采用同步整流温度会低多少，GTX650玩游戏开垂直同步显卡的温度会低些吗

来源：整理时间：2023-04-05 18:47:54 编辑：亚灵电子网手机版

1，GTX650玩游戏开垂直同步显卡的温度会低些吗

不会。反而会声卡。这个功能类似于声卡的asio。是降低延迟用的

用gpu-g测试一下显卡的频率，实在不行重新安装个系统。、

GTX650玩游戏开垂直同步显卡的温度会低些吗

2，同步整流移动电源有什么好处

同步整流是用MOS来代替二极管做整流，非常好的二极管电流1A通过时压降为0.3V，这时功耗为0.3W。而MOS的内阻是0.05欧，1A电流时功耗为0.05W。如需要5V/1A的移动电源，也就是5W，用二极管的最少需要输入5.3W的功率才能输出5V/1A，这时的效率是5W/5.3W＝94.3%（这里只考虑到整流二极的损耗）。而MOS的则为5W/5.05W＝99%（这里只考虑到整流MOS的损耗）。实际上同步整流的移动电源做得最好的在5V/1A时的效率有95%，而用二极管做整流的做的最好的效率为90%，效率相差有绝对的5%以上。（因为我是从事这类工作的测试过很多做对比的）至于为什么叫同步整流，可以再去打百度。

同步整流移动电源有什么好处

3，为什么辐射采暖比对流采暖计算温度低23度

一、可以简单得这么认为（伪科学）：所谓“对流”，就是暖气流过来后又有一部分要流回去，因此会浪费一些。二、比较科学的说法是：辐射不需要介质但对流和传导（另一种方式）需要介质，需要介质的话就必须先让介质暖起来再传给你，因此总有一部分能量会用在介质身上。

在采暖设计中,如何确定室外计算温度是一个相当重要的问题。采用得过低,会使设备投资增高,否则不能保证必要的室温。实践证明,我国的采暖室外计算温度是偏低的。不少设计部门结合当地实际情况,已经将原规定的采暖室外计算温度作了修正。如包头原规定一26oc;改为一23oc

为什么辐射采暖比对流采暖计算温度低23度

4，同步整流的工作原理是什么

同步整流技术采用通态电阻极低的电力MOSFET来取代整流二极管,能大大降低整流电路的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流器的需要。本文从分析《电力电子技术》教材中同步整流电路的原理图着手,介绍了电力MOSFET的反向电阻工作区及同步整流技术的基本原理,并对同步整流电路中的驱动电路和栅极电压波形进行了分析。同步整流的基本电路结构：功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。PS7516和PS7616是锂电池升压输出5V1A,2A的同步整流升压经典IC，FP6717，FP6716也是锂电池升压输出5V3A，5V2A中的佼佼者。为什么要应用同步整流技术：电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。

5，我们使用了一台树脂浇注干式整流变压器其中B相温度比A相高出

这个温度是正常的，因为干式变压器主要靠空气流动散热，而B相在中间，相对于A和C相散热条件差，存在二十几度的温差很正常，一般干式变压器冷却风机自动启动条件是85度，保护跳闸超出100度。如果你想改变这个情况，只能改善变压器散热条件，外加风散或空调强制散热。每相间的温差就会小了。

好巧、我也是海南金盘的，这个温度属于正常，如果你还是不放心的话，建议你把探头重新插一下，可能是没插好，B肯定会比AC高的，可能是变压器环境的问题，温度有点高，不影响使用，放心吧。

基本正常，正常使用时，只要不超过额定温升，可以使用。再看看别人怎么说的。

6，同步整流管与其他整流管有什么不同

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管：耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

7，除铁器励磁线圈三相整流桥缺一相对电流和温度有何的影响

如果三相整流桥缺一相,输出的直流电流有郊值就会降低,除铁器的电磁吸力就会减弱,效能就会降低,达不到设计要求.至于能不能达到使用要求,就要看当初设计的电磁吸力超出实际使用值多大范围了.设计合理的除铁器正常工作下是温升很低,电流减小后,温长升就更低了.

