单片机晶振电容值多少，51单片机晶振电路电容值选大了会怎样

来源：整理时间：2023-03-25 13:34:07 编辑：亚灵电子网手机版

1，51单片机晶振电路电容值选大了会怎样

有可能系统时钟不稳定或者消失。这几个地必须是共地的。

一般12m的晶振配两个30pf左右的电容，稍微偏差一些也不要紧，但不要太大，不然会影响晶振的工作。还有，复位电路和晶振电路的gnd必须接一起

51单片机晶振电路电容值选大了会怎样

2，单片机晶振的电容是什么类型的电容

单片机晶振的电容是瓷片电容。1、瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。2、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

单片机晶振的电容是什么类型的电容

3，单片机晶振的电容是什么类型的电容

瓷片电容

当然是瓷片电容电容了，因为电解电容没有这么小容量的电容一般单片机上晶振起振电容都在15PF-50PF之间了，

单片机晶振的电容是什么类型的电容

4，51单片机时钟电路用12M晶振电容怎么计算

51单片机时钟电路用12M晶振，电容不是计算的，就是晶振需要配置的电容，通常取20P~33P都行。其实，这个电容，都是从第一本单片机书那抄过来的，多少年了，就没变过。但是，事实上，时钟电路所配的电容真是可有可无的，干脆不用了，时钟电路照常工作，这都是实际做出来的。比那些书本要有说服力吧，可就是没有一本这么写。更没有一本书介绍怎么计算出来的，因为，可有可无的东西还用计算吗？现在，STC单片机，把外部晶振都省了，可以用内部 IRC时钟电路了，而且频率一样精确，你说还用计算吗，外部什么都不用啦，你还计算什么？不要什么东西都靠计算，这不是数学。

5，单片机的外部晶振电路是怎么回事如何计算所选电容的大小如何计

电容大小没有固定值.一般二三十p.晶振是给单片机提供工作信号脉冲的.这个脉冲就是单片机的工作速度.比如 12M晶振.单片机工作速度就是每秒 12M.和电脑的 CPU概念一样.当然.单片机的工作频率是有范围的.不能太大.一般 24M就不上去了.不然不稳定. 接地的话数字电路弄的来乱一点也无所谓.看板子上有没有模拟电路.接地方式也是不固定的.一般串联式接地.从小信号到大信号依次接.然后小信号连到电源处.有变压器就连到变压器旁. 数模地分开.分别拉到电源处. 不可形成回路.

手册里面都有，查手册就可以，不同的片子，要求是不一样的，手册给的也是参考值。地----是一个电位的参考点，只要把所有的参考点接在一起就可以了。

这个问题简单!这个是因为晶振与单片机的脚XTAL0和脚XTAL1构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性.为了电路的稳定性起见,ATMEL公司只是建议在晶振的两引脚处接入两个10pf-50pf的瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振所配的电容在10pf-50pf之间都可以的,没有什么计算公式.但是主流是接入两个33pf的瓷片电容,所以你还是随主流吧!毕竟群众的眼睛是雪亮的,呵呵.

6，51单片机晶振上接的电容大小该如何选择

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。扩展资料：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃），采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用DTCXO只需要十几秒钟）。石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器。参考资料来源：百度百科--晶体振荡器

7，单片机的晶振与外接电容怎么计算是经验值吗

就是的.对于32KHZ以上的晶振，当VDD大于4.5V时，大约C1=C2=30PF。一个是相位调节电容，另一个是增益调节电容。晶振的负载电容CL和两端的接地电容C1、C2的关系如下：CL=（C1*C2)/(C1+C2)+Cs Cs取值一般为3~6pf；便于设计一般取C1=C2.的C1=C2=30PF,那么CL的取值一般在18-20pf了。单片机(Microcontrollers)是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。

有参考值，看硬件手册一般都有。一般30pf

外部晶振决定了单片机的时钟周期，即运行的快与慢

22up

zhouxdchina说了一半因为晶振本身有自己的的电容规格书有具体说明，还有就是接入原件的分布电容了约为5pf

晶振的负载电容CL和两端的接地电容C1、C2的关系如下：CL=（C1*C2)/(C1+C2)+Cs Cs取值一般为3~6pf；便于设计一般取C1=C2.的C1=C2=30PF,那么CL的取值一般在18-20pf了

8，51单片机晶振电路的两个电容的值选大了会怎样

晶振的作用不同，材料不同，型号不同，源于每一种晶振都有各自它们各自的特性，所以最佳按制造厂商所供应的数值选择外部元器件。当然晶振的电容也是按照不同的晶振类型所制造的，这是理所当然的。下面是晶振的电容选择方法，一定要仔细看哦：晶振电容选择的几大标准（1）：在容许范围内，C1,C2值越低越好。（2）C值偏大虽有利于振荡器的安稳，但将会增加起振时间。（3）：应使C2值大于C1值，这么可使上电时，加快晶振起振。晶振的起振原因分析在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中，就需要留心负载电容的选择。因为不一样厂家出产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和质量都存在较大差异。选择晶振电容的注意事项（1）在选用时，需要了解该类型振荡器的要害方针，例如等效电阻，（凯越翔厂家建议负载电容，如频率偏差等。（2）但是在实习电路中，也能够通过示波器查询振荡波形来判别振荡器是不是作业在最佳情况。 |（3）当然在示波器查询振荡波形时，所查询的OSCO管脚(Oscillator output)，应选择100MHz带宽以上的示波器探头，这种探头的输入阻抗高，容抗小，对振荡波形相对影响小。（4）由于探头上通常存在10～20pF的电容，所以观测时，恰当减小在OSCO管脚的电容能够取得更靠近实习的振荡波形。（5）凯越翔建议：因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波，峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%，可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之，若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变，则可恰当增加负载电容。所以在选择晶振的最佳电容时，是可以参考的哦！！！专业仪器检测专晶振（更技术的选择）因为用示波器查看OSCI(Oscillator input)管脚，如果简略致使振荡器停振（原因是：有些的探头阻抗小不能够直接检验）所以晶振的电容能够用串电容的方法来进行检验。取中心值的小窍门（凯越翔独家揭秘）如常用的4MHz石英晶体谐振器，通常凯越翔厂家建议的外接负载电容为10～30pF支配。若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。凯越翔k字晶振考虑到还别的存在的电路板分布电容的影响。以及芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实习配备C1，C2时，可各取20～15pF支配。因此C1，C2运用瓷片电容为佳。当然这只是一部分的电容选择要求和技巧，然而最佳的晶振选择要求和技巧，还是要根据不同的晶振型号，类型和不同的材料晶振而定，当然还是要看各自的客户的选择要求来定哦。

晶振上电启动后会震荡产生脉动波形，相当于提供给单片机的大动脉。但伴随着往往有偕波参杂在主波形中,影响单片机的工作稳定性。起振电容的作用就是要将这些偕波滤掉，滤到哪里呢？最好就是滤到地去了，故接地就是引导杂波到地。