普通贴片电容的esr是多少，请问一般的贴片电容精度是多少常用的就行

来源：整理时间：2022-12-25 11:33:48 编辑：亚灵电子网手机版

1，请问一般的贴片电容精度是多少常用的就行

贴片电容常用的有K、M、Z+/-10、20、+80/-20，材质有COG、X7R、Y5V等，COG的最稳定，其次是X7R、Y5V是容量漂移最大的

贴片电解电容一般为+—10%和20%贴片电阻一般为+-5%和+-1%

请问一般的贴片电容精度是多少常用的就行

2，贴片电容的单位换算是怎样的

电容容量单位为“法拉”,用字母“F”表示.比F小的单位还有MF(兆法)μF ,(微法),NF(毫微法) ,PF(微微法)在1F=1000Mf=1000000μf=1000000000nf=1000000000000Pf1μf=1000nf=1000000pF1nf=1000pf

贴片电容的单位换算是怎样的

3，什么是电容的esr

串联等效电阻，电容器因为工艺、结构等原因，存在一个等效电阻，实际的电容器相当于一个电阻与理想电容器串联的结构

不是具体的，只能是大概比较，也和频率有关，常见的电容esr由小到大的顺序分别是：陶瓷电容的最小，金膜电容，高分子固体铝电解，钽电解，普通铝电解，超级电容.

什么是电容的esr

4，450v680uf电解电容的esr是多少

这个等效串联电阻数值不太确定，大概在0.2欧姆上下，不同的品牌可以相差很多，最好用RLC电桥实测。

村田电容 grm21br61d106ke15 其静电容量是 10uf 额定电压是20v 温度特性是x5r 公差是±10%日本村田的贴片电容，您是否考虑？我们开合通代理日本村田电容

5，铝电解电容的ESR值

铝电解电容的ESR值主要使用在高频电路的一个参数，LOW ESR对高频电路效果好。电容的ESR是根据每家的工艺决定，反过来讲什么样的ESR值是你要求定的。400V100uf 都算是大电容了，一般就会关注电流了

专业仪器的LCR电桥可以测量电容的ESR

铝电解电容的ESR值一般较高，有些种类电容的ESR甚至会高达数欧姆。1、电容的ESR是指电容的等效串联电阻或阻抗。理想的电容是没有电阻的，但是实际上任何电容都有电阻，这个电阻值和电容的材料、结构有关系。由ESR引发的电路故障通常很难检测，而且ESR的影响也很容易在设计过程中被忽视。在仿真的时候如果无法选择电容的具体参数，可以尝试在电容上人为串联一个小电阻来模拟ESR的影响，通常钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的ESR甚至会高达数欧姆。2、在开关电源中电容的ESR直接影响电容的效果，它比电容的容量还重要，事实上电容容量一般都是在120Hz下测量的值，当工作频率提高时电容容量会急剧降低，甚至根本不能启动电容的作用。3、一般而言应该选择ESR小店电容。在不同的电容类别中电解电容的ESR通常最大，钽电容次之，陶瓷电容最佳。即使是电解电容中也分普通电解电容和低ESR的电解电容。同样容量同样耐压的电解电容，体积大的往往ESR小。同样容量不同耐压的电解电容，耐压高度往往ESR小。同样耐压同样容量的电容，105度比85度的ESR要小。4、可以把实际电容简单等效为一个理想电容跟一个电阻的串联。这个等效串联电阻会降低电容的瞬时充放电能力，对电容的性能有不利影响，越小越好，但是通常ESR越小电容就越贵。5、电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。散逸因数存在于所有电容器中，此参数愈低愈好。但铝电解电容此参数比较高。

