3d tlc p e有多少次，固态硬盘15nm mlc的pe次数

本文目录一览

1，固态硬盘15nm mlc的pe次数
2，金士顿固态硬盘120g pe是多少次
3，TLC颗粒的优盘读写次数是1000次是不是每天读十次一百天后优盘
4，ssd固态硬盘使用次数是多少
5，三星固态硬盘evo和pro的区别

1，固态硬盘15nm mlc的pe次数

如果题主想买MLC固态硬盘的话可以考虑东芝Q200 240G，东芝原厂15nm MLC闪存，擦写循环3000次，搭配东芝自家8通道主控，价格和TLC固态硬盘差不多，绝对超值..

MLC一般就是3000次。　　个体差异差不了多少，除非是不合格产品。

固态硬盘15nm mlc的pe次数

2，金士顿固态硬盘120g pe是多少次

3000次左右，最好别买金士顿，sf主控，闪存芯片可能会比较杂

标称都是3000次。　　不过，金士顿在这方面有特殊优势，它的写入放大比一般的ssd处理得好，可能是intel的技术，所以金士顿的固态盘在寿命方面直追intel，比一般的3000次pe的ssd要长得多。放心用吧。

金士顿固态硬盘120g pe是多少次

3，TLC颗粒的优盘读写次数是1000次是不是每天读十次一百天后优盘

这个1000次的次是指保证无故障情况下完全擦写次数，英文简称P/E。闪存的读取次数貌似没有限制，就算有，也一定会是以亿次为单位。跑题了，例如一张卡的有效容量是1GB,1000P/E就是累计写入1000GB数据（写满为一次，清空，再写满就是第二次），过程中不能出现硬件故障。而1000P/E之后，正常品质的盘肯定还没挂，没准还能再来个1000P/E。厂商之所以写这么少，是考虑到售后压力。就像一台手机，用两三年都未必坏，但厂家只会保修1年。

应该不是吧。

TLC颗粒的优盘读写次数是1000次是不是每天读十次一百天后优盘

4，ssd固态硬盘使用次数是多少

目前的SSD使用的是MLC或SLC颗粒，SLC晶片可重复写入次数约10万次，MLC晶片的写入次数是1万次，绝大多数的SSD采用的是MLC，高端ssd用的是SLC。理论上MLC正常使用寿命可达10年以上，一般ssd都在寿命耗尽前就换了。

建议下载ssdlife，可以查看的。固态硬盘的寿命取决于p/e值，一般来说现在的固态硬盘使用mlc主控的都是3000-5000次p/e。（10000次比较少）。硬盘的写入量=硬盘的容量（64g,128g,256g等）即为一次。

5，三星固态硬盘evo和pro的区别

这个就简单啦,虽然使用上感觉的差距不是很明显,不过,就好像普通硬盘与服务器硬盘的对比:一个是普通产品,一个是高端旗舰型号!三星固态硬盘PRO和EVO简单来说定位有所区别，PRO定位高端旗舰型号，EVO定位亲民大众型号。我从官方客服得到答案是，EVO用的是闪存颗粒是Samsung V-NAND 3bit MLC，PRO用的闪存颗粒是Samsung V-NAND 2bit MLC，而实际Samsung V-NAND 3bit MLC就是3D TLC颗粒。所以可以总结为：PRO主要采用的是可靠性和性能非常出色的MLC NAND颗粒，EVO而采用的是性价比且可靠性也非常高的3D TLC NAND颗粒。到底啥是MLC啥是TLC，大家可能有些晕，我先给大家简单普及下。颗粒的传统分类：SLC、MLC、TLC简单来说，NAND闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个NAND存储单元内的，SLC、MLC及TLC就是存储的位数不同。SLC（Single-Level Cell）单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据，同样，MLC（Multi-Level Cell）可储存2bit数据，TLC(Trinary-Level)可储存3bit数据。一个存储单元上，一次存储的位数越多，该单元拥有的容量就越大，这样能节约闪存的成本，提高NAND的生产量。MLC的优势在于，TLC需要识别8种信号，而MLC只需要识别4种信号，可以花更少时间来读取数据。因此，3D NAND出现之前，MLC在性能和可靠性上，是高于TLC的。但是，随着三星的3D TLC的出现，TLC与MLC的性能和可靠性逐渐拉小差距。3D NAND闪存：三星的杀手锏级产品刚介绍的NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。虽然先进工艺虽然带来了更大的容量，但是NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的硅基越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，想要提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了。由于已经向垂直方向扩展NAND密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存，做成3D V-NAND MLC或者3D V-NAND TLC。现在三星已经就这样做了，Pro是3D MLC，Evo是3D TLC。使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。三星闪存颗粒过去房子基本都是一层平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房间，就需要压缩每个房间的空间。随着租客越来越多，房间空间越来越小了，只能放一张床了，再继续压缩的话，人都住不了。怎么办？聪明的建筑师想到了可以在房子上再盖房子，拓展垂直空间。现在好了，有人可以搬到楼上去，大家再也不用挤在那么小的房间。3D NAND闪存思想就是这样的，不是一味的在一个平面提升闪存密度，而是堆积多个平面，达到提升闪存容量的目的。将平房增加楼层盖成高楼，单位面积内可容纳的人就会更多，这点是同理的。由此我们也可以得出结论3D MLC>3D TLC>2D MLC>2D TLC，现在不管购买三星PRO还是EVO都不用过分考虑SSD闪存寿命问题，可能电脑主机完全淘汰了SSD还健在，而从正常使用考虑三星EVO采用3D TLC技术也足以应对日常数据处理，追求更高性能的用户则可以考虑三星PRO系列产品，性能更为出色！

以三星固态硬盘840 evo和840 pro区别为例，如下：两款固态硬盘的nand flash闪存芯片不同，840 evo采用的闪存芯片为tlc，840 pro采用的闪存芯片为mlc，后者无论从读写速度与使用寿命上都强于840 evo。