励磁电流电压都下降。发电机会吸收大网无功，发电机保护会过流跳闸。

缺相直接导致整流后的直流电压电流也随之降低，电流降低会直接导致磁力降低，温度的话，低效率使用温度的话会升的慢很多。。但是时间长了照样升起来。

你好！如果三相整流桥缺一相,输出的直流电流有郊值就会降低,除铁器的电磁吸力就会减弱,效能就会降低,达不到设计要求.至于能不能达到使用要求,就要看当初设计的电磁吸力超出实际使用值多大范围了.设计合理的除铁器正常工作下是温升很低,电流减小后,温长升就更低了.希望对你有所帮助，望采纳。

8，同步整流管与其他整流管有什么不同

9，DCDC变换器

DC/DC变换器 BOOST DC/DC变换器又称升压斩波器或者升压转换器。DC/DC变换器的原理是通过自激震荡电路把输入的直流电转变为交流电，再通过变压器改变电压之后再转换为直流输出，或者通过倍压整流电路将交流电路转换成高压直流电输出。当控制信号Ui为高电平时，开关管Q导通，能量从输入电源流入，储存于电感L中，由于Q导通时其饱和压降很小，所以二极管D反偏而截止，此时存储在滤波电容C中的能量释放给负载。当控制信号Ui为低电平时，开关管VT截止，由于电感L中的电流不能突变，它所产生的感应电势将阻止电流的减小，感应电势的极性是左负右正，使二极管D导通，此时存储在电感L中的能量经二极管D对滤波电容C充电，同时提供给负载。电路设计：主要要确定的元器件是输出滤波电容C、电感L、开关管VT和二极管D。

