芯片电极多少厚，LED晶片他的磊晶是怎么分层的表层焊垫铝垫及金垫是不是共

来源：整理时间：2023-10-09 19:19:20 编辑：亚灵电子网手机版

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1，LED晶片他的磊晶是怎么分层的表层焊垫铝垫及金垫是不是共
2，晶元1023芯片电极金厚度大概多少啊
3，主机不能正常启动
4，电极片涂覆厚度
5，手机SIM卡注册失败是怎么回事
6，s8050正负极怎么区分
7，救LED灯不亮了是什么原因
8，压阻式压力传感器结构中为什么有真空腔
9，怎么使用笔记本的电池好
10，IGBT是什么

1，LED晶片他的磊晶是怎么分层的表层焊垫铝垫及金垫是不是共

LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时要满足尽可能多的出光。镀膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33*10-4pa高真空下用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面，一般所用P型的接触金属的包括AuBe,AuZn等，N面的接触金属常采用AuGeNi合金，镀膜工艺中最常出现的问题是镀膜前的半导体表面清洗，半导体表面的氧化物，油污等杂质清洗不干净往往造成镀膜不牢，镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极，及焊线压垫的要求，正面最常用到的形状是圆形，对背面来说若材料是透明的也要刻出圆形。光刻工序结束后还要通过合金化过程。合金化通常是在H2或N2保护下进行。合金化的时间温度通常是根据半导体材料特性。合金炉形式等因素决定，通常红黄LED材料中的合金化温度在350度到550度之间。合金化成功后半导体表面相邻两电极间的I-V曲线通常是成直线关系，当然若是半绿等芯片在电极工艺还要复杂要增加钝化膜生长，等离子刻蚀工艺等。红黄LED管芯切割方法类似于硅片管芯切割工艺。普通使用的是金刚砂轮刀片。其刀片厚度一般为25um。对于兰绿芯片工艺来说，由于衬底材料是Al2O3要先用金刚刀划过以后掰裂的方法。发光二极管芯片的检测的根据一般包括测试其正向导通电压，波长，光强，及反向特性等。芯片成品包装一般包括白膜包装和蓝膜包装。白膜装一般是有焊垫的面粘在膜上，芯片间距也较大适合手动。蓝膜包装一般是背面粘在膜上。芯片间距较小适合自动机。

LED晶片他的磊晶是怎么分层的表层焊垫铝垫及金垫是不是共

2，晶元1023芯片电极金厚度大概多少啊

退货就可以了，明显的哇想研究研究这个的才镀 1.6的金

晶元1023芯片电极金厚度大概多少啊

3，主机不能正常启动

我担心可能CPU被你烧掉了。你的90。之需要一点就可以。“由于温度过高烧成黑色” 这个太厉害了，温度太高了。如果确定是CPU。风扇和散热片的性能不好。建议马上换。或者除尘。散热硅胶不要涂厚了。 CPU的一部分是镀金的。高温虽然可以抗，但是抗不久。涂薄些，跟同学或者朋友借个CPU装上你的电脑试试CPU温度保持在75度一下

你尝试我的方法。我常见这种故障 1.主板全部放电，拔掉主板上的电池，和内存，1-3分钟当然这和你故障没有关联 2.给你的主机加电，注意听，看电脑是否报警，报警就对了，证明你的主板自检是好的。 3.上内存，加电开机，看有没有显示。如果有重新关机后，把电池换上去以上也是常见出现的问题。二，就是最可能的问题，你CPU重新安装得好好检查是否插对了，我曾经也是和你这样的，大意哦，最后我CPU一个针脚弯了，我用缝衣服的针纠正了，安装去就好了。三。可能性不大，检查下你显卡风扇和接触是否完好。基本上这一点我相信你不会出什么问题。四。以上都不行，你肯定疏漏了什么细节没有弄好，再仔细查一片，特别是你的CPU有没有插好，这些都不行，找个PC诊断卡往PCI 上面一插，就知道了

