mos管开通关断多少次会炸，MOS管的快速关断原理

1，MOS管的快速关断原理

R4是Q1的导通电阻没有 Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管

MOS管的快速关断原理

2，mos管的频率不对会炸管吗

会。MOS是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，就是mos管，其频率为固定的，频率不对会导致管子爆炸，这样的器件被认为是对称的，属于绝缘栅场效应管。

mos管的频率不对会炸管吗

3，怎样有效关断MOS管

关断MOS管是MOS管使用中的大问题，远比导通麻烦。最好的关断方法是负电压关断，非常有效。

mos管的完全关断很不容易，你这样肯定不行，形式上关断后，漏电流足够点亮led了。如果想比较好的关断，需要用到负电压。

怎样有效关断MOS管

4，为什么电源正常工作时MOS管会是不是的炸掉换了有时就好了呢百度知

根据你的描述几个原因：1、MOS管质量不好，2、就是你电源的死区设置过小，3、你选择的管子余量不足，4、管子安装工艺有问题，主要是散热不好。5、有些电路MOS管栅极需要放电电路，是否具有。你查查看。

5，为什么电源正常工作时MOS管会是不是的炸掉换了有时就好了呢

MOS管炸没见过。最多是电容，MOS管长时间超过额定电流最多会烧掉啊，爆的情况应该很少吧。

负荷太大，散热不良。

6，LED开关电源老化时MOS管爆炸有哪些原因导致

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致MOS开通瞬间流过的电流超过MOS电流额定值，MOS损坏；2、MOS漏源之间电压过高，MOS管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致MOS晶圆的高压环损坏；3、由于老化温度过高，导致PWM控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过MOS的峰值电流超出额定值，MOS损坏；你没说设计多大功率，也没说用多大的MOS，其他的具体原因就不好分析了。不过主要是上边三条，特别是第一条，要重点查看。

7，如何计算mosfet的开关损耗

mosfet的开关损耗主要包括两部分，开通和关断损耗，一般要通过实际电路来看，你可以通过示波器看mosfet一个周期的电压电流波形，然后一个周期内电压和电流的乘积的积分就是开关损耗

很简单，开关速度取决你驱动电流的大小。如果有驱动电阻，减小驱动电阻就可以增加打开速度，如果没有驱动电阻的话就得更换mosfet了，选择cgs小的，打开速度会更快。关闭的话最好外加电路。

8，开关电源MOS管的问题

MOS管驱动上有个台阶是因为MOS管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。这个问题都是MOS管本身的问题。要想驱动波形没有台阶，几乎是不可能的。求采纳为满意回答。

mos管是一个通过改变电压来控制电流的器件，有时候也被称为绝缘栅场效应管。近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率mos管作为开关管，之所以采用mos管是基于以下几方面的优势：1.输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。使用mos管做开关管，其输入阻抗高达100mω，这对激励信号不会产生压降，只要有一点电压就可驱动。2.开关速度快。开关速度在10~100ns，工作频率高达100khz以上。普通三极管由于载流子的存储效应，其开关总会存在滞后现象，进而影响开关速度。3.不存在二次击穿。

9，LED开关电源老化时MOS管爆炸有哪些原因导致是隔离式开关电

电源坏了不是光换MOS就可以的，烧毁的原因不是MOS“寿命到了”，而是某些原因导致MOS烧毁的，也就是说，真正的罪魁祸首，不是MOS，而是控制MOS的那个电路。（电源不会因为过载而烧MOS的，因为开关电源会限流，所以基本上都是控制部分坏了）当MOS长时间导通，或者导通/关闭不彻底时，MOS就会严重发热并烧毁。所以你只更换MOS是没有用的，换一个炸一个，检查一下控制MOS的电路，那个地方坏掉了。不过不好查，要细心才行，因为一般控制部分的损坏，在外观上是看不出来的。

1、电源工作不稳定，温升过高导致变压器工作异常发生磁饱和后原边失去电流抑制作用，导致mos开通瞬间流过的电流超过mos电流额定值，mos损坏；2、mos漏源之间电压过高，mos管长时间工作在漏源击穿电压值临界区域附近，导致mos晶圆的高压环损坏；3、由于老化温度过高，导致pwm控制芯片内部电流基准电压由于温漂超出额定范围，导致流过mos的峰值电流超出额定值，mos损坏；你没说设计多大功率，也没说用多大的mos，其他的具体原因就不好分析了。不过主要是上边三条，特别是第一条，要重点查看。

烧MOS，一般就是两个原因，一是加到漏极的电压过高，超过MOS的耐压而击穿，变压器漏感过大会在漏极上产生很高的一个电压尖峰，这个尖峰加上直流母线上的电压和次级反射电压很容易超过MOS的耐压另外一个就是温度，如果你的MOS散热不好，或者是用的安培数不够大，还有就是驱动能力不足、和变压器饱和这些都会造成温升过高。当然其它的一些元件，比如二极管恢复时间太慢，导致反向电流过大，或都二极管烧毁，这些都会造成MOS烧毁。这些你都可以一一排除，首先是测漏极波形是否正常，然后测试各主要功率器件的温度等等