dc/dc转换器目录一. 电荷泵 1. 工作原理2. 倍压模式如何产生3. 效率4. 电荷泵应用5. 电荷泵选用要点二. 电感式dc/dc 1. 工作原理（buck）2. 整流二极管的选择3. 同步整流技术4. 电感器的选择5. 输入电容的选择6. 输出电容的选择7. boost 与 buck的拓扑结构一. 电荷泵 1. 工作原理2. 倍压模式如何产生3. 效率4. 电荷泵应用5. 电荷泵选用要点二. 电感式dc/dc 1. 工作原理（buck）2. 整流二极管的选择3. 同步整流技术4. 电感器的选择5. 输入电容的选择6. 输出电容的选择7. boost 与 buck的拓扑结构展开　　dc/dc是开关电源芯片。　　开关电源，指利用电容、电感的储能的特性，通过可控开关（mosfet等）进行高频开关的动作，将输入的电能储存在电容（感）里，当开关断开时，电能再释放给负载，提供能量。其输出的功率或电压的能力与占空比（由开关导通时间与整个开关的周期的比值）有关。开关电源可以用于升压和降压。　　我们常用的dc-dc产品有两种。一种为电荷泵（charge pump），一种为电感储能dc-dc转换器。本文详细讲解了这两种dc/dc产品的相关知识。编辑本段一. 电荷泵　　电荷泵为容性储能dc-dc产品，可以进行升压，也可以作为降压使用，还可以进行反压输出。电荷泵消除了电感器和变压器所带有的磁场和电磁干扰。 1. 工作原理　　电荷泵是通过外部一个快速充电电容（flying capacitor），内部以一定的频率进行开关，对电容进行充电，并且和输入电压一起，进行升压（或者降压）转换。最后以恒压输出。　　在芯片内部有负反馈电路，以保证输出电压的稳定，如上图vout ，经r1,r2分压得到电压v2，与基准电压vref做比较，经过误差放大器a，来控制充电电容的充电时间和充电电压，从而达到稳定值。　　电荷泵可以依据电池电压输入不断改变其输出电压。例如，它在1.5x或1x的模式下都可以运行。当电池的输入电压较低时，电荷泵可以产生一个相当于输入电压的1.5倍的输出电压。而当电池的电压较高时，电荷泵则在1x模式下运行，此时负载电荷泵仅仅是将输入电压传输到负载中。这样就在输入电压较高的时候降低了输入电流和功率损耗。 2. 倍压模式如何产生　　以1.5x mode为例讲解：电压转换分两个阶段完成。　　第一阶段　　在第一阶段， c1和c2串联。假设c1=c2，则电容充电直到电容电压等于输入电压的一半　　vc1+-vc1-=vc2+-vc2-=vin/2 　　第二阶段　　在第二阶段，c1和c2并联，连接在vin和vout之间。　　vout=vin+vin/2=1.5vin 3. 效率　　电荷泵的效率是根据电荷泵的升压模式，输入电压和输出电压所决定，如果是以2倍压模式进行升压，那么它的效率为vout/2vin。输入电压越小，效率越高。 4. 电荷泵应用　　在我们的设计中，电荷泵经常被用作白光led驱动，一般在手机中应用于并联lcd背光驱动芯片。而串联背光驱动芯片则应选择电感式的dc/dc，因为它对电压要求较高。 5. 电荷泵选用要点　　选用电荷泵时考虑以下几个要素：　　· 转换效率要高　　· 静态电流要小，可以更省电；　　· 输入电压要低，尽可能利用电池的潜能；　　· 噪音要小，对手机的整体电路无干扰；　　· 功能集成度要高，提高单位面积的使用效率，使手机设计的更小巧；　　· 足够的输出调整能力，电荷泵不会因工作在满负荷状态而发烫；　　· 封装尺寸小是手持产品普遍要求；　　· 按装成本低，包括周边电路少占pcb板面积小，走线少而简单；　　· 具有关闭控制端，可在长时间待机状态下关闭电荷泵，使供电电流消耗近乎为0。编辑本段二. 电感式dc/dc 　　它是通过电感不断的储能/放电，最后达到稳定电压/电流输出的转换器。根据输出电压与输出电压的高低比较，可以分为boost（输出电压远高于输入电压）和buck（输出电压低于输入电压）。它们的拓扑结构不同。　　boost一般用于lcd串联背光驱动以及oled驱动，一般使用得输出电压在十几伏。　　buck 用于多媒体协处理器的核电压。 1. 工作原理（buck）　　上图降压转换器最基本的电路：是利用mosfet开关闭合时在电感器中储能，并产生电流。当开关断开时，贮存的电感器能量通过二极管输出给负载。输出电压值与占空比（开关开启时间与整个开关周期之间的比）有关。 2. 整流二极管的选择　　该二极管必须具有与输出电压相等或更大的反向额定电压。其平均额定电流必须比所期望的最大负载电流大得多。其正向电压降必须很低，以避免二极管导通时有过大的损耗。