DDR阻抗多少，正常情况下音箱阻抗是多少

1，正常情况下音箱阻抗是多少

大多数为8欧，少数为4欧，极少数为2欧

正常情况下音箱阻抗是多少

2，普通电脑音箱的输入阻抗是多少

普通电脑音箱均为有源音箱，它的放大器输入电阻不低于kΩ级别，通常为几十kΩ。

普通电脑音箱的输入阻抗是多少

3，电脑内存DDR要多少

1G的30多。2G的135，这是我这里的价

245左右

电脑内存DDR要多少

4，高频信号发生器输出阻抗一般为多少

实验仪器一般是50欧，民用的有75欧的

你好！一般为200ms如果对你有帮助，望采纳。

5，笔记本内存ddr3的针脚是多少

1、DDR(俗称一代)内存工作电压仅为2.25V，频率为333MHz、400MHz针脚数(俗称的金手指)为200个；台式DDR内存为180针脚，频率也有400MHz的。2、DDR2(俗称二代)内存的工作频率从667MHZ到1066MHZ不等，工作电压为1.8V,笔记本上用的DDR2全部为200针脚，频率有667、800、900；台式DDR2内存频率有667、800、900、1150、1066，有240个针脚。3、DDR3(俗称三代)内存频率有1066、1333、1600、1800、1866、2000MHZ，但是笔记本用的DDR3内存只有1066MHz这个频率的，其工作电压为1.5V，有204个针脚。

204针，和台式不一样

240pin是台式机用的不需要过分考虑阵脚的问题，你购买的时候，优先选择和机器内相同品牌的内存，最好频率也相同，但如果该频率的内存已经很少销售了，那就选择高频率的，内存会自动降低频率，以适应低频率的内存。如果相同品牌的内存不好找的话，多数人会选择配金士顿的内存，只要是ddr3的，基本都能满足需要。但内存存在一定的不兼容可能，而且可能很久以后才暴露出来

6，ddr3的具体参数

ddr3 ddr2 ddr都是有古老的SDRAM内存发展而来的，他们与SDRAM内存最大的不同就是加入了DDR:Double Date Rate双倍传输技术。而ddr2以及ddr3则是双倍传输技术第2代和第3代它们在双倍传输技术上加入了4-bit与8-bit数据预读技术。简单的说4-bit/8-bit数据预读就是将内存单元队列与内存I/O缓存之间的传输线路由ddr内存的2条分别增加到4条与8条这样，在相同的工作频率下，一个时钟周期内，ddr2与ddr3内存的数据传输率就是ddr内存的2倍与4倍其他方面ddr3具备更好的电气性能电压为1.5v ddr2内存电压1.8v

DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显： (1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 (2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 (3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 (4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

7，内存DDR3的参数是多少

一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：　　DDR3 　　1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。　　2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。　　3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。　　二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处：　　1.突发长度（Burst Length，BL）　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。　　2.寻址时序（Timing）　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。　　3.DDR3新增的重置（Reset）功能　　重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。