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vds-漏源极击穿电压,MOS管漏源击穿电压

来源:整理 时间:2025-02-19 17:13:51 编辑:亚灵电子 手机版

漏源击穿电压大于漏源电压极限值。漏源击穿电压BVDS: VDS当ID在增加漏源电压的过程中开始急剧增加时,称为漏源击穿电压,在mos管中,D代表漏极,S代表源极,Vds代表漏源电压,n沟道IGBT*集电极-发射极击穿电压:*集电极电流:*集电极脉冲电流:*耗散工作极性:n栅极-源极电压Vds:栅极-源极电压栅极-源极电压vgs: /-。

即漏极电流ID的变化与栅极-源极电压UGS的变化之比。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数,BVDS——漏源击穿电压指的是恒定的栅源电压UGS。这意味着漏极电流为,GM跨导,这意味着栅极-源极电压UGS——控制漏极电流ID的能力,也意味着器件达到导通状态时栅极(相对于源极)所需的电压。a处的电压。

文章TAG:漏源电压击穿电极Vds

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