这时可能是cpu损坏或接触不良，附着在主板上，损坏电脑配件值得信赖，恢复bios的默认设置即可。切记不要用压缩气泵清理灰尘。 7、内存条的金手指有锈迹。 21，虽然能够开机、网卡损坏或接触不好，，请更换电源。 9、主机电源灯是亮的，因为压缩气泵工作中容易产生水珠、主机设备本身无任何问题，也会导致机器无法启动，随着空气排出，无其他报警声音的提示、显卡插槽损坏，电脑无法正常启动、显卡、主板上的内存插槽，也有可能导致机器无法启动，造成电脑配件接触不良，推荐使用电吹风或者用毛涮清理灰尘、主机内有大量灰尘。2011/、电脑主机电源损坏，但主机可以加电但无法自检，特别是被cih病毒破坏后。 8.希望这些对你有帮助。 6。如果在主板上找不到清除cmos的跳线，可以直接将主板上的电池取出;9/，并将正负极短路十秒钟即可;23 17。 5。 3、主板上coms芯片损坏，然后重新插到机器中即可解决故障:06，但无法正常启动、内存与主板不兼容。 4，这时可能是主板或cpu被超频，可以使用较新的人民币擦一下金手指

主机不能正常启动

4，电极片涂覆厚度

电技极片涂覆厚度没有限制，多为是20-40μm厚。根据资料显示，电池极片厚度约0.56MM，中间压片部分厚度0.14MM，涂料部分厚度约0.60MM。

5，手机SIM卡注册失败是怎么回事

手机SIM卡注册失败，原因如下：　　1、sim卡没有正确安装，拔出后，重新安装测试；　　2、sim卡金手指氧化，取出sim卡后，用橡皮清洁；　　3、SIM卡已经损坏，带上卡和身份证去营业厅让工作人员帮忙检测，或更换新的SIM卡。　　4、手机质量有问题，造成检测不到sim卡，联系售后检测手机。

很多人在手机sim卡注册失败时，都是直接关机然后重新插sim卡，其实不用这么麻烦的，当出现这种情况时可以先把手机设置成离线模式，然后等个几秒钟又把手机调回标准模式就ok了，楼主如果觉得我的回答帮助了你解决了问题请给花，谢谢。

拿去修吧，自己别搞了，搞坏了就不划算了保修的话要15天，自己修的话今天就可以

手机不能开机跟sim没有多大关系的。SIM卡注册失败有4种可能；1.网络问题，当网络不稳定或没有网络时会出现这样的问题，这样的几率不大而且过一会就好了。2.SIM卡与手机接触不良，也会导致注册失败，可以在卡背面垫上少许纸片，如是旧卡，芯片有氧化的需要清洗。3.SIM卡欠费，造成卡被注销也会出现注册失败。4.手机主板坏。你的应该是第四种情况，手机都不能开机了，肯定是手机坏了。保修需要时间，今天肯定拿不回来的。（可以把你的卡插在别人手机上确认你的卡是否没有问题。）

不是手机问题，是SIM卡有问题！去补办一张卡！我以前也有过这种问题……

楼主手机是诺基亚的？我的手机也是诺基亚的，是5220XM的，一个月前也一直在出现这个问题，最后还爆了一个手机卡，我的手机是因为最开始时经常用万能充充电，经常摘卸电池而导致电池松动，电池松动之后就导致卡槽松动，手机开不开机应该是电池松动的问题，你可以用手按住电池接触的位置，就是电池正负极的部位试试，如果能开机了那就是和我的手机是一个问题，这样就好办了。如果你手机的问题和我的是一个问题那我的解决办法或许会有点麻烦：在电池的接触部分垫一点纸片，不用太大，半厘米见方就行，厚度自己调节，只要盖上盖之后能开机就可以了，然后找个修手机的地方或者你自己也可以把手机包上全膜，就是把后盖部位封死（前提是你原有或者自己配一个直充，因为以后没意外电池就弄不下来了）。这样就可以了…我的手机就是这样解决问题的。希望能帮到你。

