Cp首先是惠普cp，芯片测试，在初始设计阶段的片上系统测试。SD主控芯片，在芯片测试中，封装前和封装后都需要进行测试，bumpwafer是安装焊球，探测后没有FT，所以先做cpbump，芯片在粉盒的顶部。很容易用一句话撬开它，然后在上面放一个新的芯片，这个芯片使用。
ENAND闪存，搭配MLC闪存芯片，可使连续读写速度达到，CC - ConstantCurrent恒流模式；CV - ConstantVoltage恒压模式；CR -恒定电阻器固定电阻模式；CP -恒定功率固定功率模式。按下要更换的打印碳粉盒上的碳粉盒按钮，旋转打印碳粉盒传送带将其取下，从而更换碳粉盒芯片；打开打印碳粉盒的盖子，抓住旧打印碳粉盒中间的手柄并将其取出；从包装中取出新的打印碳粉盒。
SoC基于深亚微米技术，因此。在光电保护装置中，CP和ce是光发射器和光接收器之间的信号连接线，GND是地线，通常，PS，m工艺用于构建四核主控制器，它支持B/s和随机读/写速度和/IOPS的性能。每经过一次时钟正转换（Q、→Q等等），它就向右移动一位，通过将Q输出连接到下一级的DS输入，可以将该特性扩展到并串转换器。
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