最小门电路用多少晶体管，程序是怎么利用晶体管进行计算的

来源：整理时间：2023-10-03 08:08:42 编辑：亚灵电子网手机版

1，程序是怎么利用晶体管进行计算的

单纯的晶体管，不能做运算。可进行运算的器件，是 ALU。从晶体管，到 ALU、存储器、CPU，技术上，有好几个发展阶段。晶体管的下一步，是门电路(与或非门)、译码器和各种触发器。慢慢学，就能理解了。

电子电路可以组成多种多样的电路，计算机就是由一个个晶体管构筑搭建成不同的功能模块，cpu虽然外形很小，但内部可是大有乾坤，内部由多层电路组成，集成有数十亿甚至上百亿个晶体管，构成有运算器，比较器，存储器，时钟发生器，同步器，等等不同逻辑单元，组合构架出一个完整的cpu，cpu通过接收编译系统运行程序，对需要运算的程序运算，并且显示输出运算出的结果。

程序是怎么利用晶体管进行计算的

2，怎样选用晶闸管

可控硅，可控硅模块--北京瑞田达技贸有限责任公司 1．选择晶闸管的类型晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。若用于锯齿波生发器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。 2．选择晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1.5~2倍。晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。***** 查看车爸爸的精华贴,早就给你解答了.---->

怎样选用晶闸管

3，逻辑门电路问题

不一定是带载能力问题，根据你的叙述，与非门是多级连接而不是并联的，那就是因为控制继电器的逻辑变量很多，逻辑关系式很复杂，所以需要多级多个与非门。

因为逻辑门的带载能力有限，最大的输出电流在毫安级，如果小功率的继电器或是固态继电器，就不需要那么多的与非门了～

电路图放在上面看一下。

实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。　　在数字电路中,所谓“门”就是只能是先基本逻辑关系的电路。　　最基本的逻辑关系是与、或、非，最基本的逻辑门是与门、或门、和非门。　　实现“与”运算的叫与门，实现“或”运算的叫或门，实现“非”运算的叫非门，也叫做反相器，等等。　　逻辑门是在集成电路（也称：集成电路）上的基本组件。　　逻辑门可以用电阻、电容、二极管、三极管等分立原件构成，成为分立元件门。也可以将门电路的所有器件及连接导线制作在同一块半导体基片上，构成集成逻辑门电路。　　简单的逻辑门可由晶体管组成。这些晶体管的组合可以使代表两种信号的高低电平在通过它们之后产生高电平或者低电平的信号。　　高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”门，“或”门，“非”门，“异或”门（也称：互斥或）等等。　　逻辑门可以组合使用实现更为复杂的逻辑运算。