6，s8050正负极怎么区分

判定基极就是识别s8050三极管方式之一。采用万用表，测量三个电极之中正向电极、负向电极的电阻值，第一表笔接触一个电极，第二个表笔接触到另外两个电极时候产生的最低电阻，那么第一表笔所测得的电极就为B基极。这个识别操作方式比较专业，而且也很难理解。不过首先还是要看清楚s8050三极管引脚图才行，认准其部分，对准正、反向电极。判定s8050三极管引脚图及方式，采用万用表的黑表笔接触其中一个电极，红表笔接触到其他两个电极，两个电极都有电阻值，那么黑表笔则表示的是B基极。其中红表笔所接触的最低一个电阻电极则是C基极，那么剩下的就是A基极了。s8050三极管芯片尺寸为100mm，芯片厚度为240±20μm，管芯尺寸为600×600μm 2，电极金属为铝，捍位尺寸B极为130×150μm 2；E极则为140×130μm 2，其极限值为25摄氏度。这些参数或许会在s8050三极管引脚图上标志出来。

7，救LED灯不亮了是什么原因

LED显示屏不亮一般是由以下原因之一造成的。 1．所编辑发送的节目是否为空． 2．LED屏是否正常上电。 3、电脑显示器是否保护，或者显示屏显示领域是黑色或纯蓝。 4、同步屏检测发送卡和接收卡通讯绿灯有无闪烁。 5、检测通讯线是否接通，有无接错。 6．HUB分配板与LED显示屏的连线是否接反。以上就是最常见导致LED显示屏不亮的原因，从最常见最简单入手，步步深入排查。如果还是不能解决问题，可以直接到显示屏供货厂家或服务商投诉处理，售后服务一般24小时内有相应的处理方案，为客户解决问题。

led灯带不亮的8大原因 1、led柔性灯带的包装保护不完善，造成运输过程中灯珠受到撞击而损坏。 2、led柔性灯带的焊接点有虚焊现象，运输过程中的震动造成焊点脱落而导致灯带不亮。 3、led柔性灯带焊锡量少，焊点容易脱落 4、led柔性灯带焊锡质量不好，led柔性灯带在弯折过程中焊点容易产生脆裂、脱落现象 5、led柔性灯带安装时弯折角度过大，造成led柔性灯带焊点与铜箔分离而导致不亮 6、led柔性灯带安装时过度挤压产品，导致led柔性灯带芯片受损或者是焊点变形脱落而不亮 7、led柔性灯带线路板阻焊层过厚，焊接时焊锡和线路板不能完全融合在一起，也是一种虚焊现象。 8、led柔性灯带在安装时不能扭曲，如果扭曲的话会造成led柔性灯带的焊点脱落而导致不亮。如何鉴别led灯带质量： led灯带市场良莠不齐，正规厂家产品和山寨厂产品价格差别很大。如果从专业技术上来鉴别led灯带的质量，恐怕很多客户都不具备这个能力。但是我们可以从简单的外观上来进行初步鉴别，基本可以分出质量好坏了。主要可从以下几个方面来鉴别： 1、看焊点。正规的led灯带生产商生产的led灯带是采用smt贴片工艺，用锡膏和回流焊生产的。因此，led灯带上的焊点比较光滑而且焊锡量不会多，焊点呈圆弧状从fpc焊盘处往led电极处延伸。 2、看fpc质量。fpc分敷铜和压延铜两种，敷铜板的铜箔是凸出来的，细看的话能从焊盘与fpc的连接处看出来。而压延铜是密切和fpc连为一体的，可以任意弯折而不会出现焊盘脱落现象。敷铜板如果弯折过多就会出现焊盘脱落，维修时温度过高也会造成焊盘脱落。 3、看led灯带表面的清洁度。如果采用smt工艺生产的led灯带，其表面的清洁度非常好，看不到什么杂质和污渍。但是如果采用手焊工艺生产的山寨版led灯带，其表面不管如何清洗，都会残留有污渍和清洗的痕迹。 4、看包装。正规的led灯带会采用防静电卷料盘包装，一般会5米一卷或者是10米一卷，然后外面再采用防静电防潮包装袋密封。而山寨版的led灯带会因为节约成本，而采用回收卷料盘，然后没有防静电防潮包装袋，仔细看卷料盘能看出外表有清除标签时留下的痕迹和划痕。 5、看标签。正规的led灯带包装袋和卷料盘上面都会有印刷标签，而不是打印的标签。 6、看附件。正规的led灯带会在包装箱里面附上使用说明和灯带规格书，同时还会配备led灯带连接器或者是卡座;而山寨版的led灯带包装箱里则没有这些附件，因为一些厂家毕竟还是能省则省。

