igbt负压最高多少，IGBT的结电压是什么大小为多少

1，IGBT的结电压是什么大小为多少

没有固定值，导通后一般是1，2V的样子。

三节共4点5伏

IGBT的结电压是什么大小为多少

2，IGBT电压等级都有哪些

一般常见的电压等级有600V和1200V两档，600V的一般用在220V交流输入上，1200V的一般用在380V交流输入上

IGBT电压等级都有哪些

3，开关电源中的IGBT开关管的G集的电压是多少

在维修测它们的电压应该是有负压1V多，就正常振荡，开关电源就起振，就能工作。

同问。。。

开关电源中的IGBT开关管的G集的电压是多少

4，IGBT为什么关断的时候最好要负压呢

因某些原因可能存在干扰，引起门极驱动电压的毛刺尖峰，进而造成IGBT误导通；一般的IGBT关断用-5V负压可能还不够，建议用-8~-10V.

5，请问最新的IGBT技术电压电流等性能参数最大能达多少

IGBT单管的话，电流方面Infineon有一款1200V的可以做到100A。电压应该是3000V。IGBT的性能主要不是电压和电流，而是拖尾电流导致的开关损耗和导通压降之间的最佳平衡。

6，一般IGBT能承受的dvdt和didt在什么范围

参考datasheet而且不考虑这个指标，一般考虑峰值电压电流

关于dv/dt和di/dt对于IGBT来讲是非常关键的两个参数，因为他和电路中的工作频率直接相关联，当知道电路的工作频率、回路电流最大值之后既可以测算出电路工作的di/dt,当知道电路中的工作电压后既可以测算出电路工作的dv/dt，根据这两个参数去选择对应的IGBT参数，IGBT的这两个参数在参数表中有，当然选择时请注意igbt的测试条件，当然还要给IGBT留安全余量。一般地选择值比实际值高出1倍左右即OK。

具体如下：1. di/dt电流上升(速)率，dv/dt电压上升(速)率。2. igbt从阻断到导通总得有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少安培。3. 写成di/dt就是电流的增量与所用时间之比。4. igbt从导通到阻断也得有一个过程，在这个过程中，igbt承受的电压有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少伏，写成dv/dt就是电压的增量与所用时间之比。5. 这2个参数都是越大越好，越大损耗越小，越大可用的工作频率越高。知识拓展：dv/dt滤波器的性能说明：1.dv/dt滤波器在远离电机300m处仍然能保证满足电机的最大峰值电压规格(母线电压的150%)。2.dv/dt滤波器额定值为变比在<200v/μs3.dv/dt滤波器在一些特殊的应用中，电缆长度达到500米时仍能提供卓越性能。

7，谁知道IGBT最高耐压是多少最高耐流是多少工作稳定吗问

耐压和耐流多少是IGBT分类的主要2个标准。例如：IGBT耐压等级一般有：600V，1200V，1700V，2500V，3300V，4500V，6500V。电流低的用单管封装，电流大的用模块封装。而且一般IGBT和FRD（快恢复二极管或FWD续流二极管）并联封装在一起。例如1200V等级低电流的有：15A、20A、25A。模块封装的有：75A，100A，300A，400A，600A，800A，1200A，2400A，3600A等。关于工作稳定问题，个人认为（经验不足，请批评指正）：IGBT和应用系统设计密切关联，过流、过压、过频、高温（冷却系统设计不合理）、大寄生电感等都会烧毁IGBT。

请给出具体的igbt型号，目前最大的能做到7千伏，电流可以通过串联提升。igbt本身由于是由PiN和MOSFET组成，内部特性决定了他的导通电压随温度漂移不大。适合在复杂环境下使用。

管子型号最高耐压(V）最大电流IC（A）管内是否含阻尼二极管20N120CND 1200 20 有K25T120 1200 25 有G40N150D 1500 40 有5GL40N150D 1500 40 有G4PH50UD 1500 40 有GT40q321 1300 40 有GT40T101 1000 40 无G40T101 1000 40 无GT40T301 1300 40 无SQB35JA 1500 35 有G30P120N 1200 30 无GPQ25101 1000 25 有GTl53101 1000 15 无GT8Q191 1900 8 有GT50J101 1000 50 无GT50j102 1000 50 无GT50J301 1300 50 无GT60M104 1000 60 无GT60M301 1300 60 无GT75AN-12 1200 75 无15Q101 1000 15 有25Q101 1000 25 有80J101 1000 80 无JHT20T120 1200 20 有SKW25N120 1200 25 有(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管