = 90 pinsV = 100 pins Z = 144 pins I = 176 pins E = 512 Kbytes of Flash memoryG= 1024 Kbytes of Flash memory407VG、407VE 和407zg 主要是管脚数量,内存不同,对应到gpio/adc通道数会有不同。

stm32f407v与stm32f407zg的区别

2,stm32f407igt6单片机的引脚间距

个引脚按引脚功能大致可分为4个种类:电源、时钟、控制和I/O引脚。⒈ 电源: ⑴ VCC - 芯片电源,接+5V;⑵ VSS - 接地端;注:用万用表测试单片机引脚电流一般为0v或者5v,这是标准的TTL电平,但有时候在单片机程序正在工作时候测试结果并不是这个值而是介于0v-5v之间,其实这之是万用表反映没这么快而已,在某一个瞬间单片机引脚电流还是保持在0v或者5v的。⒉ 时钟:XTAL1、XTAL2 - 晶体振荡电路反相输入端和输出端。⒊ 控制线:控制线共有4根, ⑴ ALE/PROG:地址锁存允许/片内EPROM编程脉冲 ① ALE功能:用来锁存P0口送出的低8位地址 ② PROG功能:片内有EPROM的芯片,在EPROM编程期间,此引脚输入编程脉冲。 ⑵ PSEN:外ROM读选通信号。 ⑶ RST/VPD:复位/备用电源。 ① RST(Reset)功能:复位信号输入端。 ② VPD功能:在Vcc掉电情况下,接备用电源。 ⑷ EA/Vpp:内外ROM选择/片内EPROM编程电源。 ① EA功能:内外ROM选择端。 ② Vpp功能:片内有EPROM的芯片,在EPROM编程期间,施加编程电源Vpp。⒋ I/O线 80C51共有4个8位并行I/O端口:P0、P1、P2、P3口,共32个引脚。P3口还具有第二功能,用于特殊信号输入输出和控制信号(属控制总线)。

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3,STM32F407了解的请介绍下这个芯片性能谢谢

STM32F4是由ST(意法半导体)开发的一种高性能微控制器。其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART(自适应实时存储器加速器,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?)。简介:ST(意法半导体)推出了以基于ARM&reg; Cortex?-M4为内核的STM32F4系列高性能微控制器,其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART(自适应实时存储器加速器,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?)。ART技术使得程序零等待执行,提升了程序执行的效率,将Cortext-M4的性能发挥到了极致,使得STM32 F4系列可达到210DMIPS@168MHz。自适应实时加速器能够完全释放Cortex-M4 内核的性能;当CPU 工作于所有允许的频率(≤168MHz)时,在闪存中运行的程序,可以达到相当于零等待周期的性能。STM32F4系列微控制器集成了单周期DSP指令和FPU(floating point unit,浮点单元),提升了计算能力,可以进行一些复杂的计算和控制。STM32 F4系列引脚和软件兼容于当前的STM32 F2系列产品。优点※兼容于STM32F2系列产品,便于ST的用户扩展或升级产品,而保持硬件的兼容能力。※集成了新的DSP和FPU指令,168MHz的高速性能使得数字信号控制器应用和快速的产品开发达到了新的水健L嵘刂扑惴ǖ闹葱兴俣群痛胄省?※先进技术和工艺- 存储器加速器:自适应实时加速器(ART Accelerator? )- 多重AHB总线矩阵和多通道DMA:支持程序执行和数据传输并行处理,数据传输速率非常快- 90nm工艺※高性能- 210DMIPS@168MHz- 由于采用了ST的ART加速器,程序从FLASH运行相当于0等待更多的存储器- 多达1MB FLASH (将来ST计划推出2MB FLASH的STM32F4)- 192Kb SRAM:128KB 在总线矩阵上,64KB在专为CPU使用的数据总线上高级外设与STM32F2兼容- USB OTG高速 480Mbit/s- IEEE1588, 以太网 MAC 10/100- PWM高速定时器:168MHz最大频率- 加密/哈希硬件处理器:32位随机数发生器(RNG)- 带有日历功能的32位RTC:<1 μA的实时时钟,1秒精度※更多的提升- 低电压:1.8V到3.6V VDD,在某些封装上,可降低至1.7V- 全双工I2S- 12位 ADC:0.41us转换/2.4Msps(7.2Msps在交替模式)- 高速USART,可达10.5Mbits/s- 高速SPI,可达37.5Mbits/s- Camera接口,可达54M字节/s

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