8，压阻式压力传感器结构中为什么有真空腔

piezoresistance type transducer 利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制（见加速度计）。压阻效应当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计（见电阻应变计），前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化（应变），而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。压阻式压力传感器的结构这种传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电极引线。压阻式压力传感器又称为固态压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20～60。在圆形硅膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。发展状况 1954年C.S.史密斯详细研究了硅的压阻效应，从此开始用硅制造压力传感器。早期的硅压力传感器是半导体应变计式的。后来在 N型硅片上定域扩散P型杂质形成电阻条，并接成电桥,制成芯片。此芯片仍需粘贴在弹性元件上才能敏感压力的变化。采用这种芯片作为敏感元件的传感器称为扩散型压力传感器。这两种传感器都同样采用粘片结构，因而存在滞后和蠕变大、固有频率低、不适于动态测量以及难于小型化和集成化、精度不高等缺点。70年代以来制成了周边固定支撑的电阻和硅膜片的一体化硅杯式扩散型压力传感器。它不仅克服了粘片结构的固有缺陷，而且能将电阻条、补偿电路和信号调整电路集成在一块硅片上，甚至将微型处理器与传感器集成在一起，制成智能传感器（见单片微型计算机）。这种新型传感器的优点是:①频率响应高(例如有的产品固有频率达1.5兆赫以上),适于动态测量;②体积小（例如有的产品外径可达0.25毫米），适于微型化；③精度高，可达0.1～0.01％；④灵敏高,比金属应变计高出很多倍，有些应用场合可不加放大器；⑤无活动部件，可靠性高，能工作于振动、冲击、腐蚀、强干扰等恶劣环境。其缺点是温度影响较大（有时需进行温度补偿）、工艺较复杂和造价高等。应用压阻式传感器广泛地应用于航天、航空、航海、石油化工、动力机械、生物医学工程、气象、地质、地震测量等各个领域。在航天和航空工业中压力是一个关键参数,对静态和动态压力,局部压力和整个压力场的测量都要求很高的精度。压阻式传感器是用于这方面的较理想的传感器。例如,用于测量直升飞机机翼的气流压力分布，测试发动机进气口的动态畸变、叶栅的脉动压力和机翼的抖动等。在飞机喷气发动机中心压力的测量中，使用专门设计的硅压力传感器,其工作温度达500℃以上。在波音客机的大气数据测量系统中采用了精度高达0.05％的配套硅压力传感器。在尺寸缩小的风洞模型试验中，压阻式传感器能密集安装在风洞进口处和发动机进气管道模型中。单个传感器直径仅2.36毫米，固有频率高达300千赫,非线性和滞后均为全量程的±0.22％。在生物医学方面,压阻式传感器也是理想的检测工具。已制成扩散硅膜薄到10微米,外径仅0.5毫米的注射针型压阻式压力传感器和能测量心血管、颅内、尿道、子宫和眼球内压力的传感器。图3是一种用于测量脑压的传感器的结构图。压阻式传感器还有效地应用于爆炸压力和冲击波的测量、真空测量、监测和控制汽车发动机的性能以及诸如测量枪炮膛内压力、发射冲击波等兵器方面的测量。此外，在油井压力测量、随钻测向和测位地下密封电缆故障点的检测以及流量和液位测量等方面都广泛应用压阻式传感器。随着微电子技术和计算机的进一步发展，压阻式传感器的应用还将迅速发展。

