ttl和cmos电平各为多少，TTLCOMS电平怎么划分啊

1，TTLCOMS电平怎么划分啊

TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平高低电平由电源电压VCC决定高电平可达0.9VCC,低电平0.1VCC

TTLCOMS电平怎么划分啊

2，TTLCMOS的高低电平的典型值是多少两种类型电路的特点和区别是什么

1、ttl电平：输出高电平>2.4v,输出低电平<0.4v。在室温下，一般输出高电平是3.5v，输出低电平是0.2v。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0v，输入低电平<=0.8v，噪声容限是0.4v。cmos电平：逻辑高电平电压接近于电源电压，逻辑低电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。2、ttl和coms特点和区别在于：1）ttl电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2）ttl电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。coms电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。coms电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。3）coms电路的锁定效应：coms电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，coms的内部电流能达到40ma以上，很容易烧毁芯片。

TTLCMOS的高低电平的典型值是多少两种类型电路的特点和区别是什么

3，什么是TTL电平CMOS电平区别

1.CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路） 2.COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当 6.CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大7.通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。8.TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。希望采纳

什么是TTL电平CMOS电平区别