此外，因为mosfet工作于高频开关模式，所以需要二极管具有从导通状态到非导通状态时，很快恢复。反应速度越快，dc/dc的效率越高。　　肖特基二极管(而非传统的超快速二极管)具有更低的正向电压降和极佳的反向恢复特性。 3. 同步整流技术　　同步整流是采用通态电阻极低的专用功率mosfet，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高dc/dc变换器的效率。功率mosfet属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率mosfet做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。　　当输出电压降低时，二极管的正向电压的影响很重要，它将降低转换器的效率。物理特性的极限使二极管的正向电压降难以降低到0.3v以下。相反，可以通过加大硅片的尺寸或并行连接分离器件来降低mosfet的导通电阻rds(on)。因此，在给定的电流下，使用一个mosfet来替代二极管可以获得比二极管小很多的电压降。　　在同步降压转换器中，通过用两个低端的mosfet来替换肖特基二极管可以提高效率（图1b）。这两个mosfet必须以互补的模式驱动，在它们的导通间隙之间有一个很小的死区时间（dead time），以避免同时导通。同步fet工作在第三象限，因为电流从源极流到漏极。 4. 电感器的选择　　随着开关的打开和闭合，升压电感器会经历电流纹波。一般建议纹波电流应低于平均电感电流的20%。电感过大将要求使用大得多的电感器，而电感太小将引起更大的开关电流，特别在输出电容器中，而这又要求更大的电容器。　　电感值的选择取决于期望的纹波电流。如等式1所示，较高的vin或vout也会增加纹波电流。电感器当然必须能够在不造成磁芯饱和(意味着电感损失)情况下处理峰值开关电流。　　由公式可以得出：　　（1）开关频率越高，所需的电感值就可以减小；　　（2）电感值增大，可以降低纹波电流和磁芯磁滞损耗。但电感值的增大，电感尺寸也相应的增大，电流变化速度也减慢。　　为了避免电感饱和，电感的额定电流值应该是转换器最大输出电流值与电感纹波电流之和。　　电感的直流电阻(rdc)，取决于所采用的材料或贴片电感器的构造类型，在室温条件下通过简单的电阻测量即可获得。rdc的大小直接影响线圈的温度上升。因此，应当避免长时间超过电流额定值。　　线圈的总耗损包括rdc中的耗损和下列与频率相关联的耗损分量：磁芯材料损耗(磁滞损耗、涡流损耗)；趋肤效应造成的导体中的其他耗损(高频电流位移)；相邻绕组的磁场损耗(邻近效应)；辐射损耗。　　将上述所有耗损分量组合在一起构成串联耗损电阻(rs)。耗损电阻主要用于定义电感器的品质。然而，我们无法用数学方法确定rs，一般采用阻抗分析仪在整个频率范围内对电感器进行测量。　　电感线圈电抗(xl)与总电阻(rs)之比称为品质因素q，参见公式(2)。品质因素被定义为电感器的品质参数。损耗越高，电感器作为储能元件的品质就越低。　　品质—频率图可以帮助选择针对特定应用的最佳电感器结构。如测量结果图2所示，可以将损耗最低(q值最高)的工作范围定义为一直延伸到品质拐点。如果在更高的频率使用电感器，损耗会剧增(q降低)。　　良好设计的电感器效率降低微乎其微。不同的磁芯材料和形状可以相应改变电感器的大小/电流和价格/电流关系。采用铁氧体材料的屏蔽电感器尺寸较小，而且不辐射太多能量。选择何种电感器往往取决于价格与尺寸要求以及相应的辐射场/emi要求。 5. 输入电容的选择　　因为buck有跳跃的输入电流，需要低esr的输入电容，实现最好的输入电压滤波。输入电容值必须足够大，来稳定重负载时的输入电压。如果用陶瓷输出电容，电容rms纹波电容范围应该满足应用需求。　　陶瓷电容具有低esr值，表现出良好的特性。并且与钽电容相比，陶瓷电容对瞬时电压不敏感。 6. 输出电容的选择　　输出电容器的有效串联电阻(esr)和电感器值会直接影响输出纹波电压。利用电感器纹波电流((il)和输出电容器的esr可以简单地估测输出纹波电压。　　输出电压纹波是由输出电容的esr引起的电压值，和由输出电容冲放电引起的电压纹波之和　　有些厂家的dc/dc产品的内部由补偿环路，以实现最佳的瞬态响应和环路稳定性。当然，内部补偿能够理想地支持一系列工作条件，而且能够敏感地响应输出电容器参数变化。 7. boost 与 buck的拓扑结构　　如上图，boost 与 buck电路结构不一样, boost 电路是电感在输入电源与升压整流管之间, 开关管接电源地. buck 是电感在开关管与出电源之间,续流二级管反向接开关管与电源地