9，怎么使用笔记本的电池好

笔记本电池保养技巧大全对于笔记本电脑的性能与功能，各家厂商都在不断研发出功能强大，系统稳定的笔记本电脑，在硬件的设计上，也越来越人性化，但是一部高昂的笔记本电脑，电池的性能与使用方式往往被使用者忽略，当电池发生使用问题时才来关心其使用方式及维修问题。其实笔记本电脑电池的使用更需加强使用观念，才不会多花冤枉钱去购买一颗新电池。为了让本本的主人们都能更好的了解笔记本电池的方方面面，笔者在此将自己的经验与大家分享。毕竟笔记本电池的价格还是十分昂贵的，占了笔记本总体价格的10%-15%，电池也算是消费品，使用好电池也等于在节省金钱。笔记本电池笔记本电池的类别与材质：　　笔记本电脑使用的电池主要分四种：1.镍铬电池[镍镉Ni-Cd]、2.镍氢电池[镍氢Ni-MH]、3.锂电池[锂电Li、锂离子Li-ion、高分子锂二次Li-polymer]、4.燃料电池[碱性FC（AFC）、磷酸型FC（PAFC）、熔融碳酸盐FC（MCFC）、固体氧化物FC（SOFC）及质子交换膜FC（PEMFC）等] 　　镍镉电池（Ni-Cd）　　最早的笔记本电脑都是使用镍镉电池（Ni-Cd），由于当时电池技术不够先进，因此镍镉电池有很多令人头疼的缺点，如：体积大、份量重、容量小、寿命短、有记忆效应等（给我的印象就是无一是处）。这些无疑是与笔记本所追求的的轻便、快捷的性能所背道而驰的。目前镍镉电池已经被淘汰，笔记本也和镍镉决裂了，再提它也没有太大的必要。　　镍氢电池(Ni-MH) 　　镍氢电池是目前最环保的电池，注重环保的国家都大力提倡使用镍氢电池，因为易于回收再利用，且对环境的破坏也最小。不过镍氢电池与锂电相比，还是有一些缺点。充电时间长、重量较沉、容量也比锂电小，还有记忆效应。它的记忆虽然不像镍镉电池那么大，但还是需要放电，用户必须用尽后再充电。但是镍氢电池的充电次数能够达到700次以上，某些质量好的产品充放电可达1200次，比锂电池长寿而且价格也很大众化。　　锂电池(Li)、锂离子电池(Li-ion)、高分子锂二次锂离子电池(Li-polymer) 锂电　　锂电很早以前就有了，当时它使用时不太安全，经常会在充电时出现燃烧、爆裂的情况，这也许是因为锂元素太活跃的缘故。后来就有了改进型的锂离子电池（Li-ion）加入了能抑制锂元素活跃的成份，它是锂电池的替代产品，它的阳极采用能吸藏锂离子的碳极，放电时，锂变成锂离子，脱离电池阳极，到达锂离子电池阴极。充电时，阴极中锂原子电离成锂离子和电子，并且锂离子向阳极运动与电子合成锂原子。放电时，锂原子从石墨晶体内阳极表面电离成锂离子和电子，并在阴极处合成锂原子。所以，在该电池中锂永远以锂离子的形态出现，不会以金属锂的形态出现，当然也就不会出现燃烧、爆炸等危险。锂离子在阳极和阴极之间移动，电极本身不发生变化。这是锂离子电池与锂电池本质上的差别。从而使锂电真正达到了安全、高效、方便，而老的锂电也随之淘汰了。区分它们的方法也相当简单：从电池的标识上就能识别，锂电的标识为Li，而锂离子电池为Li-ion。　　高分子锂二次锂离子电池(Li-polymer)是说在这三种主要构造中至少有一项或一项以上使用高分子材料做为主要的电池系统。在形状方面，高分子锂二次锂离子电池具有可薄形化、可任意面积化与可任意形状化等多项优点，因此可以配合产品需求，做成任何形状与容量的电池。在厚度方面，高分子锂二次电池的厚度约为2～4mm，而目前的锂离子电池的最小厚度则是6mm，可至少降低50%左右的厚度，可以达到的最小厚度大约为0.5mm。　　现在，笔记本和手机使用的所谓锂电，其实就是锂离子电池。锂离子电池有着其他电池所不能比拟的优点：工作电压高；体积小、重量轻、能量高；安全快速充电；允许温度范围宽；放电电流小、忆效应小(现在有些观点认为锂离子电池完全没有记忆效应，这是一种不负责的说法)、无环境污染等等。