晶体外接匹配电容一般多少pf，急Y2电容822M是多少PF

本文目录一览

1，急Y2电容822M是多少PF
2，51单片机晶振上接的电容大小该如何选择
3，51单片机中与晶体振荡器相连的电容是多大
4，32768K125PF的SMD晶振一般匹配多大的外围电容我用12PF的外围电容
5，电容多少p多少nfuf
6，你好我想问下晶振两端的电容起什么作用为什么一般要选取几十pF的
7，电容1 SF 等於多少PF
8，石英晶振得负载电容多少PF
9，电容1F等于多少pf是不是10的12次方
10，你好我想问下晶振两端的电容起什么作用为什么一般要选取几

1，急Y2电容822M是多少PF

822M=8200PF属于Y5V，望采纳

2200pf，望采纳！

急Y2电容822M是多少PF

2，51单片机晶振上接的电容大小该如何选择

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。扩展资料：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃），采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用DTCXO只需要十几秒钟）。石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器。参考资料来源：百度百科--晶体振荡器

51单片机晶振上接的电容大小该如何选择

3，51单片机中与晶体振荡器相连的电容是多大

二三十pf

几千PF吧

一般用22P

51单片机中与晶体振荡器相连的电容是多大

4，32768K125PF的SMD晶振一般匹配多大的外围电容我用12PF的外围电容

晶振负载电容取值直接关系到调频的准确度。如果负载电容不够准确，那么买来的晶体准确度就会差，关于负载电容的计算方法即从晶体两端看进去电容的总和。（资料出自YXC扬兴官网）计算公式：晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd Cg)] Cic △C式中Cd，Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，Cic（集成电路内部电容） △C（PCB上电容）一般为3至5pf 1.匹配电容：负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。 2．负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。 3．一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。 4．负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。

5，电容多少p多少nfuf

1000pF = 1nF1000nF = 1 uF1F = 10^6uF

103p=10*10^3pf=10000pf=10nf=0.01uf如果不懂，请追问，祝学习愉快！

6，你好我想问下晶振两端的电容起什么作用为什么一般要选取几十pF的

个人积累的一些，希望对你有帮助。晶振电路中两端的电阻电容的作用：并联电阻的四大作用：1、配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；2、限流防止谐振器被过驱； 3、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；4、电阻取值影响波形的脉宽。两端电容的作用：这个是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。常见晶振异常：1. 晶振时振时不振------a:晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大；b:晶振本身有问题，寄生&阻抗值波动大&内部焊点不牢等。2. 晶振装板上不行，用电热风催一下或者拆下来重新装上去又可以了------主要是晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大。电热风催实际是相当于改变了线路的杂散电容。3. 晶振负载与晶振两端的电容的匹配-------CL=(C1*C2)/(C1+C2)+C” 其中CL:晶振的负载电容值； C1 C2：晶振两端的电容值；C”：线路杂散电容晶振的匹配电容的主要作用是匹配晶振和振荡电路，使电路易于启振并处于合理的激励态下，对频率也有一定的“微调”作用。对MCU，正确选择晶振的匹配电容，关键是微调晶体的激励状态，避免过激励或欠激励，前者使晶体容易老化影响使用寿命并导致振荡电路EMC特性变劣，而后者则不易启振，工作亦不稳定，所以正确地选择晶体匹配电容是很重要的

7，电容1 SF 等於多少PF

电容单位： 1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。

你好！电容的单位没有sF。如有疑问，请追问。

8，石英晶振得负载电容多少PF

将32768hz的晶振直接接到ds1302的x1，x2（2，3脚）就行了，不需要串联电容的，如果串联了反倒不起振了，因那是错误的用法。

晶振的负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总我外界有效电容，是指晶振要正常振荡所需要的，一般外接电容是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容！容值大有利于晶振的稳定，但将会增加起振的时间，通常负载电容的值越大对频率所产生的牵引越小。如果负载电容过小则可能造成振荡电路起振困难，同时使用小的负载电容时，电容值稍有变化时会造成频率产生较大的漂移。

一般可用10-47P任意一种规格。不用也可以，啥也不影响的。你试试就知道了。

9，电容1F等于多少pf是不是10的12次方

是的。1F=1000000μF=10^6μF 1μF=1000000pF=10^6pF

阻抗的基本单位是ω（欧姆），比较常用的还有mω（=0.001ω——10的负3次方）、kω（=1000ω——10的3次方）、mω（=1000000ω——10的6次方）等衍生单位；导纳的基本单位是s（西门子），导纳用于分析电路比较少，因此它的衍生单位更少见；电感的基本单位是h（亨利），比较常用的还有mh（=0.001h——10的负3次方）、μh（=0.000001h——10的负6次方）等衍生单位，电感一般不用大于h的单位；电容的基本单位是f（法拉），比较常用的还有μf（=0.000001h——10的负6次方）、nf（=0.000000001f——10的负9次方）、pf(=0.000000000001f——10的负12次方）等衍生单位，电容一般不用大于f的单位。

电容1F等于（1000000000000）pf；　　是10的12次方。

10，你好我想问下晶振两端的电容起什么作用为什么一般要选取几

有协助起振与稳定振荡的作用。一般频率高的会用较低的电容、频率低的会用较高的电容。电容过大会使信号衰减、并因吸收能量过大而抑制振汤。进一步理论可看讲晶体振荡电路的书籍 (英文关键字: Crystal Oscillator)、实用电路讲解可看各厂商的应用笔记 (晶振厂商、MCU 厂商的 Application Note, AppNote)等。