逻辑门电路问题

4，各个阶段CPU的晶体管集成数量有多少

CPU是Central Processing Unit（中央微处理器）的缩写，它是计算机中最重要的一个部分，由运算器和控制器组成。如果把计算机比作人，那么CPU就是人的大脑。CPU的发展非常迅速，个人电脑从8088(XT)发展到现在的Pentium 4时代，只经过了不到二十年的时间。从生产技术来说，最初的8088集成了29000个晶体管，而PentiumⅢ的集成度超过了2810万个晶体管；CPU的运行速度，以MIPS(百万个指令每秒)为单位，8088是0.75MIPS，到高能奔腾时已超过了1000MIPS。不管什么样的CPU，其内部结构归纳起来都可以分为控制单元、逻辑单元和存储单元三大部分，这三个部分相互协调，对命令和数据进行分析、判断、运算并控制计算机各部分协调工作。 CPU从最初发展至今已经有二十多年的历史了，这期间，按照其处理信息的字长，CPU可以分为：4位微处理器、8位微处理器、16位微处理器、32位微处理器以及正在酝酿构建的64位微处理器，可以说个人电脑的发展是随着CPU的发展而前进的。 Intel 4004 1971年，英特尔公司推出了世界上第一款微处理器4004，这是第一个可用于微型计算机的四位微处理器，它包含2300个晶体管。随后英特尔又推出了8008，由于运算性能很差，其市场反应十分不理想。1974年，8008发展成8080,成为第二代微处理器。8080作为代替电子逻辑电路的器件被用于各种应用电路和设备中，如果没有微处理器,这些应用就无法实现。由于微处理器可用来完成很多以前需要用较大设备完成的计算任务，价格又便宜，于是各半导体公司开始竞相生产微处理器芯片。Zilog公司生产了8080的增强型Z80，摩托罗拉公司生产了6800，英特尔公司于1976年又生产了增强型8085,但这些芯片基本没有改变8080的基本特点，都属于第二代微处理器。它们均采用NMOS工艺,集成度约9000只晶体管,平均指令执行时间为1μS～2μS,采用汇编语言、BASIC、Fortran编程，使用单用户操作系统。 Intel 8086 1978年英特尔公司生产的8086是第一个16位的微处理器。很快Zilog公司和摩托罗拉公司也宣布计划生产Z8000和68000。这就是第三代微处理器的起点。 8086微处理器最高主频速度为8MHz，具有16位数据通道，内存寻址能力为1MB。同时英特尔还生产出与之相配合的数学协处理器i8087,这两种芯片使用相互兼容的指令集，但i8087指令集中增加了一些专门用于对数、指数和三角函数等数学计算的指令。人们将这些指令集统一称之为 x86指令集。虽然以后英特尔又陆续生产出第二代、第三代等更先进和更快的新型CPU，但都仍然兼容原来的x86指令，而且英特尔在后续CPU的命名上沿用了原先的x86序列，直到后来因商标注册问题，才放弃了继续用阿拉伯数字命名。 1979年，英特尔公司又开发出了8088。8086和8088在芯片内部均采用16位数据传输，所以都称为16位微处理器，但8086每周期能传送或接收16位数据，而8088每周期只采用8位。因为最初的大部分设备和芯片是8位的，而8088的外部8位数据传送、接收能与这些设备相兼容。8088采用40针的DIP封装，工作频率为6.66MHz、7.16MHz或8MHz，微处理器集成了大约29000个晶体管。 8086和8088问世后不久，英特尔公司就开始对他们进行改进，他们将更多功能集成在芯片上，这样就诞生了80186和80188。这两款微处理器内部均以16位工作，在外部输入输出上80186采用16位，而80188和8088一样是采用8位工作。作为全球知名的半导体厂商之一，美国德州仪器(TI)也在486时代异军突起，它自行生产了486 DX系列CPU，尤其在486DX2成为主流后，其DX2－80因较高的性价比成为当时主流产品之一，TI 486最高主频为DX4－100，但其后再也没有进入过CPU市场。 Cyrix 486DLC AMD于1999年2月推出了代号为“Sharptooth”(利齿)的K6－Ⅲ，它是该公司最后一款支持Super 7架构和CPGA封装形式的CPU，采用0.25微米制造工艺、内核面积是135平方毫米，集成了2130万个晶体管，工作电压为2.2V/2.4V。相对于K6－2而言，K6－Ⅲ最大的变化就是内部集成了256KB二级缓存（新赛扬只有128KB），并以CPU的主频速度运行。K6－Ⅲ的这一变化将能够更大限度发挥高主频的优势。

Core 2 DUO 65NM 6亿左右 Core 2 DUO 45NM 8.4亿 Core 2 Quad Q9系列 14亿

5，现在使用的晶体管有几种分别是什么

“晶体管”，英文是transistor；“逻辑”，英文是logic；输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。一、晶体管的种类晶体管有多种分类方法。（一）按半导体材料和极性分类按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。（二）按结构及制造工艺分类晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。（三）按电流容量分类晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。（四）按工作频率分类晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。（五）按封装结构分类晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。（六）按功能和用途分类晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。二、晶体管的主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。（二）耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。（三）频率特性晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。（四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。（五）最大反向电压最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。（六）反向电流晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

6，电容上标有472j63值是多少

472表示该电容的电容量是4700pF。J表示该电容误差是5％，若标的是K，则表示该电容误差是10％，若是M，则表示误差是20％。后面的63表示该电容耐压值是63V。

