驱动芯片的选择需要考虑驱动电平和驱动电流的要求、短死区时间和芯片的保护功能。H桥电机驱动分析本文介绍如何利用半桥/全桥驱动芯片和MOS管构建H桥电机驱动电路，实现大电流电机的驱动控制，IR210x系列芯片是驱动半桥电路的专用芯片，自举电源通过外部二极管和电容获得，可以实现稳定的开关状态。
半桥驱动需要独立驱动上下桥的开关，通常采用高端和低端MOSFET的独立驱动电路。其中，H桥驱动电路包括半桥/全桥驱动芯片和MOS管。需要注意选择合适的MOS管和半桥驱动芯片，以及选择合适的控制信号来控制电机的转速和正反转。OMS管驱动电路干货mos管电路技术共享集成电路
MOS晶体管半桥驱动芯片的原理自举升压是一种通过对电容充电来获得更高电压的技术，可以使驱动MOS晶体管的G电极电压始终大于或等于Vgs（th），从而达到稳定的开关状态。第三代电力电子半导体SiCMOSFET:聚焦和高效的驱动方案本文介绍了SiC MOSFET的驱动方案，包括过流和过压保护措施，以及如何选择合适的驱动芯片。
BPD301BPD3011芯片的设计思想和应用本文介绍了MOS半桥驱动器的概念和一些常用的芯片，包括BPD3010和BPD301MOS半桥驱动器，它通常用于半桥电路拓扑结构中，包括两个功率MOSFET或IGBT开关，以控制电流流动。在自建H桥驱动电路时，需要选择合适的MOS晶体管和半桥驱动芯片，并注意MOS晶体管的漏极电流、栅源阈值电压和漏源导通电阻等参数。
高频驱动是其特点之一，适用于一些要求高频开关的应用，如DC-DC转换器。它采用先进的芯片贴装技术，可提高封装的散热性能，适用于车载DC-DC、车载空压机电控、光伏逆变器、电机驱动、UPS电源、开关电源等大功率、高效率转换应用场景，采用TO263-7L封装的n沟道MOSFET:实现更高的功率和高效率。威比VBsemi的VBL7601是一款N沟道MOSFET，具有出色的性能特性和工作原理。
