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mos管门极电压应该要多少,MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

来源:整理 时间:2023-02-27 08:57:10 编辑:亚灵电子网 手机版

1,MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

2,帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V,当Q92管子导通时,Q94是截止的,当Q92截止时,加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压,割切R097的电阻很小,可以忽略,所以MOS的门极电压是大约12V。

帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

3,用mos管组成的h桥门极电势要多大

24V/10A的电机用H桥驱动,每对桥臂的平均电流为5A,但电机启动时电流较大,要留3~4倍的余量,电机绕组有自感电动势,耐压也要留4~5倍,每对桥臂的两管是串联的,考虑到两管参数不一定一致,要因此MOS管要选用Id=≥20A、Vds=≥100V的。
虽然我很聪明,但这么说真的难到我了

用mos管组成的h桥门极电势要多大

4,mosfet的门极阀值电压是多少了

最小的有不足2V的,最高的有接近10V的。通常Vds高的管子门极阈值电压也高,Vds低的管子门极阈值电压也低。(无论什么型号的MOSFET阈值电压只能控制MOSFET导通,但这时压降很大。大约2倍的阈值电压可以使MOSFET深度饱和。)

5,帮我分析下这两个驱动mos管的电路门极电压是多少

DO_Carera为0时,Q192截止,Q193导通,Q100门极电压为0,Q100导通,Q101门极电压约为VDD12C,Q101导通;DO_Carera为3.3时,Q192导通,Q193截止,Q100门极电压为VDD12C,Q100截止,Q101门极电压为0,Q101截止。
你图上是双极性晶体管,按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1),右边,当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k),假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510),那么当v_do_carera=1v时,大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。

6,高压MOS和低压MOS是怎么区分的 高压的是多少V以上低压的最多是多少V

1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右,低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。扩展资料:MOS管这个器件有两个电极,分别是漏极D和源极S,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区,并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道(NPN型)增强型MOS管。 做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源:百度百科—MOS管

7,mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件, 也 就是说,前者是流控,后者是压控。
一般MOS管的饱和电压在10V,也有3-5V的,同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大,为了使MOS管的开关速度快和减少功耗,就要对栅极快速充放电,驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大,所以不需要类似的驱动电路了。
三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上,三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos,然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

8,帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V,当Q92管子导通时,Q94是截止的,当Q92截止时,加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压,割切R097的电阻很小,可以忽略,所以MOS的门极电压是大约12V。
你图上是双极性晶体管,按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1),右边,当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k),假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510),那么当v_do_carera=1v时,大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。
大约1.2v。。。。。。。。。。
从电路上看,大概11V左右。

9,帮我分析下这个mos管电路当DOCarera分别是0V和33V时候门极

电路中的三极管都是工作在饱和-截止状态,即开关状态。当DO_CAMERA为高即3.3V时,Q192导通,Q193集电极为高,Q100源极(下端)为低;反之,当DO_CAMERA为低即0V时,Q192截止,Q193集电极为低,Q100源极(下端)为高。Q193、Q100输出的高电平为12V;低电平是0V,即GND。当DO_CAMERA为高时,Q100门极的电压即Q193集电极的电压等于12V,Q101门极电压为低等于0V;当DO_CAMERA为低时,Q100门极的电压即Q193集电极的电压等于0V,Q101门极电压为高于12V。这里Q100的源极与漏极是对调使用的。
你好!电路中的三极管都是工作在饱和-截止状态,即开关状态。当DO_CAMERA为高即3.3V时,Q192导通,Q193集电极为高,Q100源极(下端)为低;反之,当DO_CAMERA为低即0V时,Q192截止,Q193集电极为低,Q100源极(下端)为高。Q193、Q100输出的高电平为12V;低电平是0V,即GND如果对你有帮助,望采纳。
Q100是什么型号?从图上看好像不能打通。
文章TAG:mos管门极电压应该要多少mos管电压应该

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