ddr3每次读写多少个个，ddr3是什么意思

1，ddr3是什么意思

DDR3是一种电脑内存规格，性能相对于DDR2有一定提高。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。

ddr3是什么意思

2，ddr3每次读写几个数据

这个要看你的模式寄存器的设置，有4个地址数据和8个地址数据两种。

ddr3每次读写几个数据

3，DDR3的读写速度是多少

DD3内存主频分为：1333、1600、1800、2000、2333。当前主流主板都支持以上主频的内存，华硕板需要超频才能支持2000级高更的； 1333MHz的处理速度略为1.3G/S，以此类推。

1333 1600 2133读写大概是5000m/s

DDR3的读写速度是多少

4，Ddr2ddr3ddr4内存条的读写速率分别能达到多大

DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的两倍），DDR2的I/O频率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。举例：核心频率同样有133～200MHz的颗粒，I/O频率提升的影响下，此时的DDR2传输速率约为533～800 MT/s不等，也就是常见的DDR2 533、DDR2 800等内存规格。DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。DDR3传输速率介于 800～1600 MT/s之间。此外，DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽，DDR4的传输速率目前可达2133～3200 MT/s。DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计，各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性，Bank Group 数据组可套用多任务的观念来想象，亦可解释为DDR4 在同一频率工作周期内，至多可以处理4 笔数据，效率明显好过于DDR3。另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。电压：1.2/1.35V电压带来更低功耗DDR2与DDR3的区别1、逻辑Bank数量drr2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而drr3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。2、封装(Packages)由于drr3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而drr2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且drr3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。3、突发长度(BL，Burst Length)由于drr3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于drr2和早期的drr架构的系统，BL=4也是常用的，drr3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。4、寻址时序(Timing)就像drr2从drr转变而来后延迟周期数增加一样，drr3的CL周期也将比drr2有所提高。drr2的CL范围一般在2至5之间，而drr3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。drr2时AL的范围是0至4，而drr3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，drr3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。DDR3与DDR4的区别DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低

5，关于DDR3的读写操作看看我的流程对吗

开机箱，看插槽，插槽旁边都有显示DDR2或者DDR3的，显示DDR3说明支持DDR3内存条。内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。内存是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。

我觉得还可以

6，ddr3的具体参数

DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显： (1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 (2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 (3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 (4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

7，请教一下DDR内存读写次数

他们还是晶圆的时候是一样的，但是制作工艺是不一样的，而且他们两个的工作储存方式也有很大的区别，闪存是比较粗糙的，而内存的工艺要细致的多，同时在封装的精度上内存也要高很多，最主要的是工作原理使得内存跟闪存擦写次数相差很远。闪存大约在10万次，内存读写次数还真不知道。

<a href="http://wenwen.soso.com/z/urlalertpage.e?sp=shttp%3a%2f%2fwww.cpcfan.com%2f%3faction-viewthread-tid-56646" target="_blank">http://www.cpcfan.com/?action-viewthread-tid-56646</a> ddr1和ddr2的插槽外观看起来虽然一样,但内部针脚定义完全不同,不能都用. ddr1和ddr2区别在于,在"一个时间单位"内,ddr1可以传输"1份数据",ddr2传输"两份数据".但是,ddr2的延时较长,所以同频率的ddr2比ddr1慢一些.但是ddr1做到400mhz就很难提升了,而ddr2可以轻易达到800mhz.这样ddr2就比ddr1要快很多了.所以综合来说,ddr2要好,而且现在几乎买不到ddr1的内存了.就算有卖的也比ddr2内存要贵好几倍,淘汰了. 但是,原先支持ddr1内存的主板就只能插ddr1,支持ddr2的主板就只能插ddr2,一般不存在"兼容"的主板. 1.理论上说速度回快一倍,就向sd和ddr一样 2.价格会比ddr多30-50左右 3.945以上的芯片组一定回支持的 ddr2与ddr的区别 与ddr相比，ddr2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于ddr内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个dram核心来实现的。作为对比，在每个设备上ddr内存只能够使用一个dram核心。技术上讲，ddr2内存上仍然只有一个dram核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 ddr2与ddr的区别示意图 与双倍速运行的数据缓冲相结合，ddr2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统ddr内存可以处理的2bit数据高了一倍。ddr2内存另一个改进之处在于，它采用fbga封装方式替代了传统的tsop方式。 然而，尽管ddr2内存采用的dram核心速度和ddr的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配ddr2内存，因为ddr2的物理规格和ddr是不兼容的。首先是接口不一样，ddr2的针脚数量为240针，而ddr内存为184针；其次，ddr2内存的vdimm电压为1.8v，也和ddr内存的2.5v不同。 ddr2的定义： ddr2（double data rate 2） sdram是由jedec（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代ddr内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于ddr2标准规定所有ddr2内存均采用fbga封装形式，而不同于目前广泛应用的tsop/tsop-ii封装形式，fbga封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起ddr的发展历程，从第一代应用到个人电脑的ddr200经过ddr266、ddr333到今天的双通道ddr400技术，第一代ddr的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的ddr2内存将是大势所趋。 ddr2与ddr的区别： 在了解ddr2内存诸多新技术前，先让我们看一组ddr和ddr2技术对比的数据。 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，ddr2的实际工作频率是ddr的两倍。这得益于ddr2内存拥有两倍于标准ddr内存的4bit预读取能力。换句话说，虽然ddr2和ddr一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2拥有两倍于ddr的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100mhz的工作频率下，ddr的实际频率为200mhz，而ddr2则可以达到400mhz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的ddr和ddr2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，ddr 200和ddr2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，ddr2-400和ddr 400具有相同的带宽，它们都是3.2gb/s，但是ddr400的核心工作频率是200mhz，而ddr2-400的核心工作频率是100mhz，也就是说ddr2-400的延迟要高于ddr400。 2、封装和发热量： ddr2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于ddr的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，ddr2可以获得更快的频率提升，突破标准ddr的400mhz限制。 ddr内存通常采用tsop芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200mhz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是ddr的核心频率很难突破275mhz的原因。而ddr2内存均采用fbga封装形式。不同于目前广泛应用的tsop封装形式，fbga封装提供了更好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 ddr2内存采用1.8v电压，相对于ddr标准的2.5v，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 ddr2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，ddr2还引入了三项新的技术，它们是ocd、odt和post cas。 ocd（off-chip driver）：也就是所谓的离线驱动调整，ddr ii通过ocd可以提高信号的完整性。ddr ii通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用ocd通过减少dq-dqs的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 odt：odt是内建核心的终结电阻器。我们知道使用ddr sdram的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。ddr2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用ddr2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是ddr不能比拟的。 post cas：它是为了提高ddr ii内存的利用效率而设定的。在post cas操作中，cas信号（读写/命令）能够被插到ras信号后面的一个时钟周期，cas命令可以在附加延迟（additive latency）后面保持有效。原来的trcd（ras到cas和延迟）被al（additive latency）所取代，al可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于cas信号放在了ras信号后面一个时钟周期，因此act和cas信号永远也不会产生碰撞冲突。