10，现代家庭多用断路器替代保险丝这样做的好处是

热断路器的作用是达到一定的温度自动断开电路. 而保险丝的作用是"电流"超过 FUSE的负荷时熔断电路.更方便，不用换保险丝

最大优点是自动断开电路，不用换保险丝，更实用。

断路器按其使用范围分为高压断路器，和低压断路器，高低压界线划分比较模糊，一般将3kv以上的成为高压电器。低压断路器又称自动开关，它是一种既有手动开关作用，又能自动进行失压、欠压、过载、和短路保护的电器。它可用来分配电能，不频繁地启动异步电动机，对电源线路及电动机等实行保护，当它们发生严重的过载或者短路及欠压等故障时能自动切断电路，其功能相当于熔断器式开关与过欠热继电器等的组合。而且在分断故障电流后一般不需要变更零部件，一获得了广泛的应用。分类：按操作方式分有：电动操作、储能操作和手动操作。按结构分有：万能式和塑壳式。按使用类别分有：选择型和非选择型。按灭弧介质分有：油浸式、真空式和空气式。按动作速度分有：快速型和普通型。按极数分有：单级、二级、三级和四级等。按安装方式分有：插入式、固定式和抽屉式等。高压断路器(或称高压开关)是变电所主要的电力控制设备,具有灭弧特性,当系统正常运行时,它能切断和接通线路及各种电气设备的空载和负载电流;当系统发生故障时,它和继电保护配合,能迅速切断故障电流,以防止扩大事故范围.因此,高压断路器工作的好坏,直接影响到电力系统的安全运行；高压断路器种类很多，按其灭弧的不同，可分为：油断路器（多油断路器、少油断路器）、六氟化硫断路器（SF6断路器）、真空断路器、压缩空气断路器等保险丝由电阻率比较大而熔点较低的铅锑合金制成的导线叫做保险丝。保险丝也被称为熔断器，IEC127标准将它定义为"熔断体（fuse-link)"。它是一种安装在电路中，保证电路安全运行的电器元件。保险丝的作用是：当电路发生故障或异常时，伴随着电流不断升高，并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件，也有可能烧毁电路甚至造成火灾。若电路中正确地安置了保险丝，那么，保险丝就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候，自身熔断切断电流，从而起到保护电路安全运行的作用。最早的保险丝于一百多年前由爱迪生发明，由于当时的工业技术不发达白炽灯很贵重，所以，最初是将它用来保护价格昂贵的白炽灯的。保险丝的工作原理是怎样的？我们都知道，当电流流过导体时，因导体存在一定的电阻，所以导体将会发热。且发热量遵循着这个公式：Q=0.24I2RT；其中Q是发热量，0.24是一个常数，I是流过导体的电流，R是导体的电阻，T是电流流过导体的时间；依此公式我们不难看出保险丝的简单的工作原理了。当制作保险丝的材料及其形状确定了，其电阻R就相对确定了（若不考虑它的电阻温度系数）。当电流流过它时，它就会发热，随着时间的增加其发热量也在增加。电流与电阻的大小确定了产生热量的速度，保险丝的构造与其安装的状况确定了热量耗散的速度，若产生热量的速度小于热量耗散的速度时，保险丝是不会熔断的。若产生热量的速度等于热量耗散的速度时，在相当长的时间内它也不会熔断。若产生热量的速度大于热量耗散的速度时，那么产生的热量就会越来越多。又因为它有一定比热及质量，其热量的增加就表现在温度的升高上，当温度升高到保险丝的熔点以上时保险丝就发生了熔断。这就是保险丝的工作原理。们从这个原理中应该知道，您在设计制造保险丝时必须认真地研究您所选材料的物理特性，并确保它们有一致几何尺寸。因为这些因素对保险丝能否正常工作起了致关重要的作用。同样，您在使用它的时候，一定要正确地安装它。保险丝的构造如何？各有什么功效？又有什么要求？