mos管尖峰比平台多少合理，焊机IGBT管比MoS管好在哪里求帮解它们都发挥着怎样的作用

来源：整理时间：2023-03-23 20:47:14 编辑：亚灵电子网手机版

1，焊机IGBT管比MoS管好在哪里求帮解它们都发挥着怎样的作用

IGBT因为封装了一颗快恢复二极管，因此更耐尖峰电流的冲击，而MOS管开关频率更高，相应速度更快。

焊机IGBT管比MoS管好在哪里求帮解它们都发挥着怎样的作用

2，开关管上的尖峰很大怎么解决

改善办法：加软启动，或RCD的D用软恢复(如1N4007，记得串个几十R电阻）

尖峰电流的产生：其中一个方面是开关变压器的漏感太大了。另外请检测变压器的抗饱和能力。比如：初级工作电流多大，就给变压器初级加等同的电流值（或者略大的电流值）测试初级电感的衰减值。基本可以检测变压器的抗饱和能力。消除尖峰电流：在mos管脚套上磁珠。磁珠的磁滞回线最好是矩形的、高磁导率的。估计套普通的镍锌磁珠，效果不理想。如果还有问题请到大比特论坛问我，如果帮上了你的忙还望采纳答案！

可以在变压器一侧并联：一个二极管串一个MLCC（选择最大：要比MOS的寄生电容小1倍）的电容做回收回路。

开关管上的尖峰很大怎么解决

3，如何从规格书中可看出是CoolMOS还是平面MOS

规格书里开头说明中会描述MOS加工工艺

1、cool-mos是英飞凌推出的新产品，其中c3系列是最有代表性，因为其性能参数都比别的品牌好，但价格相当高。2、它跟普通的mos管最有价值的不同之处是rds（on）只有普通mos管的一半左右，用cool-mos取代普通mos管，是可以降低损耗，提高效率的。另外，还有就是（1）同等功率下封装小，有利于电源小型化；（2）栅极开启电压限高，搞干扰能力强；（3）栅极电荷小，驱动功率小；（4）节电容小，开关损耗小。目前广泛应用在通信电源，光伏逆变器等行业。3、近几年其他mos管厂家也逐渐用相同的技术推出自己的产品。比如，富士的新产品是sj-mos，其特点是和cool-mos的rds（on）相同，而由于留的余量没有英飞凌的多，所以价格相当有优势。

如何从规格书中可看出是CoolMOS还是平面MOS

4，为什么VDS电压和输出二极管电压与计算值相差这么大

这个匝比的确可以，我做的第一款电源是12V6A输出的，匝比是8.75，这个匝比也算比较大了，二极管峰值不到60V，跟理论值相差不大。但是这个120W的二极管电压就跟理论值相差太远了，难道是因为这个电源次级匝数太多，导致漏感太大？关于书上写的那么大的匝比，我感觉600V的MOS压力很大，因为我那个12V6A电源，RCD吸收回路用快恢复二极管的话，尖峰有560V，我用慢管，才将尖峰压到530V，也可能是我初级绕组漏感太大了

你说的理论计算值都是平台处电压，不包括尖峰电压。初级有漏感，次级一样有漏感，解决办法通常是尽量让变压器耦合紧密，比如三明治，初次级绕组尽量整层，初次级层数不易太多;然后就是合理优化吸收参数。600VMOS够用了，当然高压输出为了追求高效率使用低压二级管，可以取高匝比，把电压应力转移到MOS上去，这时候就要MOS耐压高点。

说错了，匝比是3.27

5，怎么样选型 MOSFETMOS管选型四大要点

法则之一：用N沟道orP沟道　　选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。　　法则之二：确定MOS管的额定电流　　该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。　　法则之三：选择MOS管的下一步是系统的散热要求　　须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。　　法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能　　影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。