当然锂离子电池也有自身的不足，那便是价格高、充电次数少(它的充放电次数只有400－600次，经过特殊改进的产品也不过800多次。按每天充电一次计算，最好的锂电池也不过两年多就下岗了。)、与干电池无互换性、工作电压变化大、放电速率大，容量下降快，无法大电流放电。　　燃料电池燃料电池　　燃料电池[碱性FC（AFC）、磷酸型FC（PAFC）、熔融碳酸盐FC（MCFC）、固体氧化物FC（SOFC）及质子交换膜FC（PEMFC）等]是一种化学电池，它利用物质发生化学反应时释出的能量，直接将其变换为电能。从这一点看，它和其他化学电池如锰干电池、铅蓄电池等是类似的。但是，它工作时需要连续地向其供给活性物质（起反应的物质）--燃料和氧化剂，这又和其他普通化学电池不大一样。由于它是把燃料通过化学反应释出的能量变为电能输出，所以被称为燃料电池。燃料电池由3个主要部分组成：燃料电极（正极）；电解液（就是我们所说的“燃料”）；空气/氧气电极（负极）。最初，电解质板是利用电解质渗入多孔的板而形成，现在正发展为直接使用固体的电解质。工作时向负极供给燃料（氢），向正极供给氧化剂（空气）。氢在负极分解成正离子H+和电子e-。氢离子进入电解液中，而电子则沿外部电路移向正极。用电的负载就接在外部电路中。在正极上，空气中的氧同电解液中的氢离子吸收抵达正极上的电子形成水。这正是水的电解反应的逆过程。利用这个原理，燃料电池便可在工作时源源不断地向外部输电. 电池在工作时，燃料和氧化剂均由外部供给。因此，原则上只要不断输入反应物，不断排除反应产物，燃料电池就能连续放电。燃料电池兼备了无污染、高效率、适用广、无噪声和具有连续工作等优点，燃料电池工作的副产品只有水和热量，无噪音，基本无污染，效率比起一般的发电系统高得多，达到43～58%，如果把反应产生的热量也利用上，效率可以高达80%！但是另一方面值得改进的问题是，燃料电池成本太高(燃料电池用来在低温下生成氢所需的白金催化剂价格昂贵，获得单位能量的成本高于锂电池)、副产品、散热问题以及补充的燃料的获取。这些都是有待日后进一步解决的问题，但是它为笔记本电脑电池的未来描绘了美好的前景。　　所以对于目前的电池来说，并没有十全十美的电池选择。对于不同要求的用户可以根据自己的需要选购相应类型的电池，当然笔记本生产商也在花大力气开发更强劲更便携的电池。锂离子电池　　由于现在市场上出现的普及率最高的是锂离子电池（Li-ion）因此，本文将重点放在锂离子电池上。认识你的笔记本电池你需要弄清以下几个参数：电池容量、额定电压、正常使用温度等。　　容量大小主要从电池所标出mAh来判断，它的中文名称是毫安时。毫安时的大小直接关系到笔记本用电池的使用时间，但也不能一概而论。并不是说笔记本电池的容量越大越持久供应使用，在实际的使用过程中续航能力密切相关的还有笔记本的耗电量。大家可以想像一台笔记本配置越高能耗就越大，运行的运算量越大电量流逝的速度也就越快。　　正常工作温度是之电池能正常工作的温度范围，在非正常温度使用有可能出现危险（爆炸）以及不必要的麻烦（漏液、突然断电）。　　生产日期，这在一些较老型号的笔记本电池中会出现，它直接说明了你这块电池的可以使用时间的长短，这是决定一块电池的正常使用时间的很重要的参数。所以我们购买一款笔记本的时候要留意它电池的的生产日期，哪怕新的电池放上较长的时间他的使用寿命也会有相应的缩减的。对于期望购买二手本本的用户更是应该留意该方面的参数。　　究竟怎么分辨电池的参数呢？从上面的图片中我们可以看出电池采用的类别为Li-ion，也就是锂离子电池。额定输出电压为10.8V，电量为4800mAh。当然也有生产厂商、生产地、正常工作温度（0摄氏度-60摄氏度）等，目前电池都采用这样的标识，大家可以通过上面放大的图片去了解自己笔记本电池的一些基本情况。　　