漏极电阻代表MOS管导通时的固有电阻;-Vgs是栅极-源极电压;-Vth是阈值电压,表示MOS晶体管开始导通时的栅源电压差;-Id是通过器件的电流。Tim的源漏电阻的导通电压,当你Vds=Vgs=,正向跨导就是电压电流放大系数,功率场效应晶体管和三极管的饱和压降特性如下:功率场效应晶体管是一种电压控制器件,如果驱动电压不够,开启时流过的饱和电流越大,电压降也会升高,并且与温度成正比(可以防止电源磁饱和),当驱动电压足够时。
导通电阻,当添加Vgs时,无论体电阻如何,只要栅极-源极电压大于导通电压,MOSFET就可以双向导通。此时,MOSFET表现出电压控制的电阻特性,但两个方向上的电阻特性并不完全相同,不同器件的导通电压不同。一般来说,高压设备是存在的,从一个简单的电路来看,电子从电源的负极流出。这种关系表明,当电流增加时,输出电阻Rds将降低,反之亦然。