阈值电压受对比偏置效应，即衬底偏置电势的影响。0.5微米工艺水平的一阶mosspice模型的标准阈值电压为NMOS和PMOS负电压，充电器中的大多数mos晶体管都是驱动开关电源的开关晶体管，可以简单地通过测量来判断其好坏，功率mos晶体管与D级和S级的保护二极管相连，对于N沟道（MOS晶体管多为N沟道），保护二极管的正极接S，负极接D，可以快速判断D、S电平。
首先，预测管道的开启电压，串一个电阻合适的可变电阻以确保管道不被烧坏，管道的栅极连接一个电压表。观察两端电压，串联电流表，看电路是否接通，变阻器阻值是否达到通电前的最大值。耐压试验用示波器的高压探针测试。通过测量电阻来观察。最大值测试电源输出的最大电流？场效应管的识别方法及测量，符号:“Q，VT”，FET是另一种半导体器件，它通过电压来控制输出电流。
当两个测得的电阻值大致相等时。然后开机。也可以将万用表的黑色触针（红色触针也可以）随意接触一个电极，另一支触针依次接触另外两个电极，测量其电阻。它的耐压是因为结型场效应晶体管的漏极和源极可以互换，剩下的电极必须是栅极g .最后，打开示波器的电源，打开示波器，然后观察并记录MOS管的波形。
确保连接没有松动或干扰其他电路元件。然后，根据信号的幅度和频率，调整示波器的垂直增益和水平缩放，以确保波形可以清晰地看到，并且不会超出示波器的测量范围，详细测试MOS的D-S（漏极连接，源极连接到GND），将示波器调整到DC，查看最大值和峰值（两者的最大值应满足要求）。OCP，详情请看视频回答。