6，场效应管尖峰吸收回路设计问题

1. 功率是 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) *F（Hz）。2. 钳位电压一般选择为反射电压的1.4倍左右选取电阻和电容时，应先估算几个参量，匝比，初级峰值电流，钳位电压，另外有些参数不可忽略如次级整流管压降，变压器二次侧漏感（尤其匝比比较大的时候）。有了这些参数之后，基本可以计算电阻了，P=V^2/R即可，选择一个纹波电压值Vr，如选为钳位电压的10%，C=I*T/Vr即可。初步选定后，整机再做调整，即可得到合适的参数。离线式的反激电源，100K左右的频率，最终的参数一般电阻为几十千欧，电容为几纳法，否则计算的一定不合理或设计的不合理。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。　　FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。　　功率是 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) *F（Hz）。　　钳位电压一般选择为反射电压的1.4倍左右。　　选取电阻和电容时，应先估算几个参量，匝比，初级峰值电流，钳位电压，另外有些参数不可忽略如次级整流管压降，变压器二次侧漏感（尤其匝比比较大的时候）。有了这些参数之后，基本可以计算电阻了，P=V^2/R即可，选择一个纹波电压值Vr，如选为钳位电压的10%，C=I*T/Vr即可。初步选定后，整机再做调整，即可得到合适的参数。离线式的反激电源，100K左右的频率，最终的参数一般电阻为几十千欧，电容为几纳法，否则计算的一定不合理或设计的不合理。

你好！这个压敏电阻,你不要理解成串联在电路上的,不错,你说对了一样,这个压敏电阻相对负载来说, 是串联的.但对于继电器来说,它是和继电器输出端并联在一起的,因为固态继电器是非接触触点式的,也就是说它的输出端是可控硅或三极管或场效应管等这些电子器件组成的,所以它的输出端两端就存在一个能承受最高电压的问题,如果输出端电压超过内总电路的最高耐压,就会使输出端击穿短路,你这个电路中,当这个开关关闭时,在固态继电器输出端两端不导通,所以它两端的电压是这个电路中的电源电压,如果这个电源波动大,当电源电压瞬间波动大于继电器最高承受电压,会使继电器输出端击穿,所以才在输出端并接压敏电阻,来吸收浪涌电压,起到保护继电器的作用!如果对你有帮助，望采纳。

7，CMOS逻辑电路的MOS参数

1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 。4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内。6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内。7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间。8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小。

cd4000和cd4500系列cmos逻辑电路通常标称最大输出能力高低电平均为6.8毫安，但速度较低。74系列cmos逻辑电路种类繁多，速度比cd4000和cd4500系列高许多倍。输出能力也不同，从几毫安到几十毫安，这些输出电流是指在保持驱动逻辑电平定义区域的电流输出，超出驱动逻辑电平定义区域，其电流输出能力还要高一倍到几倍，有些上百毫安。比如逻辑电路输出接大功率晶体管切换继电器，就可以不考虑逻辑驱动电平定义区域。以8驱动器74244为例，以下为74系列中全部使用（如74hc）或部分使用（如74abt)cmos技术的ic，不包括纯双极型，如74ls,74f等。低为低电平吸入电流，高为高电平扇出电流，单位为毫安。型号低高-----------------------------------------74abt244 64 3274ac244 24 2474act244 24 2474acq244 24 2474hac244 8 874haalb16244 24 2474alvc244 24 2474alvch244 24 2474alvt1624 64 3274alvtc16244 64 3274alvth162244 12 874avc244 12 874avc+244 12 874avch244 12 1274bct244 64 1574c244 70 7074hc244 8 874hct244 8 8c74lcx244 24 24c74lcxh1624 12 12c74lcxz1624 12 1274lvc244 24 2474lvch244 24 2474lvcz244 24 2474lvq244 12 1274lvt244 64 3274lvtch16244 24 2474lvth244 64 3274lvtn16244 64 32c74lvx244 4 474vcx16244 24 2474vcxh16244 24 2474vhc244 8 874vhct244 8 8