6，贴片电容的ESR是什么意思

ESR是电容的一个参数，叫等效串联电阻，可以理解为电容的内阻。

，是equivalentseriesresistance三个单词的缩写，翻译过来就是“等效串连电阻”。　　理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串连在一起，所以就起了个名字叫做“等效串连电阻”。　　esr的出现导致电容的行为背离了原始的定义。　　比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。但是有了esr，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源啦一类的，都使用低esr的电容器。　　同样的，在振荡电路等场合，esr也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。　　所以在多数场合，低esr的电容，往往比高esr的有更好的表现。　　不过事情也有例外，有些时候，这个esr也被用来做一些有用的事情。　　比如在稳压电路中，有一定esr的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。这时候，太低的esr反而会降低整体性能。　　esr是等效“串连”电阻，意味着，将两个电容串连，会增大这个数值，而并联则会减少之。　　实际上，需要更低esr的场合更多，而低esr的大容量电容价格相对昂贵，所以很多开关电源采取的并联的策略，用多个esr相对高的铝电解并联，形成一个低esr的大容量电容。牺牲一定的pcb空间，换来器件成本的减少，很多时候都是划算的。　　和esr类似的另外一个概念是esl，也就是等效串联电感。早期的卷制电感经常有很高的esl，而且容量越大的电容，esl一般也越大。esl经常会成为esr的一部分，并且esl也会引发一些电路故障，比如串连谐振等。但是相对容量来说，esl的比例太小，出现问题的几率很小，再加上电容制作工艺的进步，现在已经逐渐忽略esl，而把esr作为除容量之外的主要参考因素了。　　顺便，电容也存在一个和电感类似的品质系数q，这个系数反比于esr，并且和频率相关，也比较少使用。　　由esr引发的电路故障通常很难检测，而且esr的影响也很容易在设计过程中被忽视。简单的做法是，在仿真的时候，如果无法选择电容的具体参数，可以尝试在电容上人为串连一个小电阻来模拟esr的影响，通常的，钽电容的esr通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的esr甚至会高达数欧姆。

