光耦初级的反向耐压是多少，pc817光耦的1和2脚的反向电压

来源：整理时间：2023-02-11 13:27:38 编辑：亚灵电子网手机版

1，pc817光耦的1和2脚的反向电压

pc817光耦的1和2脚的反向电压

2，测试光耦的耐压值

修正下UL网站上1500-5000V的都有你可以取掉光耦再打耐压试试看是否还会打火.

测试光耦的耐压值

3，光耦的问题

不知你时候的是出入端还是输出端，不过都可以用交流型号解决。输入交流：TLP184 输出交流：双向可控硅和MOSFET输出（光继电器），正反最高耐压有600V。双向可控硅的有MOC3063， MOSFET输出的有AQY210

光耦不是一直开通的。如果q3截止，则12v电压通过电阻后电压加到光耦的正极，光耦初级有电流。如果q3饱和导通，q3饱和导通后集电极和发射极之间的电压约为0.4v左右，0.4v左右的电压加到光耦初级上，光耦是不会导通的，此时光耦初级无电流。

光耦的问题

4，光耦中二极管的耐压参数叫什么呢英文简称是什么呢

VR，应该是这个的吧

光耦二极管端的方向耐压为：正向耐压为二极管的导通电压0.7v，反向耐压根据型号的不同，在几十伏到几千伏不等。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。光耦的原理图如图所示：

5，使用光耦的时候需要注意什么参数

IF(发光二极管输入电流)主要以下参数VF(发光二极管工作电压)IE(输出端最大电流)VE(输出端工作电压)频率响应(开关速度)

光耦最重要的参数就是CTR值，不同品牌的光耦要代替使用，首先匹配CTR值。只要这个参数对上了，就基本没什么问题了。

光耦的种类很多，要看你用在何处，具体问题具体分析。

我知道....可是光耦有好多种不同类别的。比如晶体管的，达灵顿的，可控硅的，高速的，IGBT驱动的，这些要注意的都不一样。。。

看你的应用，光耦的种类有很多。晶体管输出光耦（输入电流，输出耐压，电流传输比）可控硅输出光耦（触发电流，输出耐压，过零还是不过零）igbt驱动光耦（输出电流峰值）高速光耦（速度，开路集电极还是推挽输出）。。。。。等等

6，关于光耦请问有接受极的Ic能达到1A的光耦吗如果没有的话最大

输出电流能达到1A的电耦是有的，大电流输出的话只能是非线性的光耦，并且是开关量的。但如果强调必须是集电极电流Ic的话，则几乎没有。因为大电流输出的光耦内部的输出电路都是多管复合结构：前面的光电管主要保证信号质量，后面是功率输出管。光耦的参数很多，最重要的是可靠性、寿命、传输效率等。如果光耦的功耗较大的话，会使温升较大，从而严重影响其可靠性、寿命和传输质量，比如会明显缩短内部LED的寿命、增加漏电流、降低绝缘及耐压等等。内部为单管输出的光耦依型号不同，其最大输出电流一般在20mA～150mA范围，若要大电流输出的话，最好在光耦后面外加大功率三极管、MOSFET、VMOS、可控硅等。内部为复合管输出的大电流光耦一般为晶闸管输出，体积也较大，以保证较小的功耗和较好的散热。下面列出几种大电流输出的光耦（或可称为固态继电器）型号供参考： TLP350x系列，晶闸管输出，额定输出电流0.5A，1ms冲击电流1A； TLP352x系列，晶闸管输出，额定输出电流1A，1ms冲击电流2A。输出侧的通态压降2～3V，其功耗1～3W多，一定要考虑散热，

7，光耦参数

常用参数正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。最大额定值参数名称符号最大额定值单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA FM V 集-发击穿电压 100 V （BR）CEO I 集电极电流 30 mA CM T 贮存温度 -55～150 ℃ stg T 工作温度 -55～125 ℃ amb V 隔离电压 1000 V IO P 总耗散功率 80 mW tot 推荐工作条件特性符号最小值典型值最大值单位 I 输入电流 10 50 mA F V 电源电压 1 5 60 V 主要光电特性测试条件(T 特性符号 11 A=25℃±3℃) 最小典型最大单位隔离特性隔离电阻 RIO VIO=500V 1010 Ω 上升时间 tr 10 μs V 开关特性下降时间 tf CC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D：1/2 10 μs I V 反向电流 R R=5V 0.01 1.0 μA LED 输入特性 V I 正向电压 F F=10mA 1.2 1.4 V CTR 电流传输比 VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω 60 180 % 集-发饱和电压 VCE（sat） VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ 0.1 0.4 V 晶体管输出特性 I V 集-发截止电流 CEO CE=5V，IF=0 0.01 1.0 μA