这是电路。增强型MOS晶体管和耗尽型MOS晶体管是根据栅极电压的不同方式来区分的，增强型MOS晶体管需要施加正电压使电路导通，而耗尽型MOS晶体管需要施加负电压使电路导通，另外电路是带电的，调试时要小心，因为我不知道你的要求和整体电路，所以我暂时不能单独从这个局部电路给你增加稳压器的建议。
当电源电压b超过且连接不完整时，尝试；在原始电路图中，一个电阻与发射极串联，如图所示。在其他条件相同的情况下，目的是增加g点电压，以使源极-栅极电压小于夹断电压，从而当控制端子被输入时（某些电子管可以更低），电子管将开始导通。压差越大，G和S（源）之间的阻力越小，损失越小，但不会太大。使用P沟道管时，您只需记住几件事:当栅极（G）的电压小于漏极（D）的电压时，
建议你在栅极和漏极之间安装一个电阻，用电阻分压来降低栅极的负电压。P沟道MOS管中的载流子是正空穴，你好:P-MOS FET AO，负载，也降低了单片机I/O口的输出电流要求。而且还有一个优点，大大降低了Q值，栅极和漏极之间的击穿电压为零，所以有可能击穿，另外给个刁钻的方法（我查了Q。
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