对于本本电池的外部结构我们只能看看上面的一些参数，内部结构相信很多人都“不敢”了解。毕竟笔记本电池的价格还是称得上昂贵。　　其实笔记本电池的本质和普通的充电电池并无二样，只是各大厂商都针对自己机型的外观进行了电池组外壳的加工，所以说如果剥开笔记本电池的外壳，其内部构造和普通的电池组并无任何区别，也就是说相互制约各大品牌笔记本电池通用的最大障碍是笔记本电脑的各大品牌间的独立设计。电池内部结构电池内部结构　　仔细看看一款电池的内部，这其实是几组电池的串并联电路，一般来说，受到单节电池容量和笔记本电池要求电压的约束，笔记本电池一般采用先串联后并联的办法来保证其工作电压和电池容量，打个比方，如果说一款标称12.5V，4000MAh的笔记本电池，一般来说是这样组成的：先由三节单节电压4.2V、2000MAh的电芯串联，达到其标称的12.5V电压，然后通过一组一样的电池单元再组成并联电路，将电池的整体容量提升到4000MAh，这款电池也就是一般所说到的6CELL电池组。　对于笔记本电脑电池的内外以及供电原理都有了一定的了解后，我们就能更好的在日常工作、生活中使用本本电池。接下来谈谈笔者自己在对于笔记本电脑电池使用中的一些体会与建议。　　首先拿到了一块新的电池，很多用户的做法就是按照商家的提示在锂电池使用的前三次充电12小时甚至以上。就此网上也有很多争论，不过笔者在实际使用中发现，其实这个对于笔记本电池来说多数是没有必要的。为什么呢？商家说这样做是为了完全激活电池的活性，完全唤醒新电池。听起来这个理由十分的充分与可信，但是大家有没有想过这个问题。如果，笔记本电池还没有被厂商完全激活就出场的话，这样的产品可以说只是个半成品。不可能要求每个用户都掌握激活电池的技巧，现实中也不可能。因此，在电池出厂前已经经过了厂商的完全激活了。那么叫用户充电12小时有利于电池的使用吗？在此笔者给出一个否定的答案，目前的笔记本电池都有完善的电源管理电路和充电管理体系，当电池达到饱和后，控制电路自动切换到短路状态，所以以后的时间只不过是在浪费时间而已。怎样才能激活电池的活性呢？其实，厂商对于电池的激活是在没有过载保护的情况下将电池长时间充电与放电。所以，前三次充电12小时是不必要的。　　在次，很多使用者在电池的使用中非常的困惑，究竟该不该等到电池完全耗尽才充电。这个问题其实回答应该是这样的，如果你能这样做肯定是好事情，但是前提是你不嫌麻烦。当然我这里所说的完全不是指过度放电，实践证明过度放电绝对是对电池有害的，它会缩短电池的使用寿命。因此当笔记本提示电量低的时候就可以适时充电了。有些商家一再声明自己的锂电池没有记忆效应，这种做法是极不负责任的表现。所以当你的电池还有较多电量的时候还是不要充电为好，因为记忆效应确实存在。　　第三，对于长期不用的电池应该怎么做，建议冲入40-50%的电量，放置在低温的阴凉处，以下的参数就可以说明这个问题。存储温度 40%充电状态 100%充电状态 0度 98%(一年以后) 94%(一年以后) 25度 96%(一年以后) 80%(一年以后) 40度 85%(一年以后) 65%(一年以后) 60度 75%(一年以后) 60%(3个月以后) （百分比为当时的饱和状态相对初始值的百分比）　　当然，每个月最好要把电池拿出来用一次，既能保证电池良好的保存状态，又不至于让电量完全流失而损坏电池。　　第四，在笔记本电脑的使用说明中的“使用一个月后应该全充放一次”的做法是否必要。笔记本电脑用锂离子电池一般都带有管理芯片和充电控制芯片。其中管理芯片中有一系列的寄存器，存有容量、温度、 ID、充电状态、放电次数等数值。这些数值在使用中会逐渐变化。我个人认为，在笔记本电脑的使用说明中的“使用一个月后应该全充放一次”的做法主要的作用应该就是修正这些寄存器里不当的值，使得电池的充电控制和标称容量吻合电池的实际情况。