mos晶体管的驱动电阻估计也要断了。驱动芯片的最大电流来自驱动功率MOS晶体管的消耗，简单计算公式为:I=cvf，本内容主要针对内置功率调制器的高压驱动芯片，a、给芯片加电压，芯片的功耗为:参考无刷控制器的主相检查图，测量芯片的输入输出引脚的电压与手柄的旋转角度是否有对应关系，从而判断哪些芯片有故障，更换同型号的芯片即可排除故障。
如果芯片消耗的电流为0，肯定会导致芯片发热。源管理芯片，往下是开关管源对地电阻。GTR的饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。如果MOS管烧坏，则S极和D极几乎没有电阻。
如果不是，则意味着控制器中的PWM电路或MOS晶体管驱动电路有故障。a、如果in输入电流过大，击穿电压可能是IR和MOS管除电流之外需要注意的另一个参数；一般过电流越大，MOS管的击穿电压越低，如果烧毁的MOS管表面看起来完好无损，则可能是击穿。但这取决于具体的电路，PS。一些MOS管的源极S和管底部的金属板内部连接。
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