光耦导通时三极管电流为多少，光耦中流过三极管的电流单位是mAch这个单位是什么物理意义

来源：整理时间：2023-05-19 16:20:50 编辑：亚灵电子网手机版

1，光耦中流过三极管的电流单位是mAch这个单位是什么物理意义

这是复合光耦，即一片封装中有多个光耦单元的电流单位。表示每个通道即每个独立的光耦单元电流，ch是通道。

任务占坑

光耦中流过三极管的电流单位是mAch这个单位是什么物理意义

2，光耦TLP521

1、光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。限流20mA。输入电压减去二极管压降再除以20mA就是R1的阻值。2、R2是个纯粹的上拉电阻，只要和输出端的设备匹配并不会使光耦输出三极管电流过大即可，一般1K-100K都可以，具体选多少，要看另一段的设备需要多少电流。CTR是啥？我用了这么多年光耦没听说过，只听说过TCRT.只要你的光耦自身速度够，不用考虑。

光耦TLP521

3，光耦驱动三极管

我说下光耦有两种用法作为开关和作为线性使用，我们在电源中经常用线性光耦去反馈输出的变化量，这里你的转换比是多少呢，按照你现在5MA，假如你LAMP是5V，那么你IB （5-1.2）/1K=3MA,转换比150% 4.5MA 也就是说足够饱和了，另外你输入端光耦最好加点电路防止误触发，我们一般并个电阻

看来楼主的电子技术还是有点功底的,完全可以正常使用,相位也没倒,唯一提醒一点:D882是大功率管,用在5v这样的低电压处要注意饱和压降不能忽略的.

可以但要注意，本电路的电信号输入，输出的相位刚巧倒过来了，

1. 首先确定三极管c、e的击穿电压是否低于24v；2. 光耦的工作电流一般低于20ma，三极管的基极电流10几个ma就ok了，限流电阻阻值要合适。

光耦驱动三极管

4，关于光耦TLP521的问题

光耦中，传递系数是比较确定的，其他都与环境参数有关。例如，你说的VF，它是发射端LED在特定IF下的压降。如果你需要知道它的确切值（一般估算即可），必须先在设计中明确它的工作电流IF，然后在这个电流下测量它的VF。至于输出端的上拉电阻，跟Vceo关系很小，主要是考虑你后级的放大器输入阻抗如何。如果阻抗很高，这个上拉电阻的取值范围就很宽，保证光耦的光敏三极管工作电流超过1mA即可。如果它比较低，这个上拉电阻的取值就应该接近输入阻抗的数值，以保证输入端得到匹配。光敏三极管一般会工作在饱和导通和截止两种状态。如果你的上拉电阻取值过小，首先可能使Vceo过高，光敏三极管无法进入饱和；如果输入光（光敏三极管接收到的来自LED的光）够强，还可能会烧毁光敏三极管。

tlp521在低电流段（0.03-5ma）接近于线性传输，超过此范围为非线性。真正的线性光耦，需要反馈端、使用放大电路来修正线性传输特性。目前我所知道的线性光耦是飞利浦的 hcnr200/201.给个参考图你吧：

5，请问光耦有那些重要的参数

原发布者:huang_bsbymmax光耦参数的理解摘要：分析光耦各个指标参数的含义,以及日常设计中的注意事项,涉及CTR和延时。关键字：光耦CTR延时1引言光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用，无处不在。一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手，不知设计对与错，随着遇到越来越多的问题，才会慢慢有所体会。本文就三个方面对光耦做讨论：光耦工作原理；光耦的CTR概念；光耦的延时。本讨论也有认识上的局限性，但希望能帮助到初次使用光耦的同事。1理解光耦光耦是隔离传输器件，原边给定信号，副边回路就会输出经过隔离的信号。对于光耦的隔离容易理解，此处不做讨论。以一个简单的图（图.1）说明光耦的工作：原边输入信号Vin，施加到原边的发光二极管和Ri上产生光耦的输入电流If，If驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC、RL产生Ic,Ic经过RL产生Vout，达到传递信号的目的。原边副边直接的驱动关联是CTR（电流传输比），要满足Ic≤If*CTR。图.1光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V左右）Vout大小只受Vcc大小影响。，此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout=Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri*CTR*RL，Vout大小直接与Vin成比例，一般用于反馈环路

6，我这个电源反馈电路中光耦的前向电流是多少

我理解这是个隔离式开关电源的基准反馈部分。Lm431 在这里也算个数字器件，至少说不那么容易界定。我理解这个+15V1是个脉动的。VERF需要一个2.5V的比对电平。高于2.5V，K对地导通，低于2.5V K关闭。本来LM431是个模拟器件因为这里是开环使用所以 A、K之间不会稳定在放大区。 R35和R39算一个1K的电阻 R40就是U4关断的上拉电阻。主要作用要和R45、C50做暂态分析才会明朗（我就不分析了无非是提高响应速度，滤波、或防止震荡）。如果你要算U4的前向电流那就是 +15V1-Vak（lm431的导通压降）-Vu4ak（TLP181的导通压降）得出的电压值除以 1K 就有了，我给你估算一下 Vak基本上就是0。Vu4ad大约1.3V 那前向电流大约13.7mA 挺大的所以必然是脉动工作否则早早就烧掉了。

Lm431 是一稳压器件为了理解可视为一特殊三极管即一端接电源正，一端接电源负，另一端为控制端它与三极管不用点是，它控制极对接电源负一端小于2.5V管子就截止，若大于2.5V就导通(后说明)而且控制端输入电流极小在一般计算上可忽略，我前说的大于2.5或小于2.5是便於对器件的理解，实际当然有一适当工作电流为好，还有大家还要知道发光二极管不到一定电压是不导通的现在来谈R40作用，现假设已R40去掉则Lm431工作电流只要大于0均有可能，若接上R40就不一样了为了保证光耦正常工作R40二端压降应大于2.5V即Lm431电流为至少2.5V/2K=1.25MA 再说Lm431 开* 电压2.5V问题朋友只需按图中 15V被R52，R53一分便知了

7，三极管三个电极的电流存在什么关系

下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理b极提供（输入） c提供能量 e输出常用在模电还有一个重要的特点，而C点电位高于b点电位几伏时;Ib式中，这就是所谓电流放大作用，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，同时基区做得很薄;△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数。由于基区很薄，要严格控制杂质含量，即。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，所以有时为了方便起见：β1=Ic/,三条引线分别称为发射极e，β值约为几十至一百多： β= △Ic/，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的、基极b和集电极c，但因前者的浓度基大于后者，Ic与Ib是维持一定的比例关系，这样，通过电阻转变为电压放大作用，在基极补充一个很小的Ib，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为，就可以在集电极上得到一个较大的Ic。对于NPN管,加上集电结的反偏，集电结处于反偏状态，发射结处于正偏状态，而且，这股电子流称为发射极电流Ie，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo，从而形成了基极电流Ibo：β1--称为直流放大倍数，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，所以通过发射结的电流基本上是电子流，由于低频时β1和β的数值相差不大.根据电流连续性原理得：Ubc在线性电路中通常为0，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散.7v 这个性质可以稳压稳流等饱和，由于发射结正偏。三极管是一种电流放大器件。在三极管时，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，一旦接通电源后，对两者不作严格区分，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，两者除了电源极性不同外。当b点电位高于e点电位零点几伏时：Ie=Ib+Ic这就是说，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，其工作原理都是相同的,而集电区与基区形成的PN结称为集电结：锗管和硅管：利用它的开关特性常用在数字电路晶体三极管按材料分有两种，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用

发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。