所以这样的工作还是不能省略的，毕竟高价的笔记本还是娇气的贵族。　　使用中最后就谈谈，如何让本本的电池更长久。既然你买了笔记本就是要使用它的，电池是其中的一项消耗品，必然会随使用时间的延续而走向报废。怎样让本本电池使用时间更长？节电技术吗？休眠？让硬盘挂起？让屏幕亮度减小？种种的方法好像都能增加所谓的时间延长。可是你有没有想过，这样的时间延长有意义吗？我开着本本不跑任何程序，不开显示屏，不让硬盘转，我不能达到更长的时间。可想这样做法的荒唐，笔记本是拿来使用的，不是冠冕堂皇的摆设。因而笔者在此建议大家用好笔记本而不是计较如何用笔记本。或许，两年后的笔记本市场又是另一个天地，你的本本也走到了退役的行列。只要大家注意电池的日常使用习惯，正常的使用电池即可，大可没有必要畏首畏尾。

不用的时候要把电池拿下来，这样才能使电池用的久

笔记本电池指示辅助电脑，方便操作的，他不是主导电源一般不要使用电池，笔记本电池一般寿命都很短，一般在一个月左右用你次防止长时间不使用产生电量的损耗，平时没有特别的情况不要使用，希望我的回答你能满意

笔记本电池都带保护的~没关系的~

笔记本电池最好是有电源的时候拿下来定期为电池充电饱和后如果还是使用室内电源建议还把电池拿下来（电脑中没什么重要资料可以用U盘保存资料）突然断电造成资料丢失，这样可以延长电池寿命，我的笔记本当初买的时候不知道一直用的是室内电源电池也没拿下来一年以后发现电池寿命明显降低原来能用2小时现在连20分钟都不到建议有室内电源的时候把电池拿下来

10，IGBT是什么

是场效应功率管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。定义 IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 [编辑本段]工作特性静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。通态电流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流过MOSFET 的电流。由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。 [编辑本段]发展历史 1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。后来，通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。这次从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。 1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。 [编辑本段]输出特性与转移特性 IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。 [编辑本段]模块简介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。 [编辑本段]等效电路 IGBT模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。保管时的注意事项一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方；保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物；装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体