一般保险丝由三个部分组成：一是熔体部分，它是保险丝的核心，熔断时起到切断电流的作用，同一类、同一规格保险丝的熔体，材质要相同、几何尺寸要相同、电阻值尽可能地小且要一致，最重要的是熔断特性要一致；二是电极部分，通常有两个，它是熔体与电路联接的重要部件，它必须有良好的导电性，不应产生明显的安装接触电阻；三是支架部分，保险丝的熔体一般都纤细柔软的，支架的作用就是将熔体固定并使三个部分成为刚性的整体便于安装、使用，它必须有良好的机械强度、绝缘性、耐热性和阻燃性，在使用中不应产生断裂、变形、燃烧及短路等现象；电力电路及大功率设备所使用的保险丝，不仅有一般保险丝的三个部分，而且还有灭弧装置，因为这类保险丝所保护的电路不仅工作电流较大，而且当熔体发生熔断时其两端的电压也很高，往往会出现熔体已熔化（熔断）甚至已汽化，但是电流并没有切断，其原因就是在熔断的一瞬间在电压及电流的作用下，保险丝的两电极之间发生拉弧现象。这个灭弧装置必须有很强的绝缘性与很好的导热性，且呈负电性。石英砂就是常用的灭弧材料。另外，还有一些保险丝有熔断指示装置，它的作用就是当保险丝动作（熔断）后其本身发生一定的外观变化，易于被维修人员发现，例如：发光、变色、弹出固体指示器等。按保护形式分，可分为：过电流保护与过热保护。用于过电流保护的保险丝就是平常说的保险丝（也叫限流保险丝）。用于过热保护的保险丝一般被称为"温度保险丝"。温度保险丝又分为低熔点合金形与感温触发形还有记忆合金形等等（温度保险丝是防止发热电器或易发热电器温度过高而进行保护的，例如：电吹风、电熨斗、电饭锅、电炉、变压器、电动机等等；它响应于用电电器温升的升高，不会理会电路的工作电流大小。其工作原理不同于"限流保险丝"）。按使用范围分，可分为：电力保险丝、机床保险丝、电器仪表保险丝（电子保险丝）、汽车保险丝。按体积分，可分为：大型、中型、小型及微型。按额定电压分，可分为：高压保险丝、低压保险丝和安全电压保险丝。按分断能力分，可分为：高、低分断能力保险丝。按形状分，可分为：平头管状保险丝（又可分为内焊保险丝与外焊保险丝）、尖头管状保险丝、铡刀式保险丝、螺旋式保险丝、插片式保险丝、平板式保险丝、裹敷式保险丝、贴片式保险丝。按熔断速度分，可分为：特慢速熔断器（一般用TT表示）、慢速熔断器（一般用T表示）、中速熔断器（一般用M表示）、快速熔断器（一般用F表示）、特快速熔断器（一般用FF表示）。按标准分，可分为：欧规保险丝、美规保险丝、日规保险丝。按类型分，可分为：贴片保险丝，温度保险丝，自复保险丝，自恢复保险丝，微型保险丝，超小型保险丝，管状保险丝。智能电子保险丝对于大多数采用电感的非同步整流升压型开关变换器，其输入和输出之间都存在一条直流通路，如图1所示。该通路的存在会造成两种不良后果：其一，一旦输出短路或严重过载时间超出几百毫秒将导致二极管（通常为肖特基二极管）过热损坏；其二，当由于某种原因，比如人为关闭，使开关振荡电路停止工作，负载端仍然有电压存在，只是比输入端低一个二极管的管压降而已，这时输出仍会消耗能量。除此之外，如果该残存电压低于负载稳态工作电压范围，将使电路处于不确定状态。对于输出电流相对较小的应用场合（小于5A），利用单片电流模式控制器和高端电流取样技术，上述两个问题都可以很好地解决。在这些电路中，二极管被一同步整流开关三极管取代，因此通过关闭内部开关三极管就可把输入输出通路截断，这样一来，负载端对输入端来说就呈高阻状态，而这正是所希望的结果。在正常工作状态，电路内部的高端取样电阻对负载电流周期性地进行采样，因此避免了因过流导致灾难性后果出现。因此，内部过热保护电路为变换器提供了安全工作区（SAO）。介绍了一种简单的方案，其中MAX668是一个开关控制器，由它完成升压功能。电流反馈型升压控制器（MAX668）驱动低端逻辑电平N沟道增强型MOSFET，该开关管通过低端电流取样电阻到地。高端开关是一肖特基二极管，选择它主要是它具有低的正向导通压降。由图可见，升压变换器的拓扑基本结构未被破坏。本应用中，MAX668把3.3V电压变为5V，负载电流可达3A。其中P沟道增强型MOSFET——Q1是实现负载断路的关键元件。