p沟道mos管开关电压是多少，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

来源：整理时间：2023-03-15 17:27:49 编辑：亚灵电子网手机版

1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。开启的阈值电压4-5V。关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，4种MOS管的开启电压P沟道增强型MOS管N沟道增强型MOS管P沟道耗尽型

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当Ugs<Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。2、N沟道增强型：当Ugs>Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。1、P沟道耗尽型：当Ugs<Ugs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正数值。2、N沟道耗尽型：当Ugs>Ugs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个负数值。

4种MOS管的开启电压P沟道增强型MOS管N沟道增强型MOS管P沟道耗尽型

3，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

4，MOS管的开启电压是什么是指G极的电压吗如果是哪需要多少V

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。扩展资料无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科-mos管

5，求P沟道MOS管最大开启电压小于2V导通内阻小于5m最大电流

找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值1.5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。你可以用两只MTP50P03并联使用（加均流电阻）。

IRF4905你查查看

你好！不管你信不信，反正我是没找到。P管本来就少，还要这么大电流的。难啊！仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

6，高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V

1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。扩展资料：MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科—MOS管

7，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件，也就是说，前者是流控，后者是压控。

一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

8，增强型P沟道MOS管当加适当电压Ugs0时产生反型层相当于

当然需要，如果漏电压高于源电压的话，那么那个漏才是源，源才是漏，电极的名字都换过来了。那么名字换过来需要吗？当然需要，因为Ugs是栅源电压，在这件事上这俩电极不对称！所以，漏电压一定低于源电压，Uds一定小于0，这是结论，不是规定

这个很简单。关键在于mos管的结构和工作原理。你的不足在于，没有很好地理解mos管的工作原理n沟道管子，衬底是b，而且是p型半导体，b与源极s连在一起。当gs为正电压时，g上为正电，会把衬底中的电子更多地吸引到g的对面（不会到g，原因是衬底与g之间有一道绝缘栅，电子无法越过，这也是mos管名字的来源），由此加厚反型层（增强型与耗尽型的区别就在于，增强型的反型层必须是当ugs〉ugs（th）才会生成，而耗尽型，ugs=0的时候，反型层也是存在的。）这样就比较好理解了，反型层的存在和增减，主要看ugs的大小。增强型：只要超过ugs(th)，就会存在反型层，随着ugs增加，反型层加厚。耗尽型：以ugs=0为界，同样，随着ugs增加，反型层加厚，ugs减小，反型层变薄，当ugs小到一定时候，也就是ugs