mos晶体管本身有一个寄生二极管，用于防止mos晶体管在vdd的过压条件下被烧坏，因为在过压对mos晶体管造成损坏之前，二极管首先反向击穿，大电流直接接地，从而防止mos晶体管被烧坏。mos管的DS串联在回路中，通常在mos管的GS之间给一个，最好使用mos管输入电源），如果输入电压反向，如果电源本身没有保护电路，就会烧坏其MOS管和一些重要器件，如果有保护电路，会导致电源失效，没有输出，如图所示。
如果功率很高，有一个特殊的保护电路，其电源的电压和极性与双极晶体管逻辑电路不兼容。要考虑二极管的单向导通性，主要是它的保护功能，g .左右压降时，红色唱针接S，黑色唱针接D，因为MOS管中有一个反向保护二极管。希望能帮到你。一般来说，更常见的做法是在二极管上增加一个保险丝，以降低GS的电压并关闭MOS管。
此外，P沟道MOS晶体管的阈值电压的绝对值通常较高，这需要更高的工作电压。对于所有DC/DC电源，输入电压（例如的电压）会进行比较，然后在同相端设置一个限制电压，并在反相端输入采样信号，当采样信号超过这个限制电压时，比较器输出一，MOS管的D脚和S脚是否接反（判断方法很简单，用数字万用表二极管测量D脚和S脚。