贴片元件的识别作者：贵阳家电文章来源：长安电器点击数： 832 更新时间：2009-3-22 片状电阻的识别在数码电子产品中，电阻实物一般是片状矩形，无引脚，一个片状电阻只有一粒米大小。电阻体是黑色或浅蓝色，两头是银色镀锡层。数码电子产品中的电阻大多未标出其阻值，个别个头稍大的电阻在其表面一般用三位数表示其阻值，其中第一、二位数为有效数字，第三位数为倍乘，即有效数字后面“0”的个数，单位是ω。例如100表示10ω，102表示 1000ω即1kω。当阻值小于10ω时，以r表示，将r看作小数点，如5rl表示5.1ω。片状电容的识别在数码电子产品中，无极性普通电容的外观、大小与电阻相似，电容一般为棕色、黄色、浅灰色、淡蓝色或淡绿色等，两端为银色。无极性普通电容都很小，最小的面积只有1mm×2mm。通常电解电容的外观是长方体，个头稍大，颜色以黄色和黑色最常见。电解电容的正极一端有一条色带(黄色的电解电容色带通常是深黄色，黑色的电解电容色带通常为白色)。还有一种电容体颜色鲜艳，它是金属钽电容，其特点是容量稳定。它的突出一端为正极性，则另一端为负极性。在数码电子产品电路中，μf级(微法)的电容一般为有极性的电解电容，而pf级(皮法)的一般为无极性普通电容。电解电容由于体积大，其容量与耐压直接标在电容体上，而钽电解电容则不标其大小和耐压，可通过图纸查找。注意电解电容是有极性的，使用时正、负极不可接反。有的普通电容容量采用符号标注，在其中间标出两个字符，而大部分普通电容则未标出其容量。标注符号的意义是第一位用字母表示有效数字，第二位用数字表示倍乘，单位为pf。字母所表示的有效数字的意义参见表1、表2。例如：电容体上标有“c3字样的电容容量是1.2×10pf=1200pf片状电感的识别数码电子产品电路中电感的数量很多，有的从外观上可以辨认出来。一般是数码电子产品电源电路中的升压电感数码电子产品中还有很多lc选频电路的电感，如图3(c)所示，外表白色、浅蓝色、绿色、一半白一半黑或两头是银色的镀锡层，中间为蓝色等颜色，形状类似普通小电容，这种电感即叠层电感，又叫压模电感，可以通过图纸和测量方法将其与电容分开。片状二极管的识别二极管的类别不同在电路中的作用也不同。普通二极管用于开关、整流、隔离；发光二极管用于键盘灯、显示屏灯照明；变容二极管是一种电压控制元件，通常用于压控振荡器(vco)，改变数码电子产品本振和载波频率，使数码电子产品锁定信道;稳压二极管用于简单的稳压电路或产生基准电压。数码电子产品中二极管的外型与电阻、电容相似。有的呈矩形、有的呈柱形，一般为黑色，一端有一白色的竖条，表示该端为负极。数码电子产品中常采用双二极管封装即两个二极管组成的元件，为3～4个引脚，此时难以辨认，还会与三极管混淆，只有借助于原理图和印制板图识别，或通过测量确定其引脚。贴片三极管与场效应管(mos)的识别数码电子产品中的三极管与场效应管一般也为黑色，大多数为三只引脚，少数为四只引脚(三极管中有两个脚相通，一般为发射极e或源极s)。也有双三极管封装、双mos管封装形式。需要说明的是，晶体三极管的外形和作用与场效应管极为相似，在电路板上很难区分，只有借助于原理图和印制板图识别，判断时应注意区分，以免误判。三极管有npn、pnp两种类型，场效应管有nmos管、pmos管两种类型，其栅极g、源极s、漏极d分别对应于三极管的基极b、发射极e、集电极c。但与三极管相比，场效应管具有很高的输入电阻，工作时栅极几乎不取信号电流，因此它是电压控制元件。 mos管使用注意事项：mos管的输入阻抗高，这样很小的输入电流都会产生很高的电压，使管子击穿。因此拆卸场效应管时需使用防静电的电烙铁，最好使用热风枪。另外栅极不可悬浮，以免栅极电荷无处释放而击穿场效应管。也有双三极管、双场效应管封装方式。一类是单纯的两个管子封装在一起，还有一类是两个管子有逻辑关系，如构成电子开关等。贴片稳压电路的识别稳压块主要用于数码电子产品的各种供电电路，为数码电子产品正常工作提供稳定的、大小合适的电压。应用较多的主要有5脚和6脚稳压块，外观与双三极管、双场效应管封装方式类似。如爱立信788、t18，三星600等数码电子产品较多地使用了这类稳压块。稳压块实物如图所示。当控制脚为高电平时，输出脚有稳压输出。一般在稳压块表面有输出电压标称值，例如：“28p”表示输出电压是2.8v。贴片集成电路的识别集成电路用字母ic表示。ic内最容易集成的是pn结，也能集成小于1000pf的电容，但不能集成电感和较大的组件，因此，ic对外要有许多引脚。将那些不能集成的元件连到引脚上，组成完整的电路。由于ic内部结构很复杂，在分析集成电路时，重点是ic的主要功能、输入、输出、供电及对外呈现出来的特性等，并把其看成一个功能模块，分析ic的引脚功能，外围组件的作用等。由于ic有许多引脚，外围组件又多，所以要判断ic的好坏比较困难，通常采用在线测量法、触摸法、观察法(损坏或大电流时，加电发烫、鼓包、变色及裂纹等)、按压法(观察数码电子产品工作情况，从而判断ic是否虚焊)、元件置换法和对照法等。数码电子产品电路中使用的ic多种多样，有射频处理ic、逻辑ic、电源ic、锁相环ic等。ic的封装形式各异，用得较多的表面安装集成ic的封装形式有小外型封装，四方扁平封装和栅格阵列引脚封装等。 1．小外型封装小外型封装又称sop封装，其引脚数目在28之下，引脚分布在两边，数码电子产品电路中的存储器、电子开关、频率合成器、功放等集成电路常采用这种sop封装。 2．四方扁平封装四方扁平封装适用于高频电路和引脚较多的模块，简称qfp封装，四边都有引脚，其引脚数目一般为20以上。如许多中频模块、数据处理器、音频模块、微处理器、电源模块等都采用qfp封装。对于小外型封装和四方扁平封装的ic，找出其引脚排列顺序的关键是先找出第1脚，然后按照逆时针方向确定其他引脚。确定第1脚方法：ic表面字体正方向左下脚圆点为1脚标志；或者找到ic表面打“·”的标记处，对应的引脚为第1脚。 3．球形栅格阵列内引脚封装球形栅格阵列内引脚封装又称bga封装，是一个多层的芯片载体封装，这类封装的引脚在集成电路的“肚皮”底部，引线是以阵列的形式排列的，其引脚是按行线、列线来区分，所以引脚的数目远远超过引脚分布在封装外围的封装。利用阵列式封装，可以省去电路板多达70％的位置。bga封装充分利用封装的整个底部来与电路板互连，而且用的不是引脚而是焊锡球，因此还缩短了互连的距离。目前，许多数码电子产品，如摩托罗拉l2000型手机的电源ic、诺基亚8810型手机的cpu、数码照相机和数码摄录像机的cpu与dsp处理芯片、数码照相机的sd卡处nic、数码摄录像机的录像信号处理芯片等都采用这种封装形式。

7，晶体管的主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。　　※ 电流放大系数　　电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。　　根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。　　　半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。　　半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。　　三极管的导通三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变，如果三极管Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时Ic电流的变化只随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的Ic不再变化，三极管将工作在开关状态。　　　如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 ※ 电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1、直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流ic与基极电流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2、交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△ic与基极电流变化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100ghz以上。...晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 ※ 电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1、直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流ic与基极电流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2、交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△ic与基极电流变化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100ghz以上。半导体三极管，是内部含有两个pn结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为ttl电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是ttl与非门。ttl与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路中用“v”或“vt”（旧文字符号为“q”、“gb”等）表示。半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（bjt）和场效应晶体管（fet）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由n型跟p型组成发射极（emitter）、基极 (base) 和集电极（collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、ce组态）、基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。三极管的导通三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变，如果三极管ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时ic电流的变化只随着ib的交流信号变化，ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的ic不再变化，三极管将工作在开关状态。三极管为开关管使用时工作在饱和状态1，用放大状态1表示不是很科学。请对照三极管手册的ib；ic曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状态，三极管be结和ce结导通三极管才能正常工作。如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。