整流二极管一般耐压是多少伏的，二极管IN5401耐压是几伏

来源：整理时间：2024-08-24 11:30:05 编辑：亚灵电子网手机版

1，二极管IN5401耐压是几伏

这是3A耐压100V的整流管

最高耐压100V ,最高电流3A.

IN5401耐压是100V

in5401是硅塑封整流二极管。 3a、100v。

二极管IN5401耐压是几伏

2，整流二级管的耐压值应该多大滤波点容容量多大负载电阻阻值多大搜

1、整流二极管的选择使用　　1)对于串联型电源电路整流二极管，应选择整流二极管最大整流，电流与反向工作电压适合条件二极管。　　2)对于开关型稳压电路用整流二极管应选择使用工作频率较高，且反向恢复时司短快恢复型整流二极管。而不能使用一般整流二极管。可选择使用fr一系列，pfr一系列，mur一系列快恢复二极管。　　3)对低电压整流电路应选择使用正问压降小整流二极管。　　4)对于5A下整流电路可选择使用一般整流二极管。例如应用半桥，全桥整流电路，收录机电源电路对及普通低电压整流电路等，可选择使用1n4000，1n5200一系列硅塑封整流二极管。也可选择使用2cz一系列整流二极管。　　5)整流二极管代换原则:　　①可选择使用型号参数及原二极管型号参数基本相同二极管代换。　　②整流电流大二极管可代换整流电流小二极管，相反则不能代换。　　③反向工作电压高二极管可代换反向电压低二极管，相反则不可能代换。　　④工作频率高二极管可代换工作频率低二极管，则不能代换。 6）二极管耐压选择，一般来讲，是根据电源的电压来确定的；半波和桥式整流，选用1倍的电压，全波整流，选用2倍的电压。在此基础上，加上一定的余量。2、滤波电容的选择：在工频电路中，滤波电容的大小与输出电流大小有关，其大致关系为：输出电流2A附近，电容量为2200μF左右，输出电流1A附近，电容量为1000μF左右，输出电流0.5～1A，电容量为470μF，输出电流0.1～0.5A，电容量为470μF，输出电流100mA以下，电容量为220μF。3、负载电阻的计算。根据欧姆定律，在已知电压和电流的情况下，求得负载电阻值：计算公式：R=U/I

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3，这种二极管耐压多少有图

可能800V以上

小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30ma范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3v范围内。发光二极管的反向耐压一般在6v左右。发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。二极管特性：正向性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服pn结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，pn结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5v，锗管约为0.1v。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8v，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3v。反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在na数量级，小功率锗管在μa数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

800或1000伏。

看实物是看不出耐压的，一般焊机低压整流二极管耐压为200V附近就足够的。

这种二极管耐压多少有图

4，一般二极管的耐压是多少

小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。　　发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。　　二极管特性：　　正向性　　外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。　　反向性　　外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。　　击穿　　外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

1N5817 20V1N5818 30V1N5819 40V

一般二极管的耐压是多少？这个比较笼统哦，不同型号的二极管相差很大，但可能外观相同。比如：1N4001 50V1N4002 100V1N4003 200V1N4004 400V1N4005 600V1N4006 800V1N4007 1000V这些二极管外观完全相同，但是耐压却从50V到1000V，区别巨大。电子元器件一定要注意型号，否则谬以千里。

这个很难说。因为不同的二极管有不同的参数。

二极管rl207的耐压是1000v。rl207参数：最大重复峰值反向电压：1000v 最大正向平均整流电流：2a 正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波：70a 最大正向电压@ta=25℃：v:1;a:2 最大反向电流@vrrmta=25℃：5.0μa 最大反向恢复时间：50 封装形式：do-15整流二极管代换：整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。