内存循环周期多少合适，内存时序周期

本文目录一览

1，内存时序周期
2，请问内存保持在多少iphone能比较顺畅的运行
3，C盘的内存要多少时最好
4，DRAMFSB多少合适
5，内存时序多少好
6，内存时序问题如何选择
7，时序对内存影响多少

1，内存时序周期

越小速度越快

内存时序周期

2，请问内存保持在多少iphone能比较顺畅的运行

只是非游戏的顺畅运行的话,10以上就够了..不过最低也会在20以上的游戏的话40以上几乎所有游戏顺畅了

理论上是需要20M。一般20左右足够流畅运行了，游戏除外大的游戏最好respring或者reboot之后再玩

不开什么大程序的话，10M以上足够你折腾了

请问内存保持在多少iphone能比较顺畅的运行

3，C盘的内存要多少时最好

如果你用的是XP的系统，那个C盘的总容量不小于8G是最好的，当然大于8G就不用说了，windows7最小再15G 还有这个是硬盘的容量，不是内存

因为系统长时间使用，系统文件垃圾增加不可避免，系统也会越来越臃肿，所以一般软件尽量不要使用C盘的空间。你的C盘空间还有11G，完全足够了，应该说Cp按预留越多越好。

C盘剩下10GB以上对系统的流畅运行很有帮助。。。最低别低于5gb剩余空间就好了。。。

C盘的内存要多少时最好

4，DRAMFSB多少合适

回复 6# 内存读取速度为什么要低一点啊？

你的公式不对……比例的频率的比例，跟等效带宽没关系，哪儿来的乘以二……

回复 3# 双通道内存频率800 FSB 1066 算下来速率比800*2/1066=1.5内存快点会不稳定么？

只要内存的频率稍低于或等于总线频率就可以了。

FSB 1066 内存800*2 应该考虑的是速率不是频率把..

5，内存时序多少好

当然是越低越好~但是你如果用的是HY或金士顿这类的散装内存,就最好打消自己调整内存时序的念头吧~

内存时序，让主板自动设置是最好的。 1、内存时序，最好的时序设置是在内存的spd里记录。主板可以自动读取。默认就是自动的，不必人工干涉。 2、如果人工设置，把时序设小，可以提升电脑的性能。但也非常容易死机。 3、如果一定想人工设置，那修改的时候要步幅小一点。比如原来是7，可以修改为6，不要太大。而且，一次只修改一个时序，不要4个时序或更多时序一起改，很容易改死机。一次次试验，找到最佳的时序。

6，内存时序问题如何选择

8-8-8-24的要快一些，超频的话来说这点点改变没有什么影响，如果选择的话选择8-8-8-24吧。

内存时序到底是什么意思？越大越好？还是越小越好呢？

首先你要了解的是这个基本问题 CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间” tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间” .tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期” 一般而言，数值越小，性能越好。过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。默认同频的内存时序相对较小的，一般来说体质较好，超频性能更强（只看参数，有极个别特殊情况除外）

7，时序对内存影响多少

详细评测内存时序和内存的影响_内存讨论版论坛_太平洋电脑网产品论坛http://itbbs.pconline.com.cn/diy/11690472.html这个测试其实就告诉我们没有啥影响，因为内存不是木桶最短那一块！

时序对内存影响多少？内存时序和内存频率一样，都代表了一款内存性能的高低。内存时序由4个数字组成，中间用破折号隔开，例如16-18-18-38?这些数字表示延迟，也就是内存的反应时间。当内存接收到CPU发来的指令后，通常需要几个时钟周期来处理它，比如访问某一块数据。所以，时间越短，内存性能越好。频率和时序一起，共同决定了内存可以跑得多快。不过相比频率，时序由四位数字组成，每一个数字都代表不同的含义，在理解上自然更加复杂一些。?内存时序分别对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，单位为时间周期，它们的含义依次为：CL（CAS Latency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数。tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间;tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间;tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间。看完它们的含义是不是很懵圈？没关系，给你举个例子。?我们可以把内存存储数据的地方想象成上面这样，每个方格都存储着不同的数据。CPU需要什么数据，就向内存发来指令，比如想要的位置是C4。?接下来内存就要先确定数据具体在哪一行，所以时序的第二个参数tRCD就是代表这个时间，意思就是内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。由于这一行含有多个数据，内存并不能哪一个才是CPU需要找的，所以tRCD的值是一个估值。这就是为什么小幅改动这个值并不会影响内存的性能表现。?内存确定了行之后，要想找出数据，还得确定列。那么时序的第一个数字，也就是CL（CAS），表示内存确定了行数之后，还得等待多长时间才能访问具体列数的时间（时间周期）。行列必然产生交点，也就是说确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序当中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥着举足轻重的作用。

时序对内存影响如下：时序的变化对内存寿命的影响很微小，但是频繁变化的时序，会改变内存的稳定性。而且超时序不加压也对内存没有什么影响，加压会有些影响，但只要别超过1.6V一般没有问题。内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。内存时序越小越好，内存频率越高，延时越小，这个延时其实是每个时钟周期的时间，内存时序可以理解为内存数据的读写时间，内存时序的单位就是时钟周期。比如ddr2 800，每个时钟周期的延时是2.5纳秒，当将ddr2 800超频至ddr1000时，每时钟周期延时是2纳秒，这样超频对内存体质是一个考验。