7，如何理解贴片陶瓷电容器的Q值和ESR

N+ Z7 i% z+ U) l0 W3 a( x 評估高頻貼片電容器的一個重要性能指標是品質因素Q，或者是與其相關的等效串聯電阻% M" Y3 B! S7 z% [; e（ESR）。本公司除了提供性能卓越的射頻RF 元器件外，還致力於為客戶提供精確和完整的性3 y) i" F! z; B能資料。為了達到這個目標，這篇文章裏我們詳細的討論Q和ESR的測量方法和理解。2 _3 P9 K1 N+ P$ @$ M7 I理論上，一個“完美”的電容器應該表現為ESR為零歐姆、純容抗性的無阻抗元件。不論$ H$ ~3 d6 d* l6 m/ B/ p何種頻率，電流通過電容時都會比電壓提前正好90度的相位。* d p& Z7 P, \" @) v8 m實際上，電容是不完美的，會或多或少存在一定值的ESR。一個特定電容的ESR隨著頻率# i% ]: R* z. w8 x的變化而變化，並且是有等式關係的。這是由於ESR的來源是導電電極結構的特性和絕緣介質1 F" E2 Y# y% }的結構特性。為了模型化分析，把ESR當成單個的串聯寄生元。過去，所有的電容參數都是在2 @4 u5 G( b4 ^0 V% r- T1MHz的標準頻率下測得，但當今是一個更高頻的世界，1MHz的條件是遠遠不夠的。一個性能/ y; V9 \) b; d" D/ u優秀的高頻電容給出的典型參數值應該為：200MHz ，ESR＝0.04Ω；900MHz， ESR＝0.10Ω；! d" r- e" [3 e) p" J$ d2000MHz，ESR＝0.13Ω。& n, m" v) s, [, N$ Q- w8 w: |Q值是一個無量綱數，數值上等於電容的電抗除以寄生電阻（ESR）。Q 值隨頻率變化而有5 H3 p) T- ^" Q3 W; r很大的變化，這是由於電抗和電阻都隨著頻率而變。頻率或者容量的改變會使電抗有著非常大& f" p$ `0 y# }2 H" B# I% E5 ^9 y的變化，因此Q值也會跟著發生很大的變化。從公式一和二上可以體現出來：3 e3 N/ @, q+ w6 R公式一：|Z| = 1 / ( 2πf C)/ S6 n. _1 p: ]# @2 W7 g5 W其中，|Z|為電抗的絕對值，單位Ω；f為頻率，單位Hz；C為容量，單位元F。! A+ n8 {4 r$ m3 R公式二：Q = |Z| / ESR9 Y2 f2 E0 O" S% }2 k4 r; T, D其中，Q代表“品質因素”，無量綱；|Z|為電抗的絕對值，單位Ω；ESR為等效串聯電阻， L! _4 ~5 K7 R3 e% A; R單位Ω。+ X( @4 X/ ]& G! o$ E% u3 q用從向量網路分析器收集而得的S參數去推導ESR是不可信的。主要原因是這個資料的精3 [. t6 z. {8 `# ]度受限於網路分析器在50Ω系統中的精度（典型的± 0.05 dB測量精度在電容低到±0.01 dB. {8 F# T3 l0 C低損耗區是精度不足的）。同樣，用LCR儀錶去測量高Q器件的Q和ESR也是不可信的。這是- R8 ]; s. E. p# R8 p( C! I由於當元件的Q 值非常高時，LCR 儀錶不能正確地分辨出非常小的電阻（R）和非常大的電抗; L& a" s! @+ C（Z）。因此，高Q電容器的ESR和Q的測量方法，一般使用作為行業標準的諧振線路測試法。2 i0 l" v+ i9 ^; U" @ J2 |這種測試方法作為在射頻RF上測量Q和ESR 的行業標準而長期存在。因為該方法依賴於. N8 |/ Q" o* }, j% r信號發生器的頻率精確度（該頻率可以非常精確的測量），所以該資料的採樣方式是十分精確& U% `, D0 L j1 ^的。現代的電容ESR非常之小，以至於這個測量方法的精度也只能達到接近±10%。但不管如% u+ k& S8 q4 t4 Z* E8 X; r9 O e何，這仍然是目前最精確的在射頻RF方面有效測量Q和ESR的方法。0 v" Q0 Y6 \8 X7 j, J( S+ y" E測試方式：8 t- ?: o/ f$ w" [ 頻率發生器電腦毫伏表" Y* W) E. j( [: m9 v2 j" Y 同軸諧振器2 T6 x2 z) T) L9 Y F$ t$ I5 W! L- w2 Q5 s4 K如何理解贴片陶瓷电容器的介質強度8 h. J/ v: V# ]$ \7 { 介質強度表徵的是介質材料承受高強度電場作用而不被電擊穿的能力，通常用伏特/密爾( p1 Y* u Q" Z. T3 g/ F0 l. i# F（V/mil）或伏特/釐米（V/cm）表示。" M. O- ` x, w! ]5 r當外電場強度達到某一臨界值時，材料晶體點陣中的電子克服電荷恢復力的束縛並出現場( S2 l! s G. J, P" H致電子發射，產生出足夠多的自由電子相互碰撞導致雪崩效應，進而導致突發擊穿電流擊穿介6 A$ o. r" Z9 f! t6 S C7 y# m質，使其失效。除此之外，介質失效還有另一種模式，高壓負荷下產生的熱量會使介質材料的+ z7 J1 ~/ A& Y0 P0 O5 J8 Z; o電阻率降低到某一程度，如果在這個程度上延續足夠長的時間，將會在介質最薄弱的部位上產2 O: G* E4 c2 Z3 a. i1 C: B生漏電流。這種模式與溫度密切相關，介質強度隨溫度提高而下降。" o- S0 @) R* n+ }8 m任何絕緣體的本征介質強度都會因為材料微結構中物理缺陷的存在而出現下降，而且和絕: G9 P H8 [- g! H6 e緣電阻一樣，介質強度也與幾何尺寸密切相關。由於材料體積增大會導致缺陷隨機出現的概率" j# w. V" B+ G9 X增大，因此介質強度反比於介質層厚度，如下圖所示。. T" B8 I5 I! A G! C# X類似地，介質強度反比於片式電容器內部電極層數和其物理尺寸。! L% D3 F) y$ c; _2 B: E. X s基於以上考慮，進行片式電容器留邊量設計時需要確保在使用過程中和在進行耐壓測試（一8 ]: O1 Z: B; s B; F2 n般為其工作電壓的2.5倍）時，不發生擊穿失效。