功率放大器电路被设计为主功率放大器，并且该电路是准互补的，具有低开环增益和低整体电路参数。直接耦合多级放大器电路分析:互补输出级的电路分析:集成运算放大器电路的工作原理及分析方法，一般认为，MOS集成电路因其低功耗和高集成度而适用于数字集成电路，双极集成电路适用于高速数字和模拟电路，这种结构可以与标准的NPN晶体管同时制造，这为实现双极互补电路创造了条件。
与由二极管组成的CCD不同，CMOS电路几乎没有静态功耗，只有在电路开启时才会有功耗。此外，由于功放板使用的散热器较小，电路工作在接近b类的状态，即使将最后的输出管更换为mos，仍然难以提高整机的听力。由这两种互补效应产生的电流可以被处理芯片记录并解释为图像。所有MOS集成电路（包括P沟道MOS、N沟道MOS和互补MOS-CMOS集成电路）都有一个绝缘栅极。
它在线性集成电路的发展中发挥了重要作用。为了改善MOS管的电特性，特别是耐压和电流，大多数功率MOSFET采用垂直导电结构，也称为v MOSFET（VerticalMOSFET，其具体工作原理为（见下图）:OFF:漏极和源极之间施加正电源，栅极和源极之间的电压为零。环形P型扩散区用作集电极。