当MAX668在关闭模式时，二极管D1仍然导通，使得MAX810L的电源端的电压为3.3V减去二极管D1的管压降。由于MAX810L的复位门槛电平为4.65V，因此其RESET端输出为高电平，迫使Q1关断，从而使负载与输入电源断开。MAX668通过外部反馈电阻网络设定5V输出电压。当输出电压超MAX810L的复位门槛电平时，其内部单稳电路开始工作并延时约240ms。之后，MAX810L的输出变低，使Q1导通。 Q1导通之后，MAX810L一直监测输出电压以确定输出是否过流。过载将会导致输出电压下降，当它低于MAX810L门槛电平时，MAX810L的输出经过20μs的延迟后由高变低，从而关断Q1并使负载断开。由于MAX668的升压作用，MAX810电源端电压又会高于其门槛电平，240ms的复位延迟时间后，MAX810L输出再次由高变低，开通Q1并自动再次连通负载。上述过程会一直周期性重复下去，除非移去多余负载或将MAX668关闭使其停止工作。因此MAX810L和开关Q1一起构成了一个固态开关（电子保险丝）。 MAX810L（微功耗器件）具有非平衡推挽输出级。当对外输出电流时，它等效于一个6kΩ电阻；当从外汲取电流时，它等效于一个125Ω的电阻。当导通或关断Q1时，由于MAX810L的电阻阻止了Q1的密勒电容和栅源电容快速充放电，因此使开关瞬态过程得以减慢。假定Q1总的等效电容为5000pF时，则MAX810汲取电流时（等效于125Ω电阻）大电流三极管的RC电路的时间常数约为0.6μs。整个导通过程电压瞬态响应时间大约为10RC=6μs。完全关断同样开关Q1的时间大约是完全导通时间的48倍。当外部负载或C2在启动瞬间要汲取较大电流时，快速导通Q1可能使MAX810输入电压低于其复位门槛电压从而导致复位出现，因此在图2基础上再增加一RC网络以减缓其开通过程（如图3所示）。合适地选择R、C可使负载连接过程延续到几个MAX668开关工作周期，使MAX668的输出电压一直高于MAX810的复位门槛电压。假如R、C使Q1的导通时间延长，同时也延长了关断时间，这是不希望出现的结果。因此需要在电阻上并联一肖特基二极管，以加速当负载过载时关闭Q1的进程。为了获得增强型通道及较低的导通电阻，上述电路均需要采用逻辑电平控制的P沟道MOSFET，如果Q1的导通电阻值较大且在其两端产生较大的压降（特别是低输出电压应用场合或负载离电源的距离较远时），则应该从Q1漏极端反馈电压调节输出。设计电路时，必须最小化寄生参数同时仔细考虑电路布局。利用一个SOT23封装的低电压模拟开关（MAX4544）可实现上述远端调节，该开关受控于MAX810L的输出，如图4所示。根据MAX4544产品参数，其最低工作电压为2.7V。由于输入电压为3.3V，而肖特基的正向管压降为0.3V，因此即使该升压变换处于关闭模式，MAX4544（及MAX810）也处于工作状态。此时，MAX810输出高电平，MAX4544的公共端COM与其常开端NO（Q1的源极）相连。当MAX668使能时，与MAX4544公共端相连的电阻网络为MAX668提供反馈电压。由于5V电压时MAX4544的导通电阻最大可达60Ω，因此为了得到最小输出电压误差，反馈电阻的取值应该很大。由于3V工作电压时，MAX4544的导通电阻仅为120Ω，因此开关MAX4544引入的误差电压很小，即使低输出电压也是如此。当使能升压变换器，且其输出电压超过MAX810的复位门槛电平并经过复位延迟后，MAX810的输出将由高变低，使Q1导通，连通负载。同时，MAX810输出的低电平使MAX4544的COM端与NC端（常闭端）接通，使得反馈电阻由Q1的源极切换至Q1的漏极，从而允许从远离变换器的负载端对输出电压进行调节。上述MAX4544的开关过程也把MAX810的输入端从Q1的源极切换到Q1的漏极，这样一来，MAX810可以用来监测负载是否过载。