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ss28耐压多少,CMOS单片机的引脚作为输入使用的时候最高耐压多少啊

来源:整理 时间:2024-01-01 02:29:00 编辑:亚灵电子网 手机版

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1,CMOS单片机的引脚作为输入使用的时候最高耐压多少啊

就是单片机工作电压,只能稍稍多一点点(2%左右),不然是要烧坏的。单片机作为数字电路芯片,接受电平信号,高电平就是Vcc电压。

CMOS单片机的引脚作为输入使用的时候最高耐压多少啊

2,二极管SS38跟SS24有何区别

这二者相比较的话,就是他们的功率是完全不同的,而且相对来说前者是很多的,功能上有了极好的优化,达到一个非常好的使用作用。

二极管SS38跟SS24有何区别

3,12KV的耐压水平是如何确定的GB 42KV IEC28KV

是根据不同的电网结构 实际在开断及闭合过程中会遇到的最高电压定出来的吧
虽然我很聪明,但这么说真的难到我了

12KV的耐压水平是如何确定的GB 42KV IEC28KV

4,高压球阀q21f160p dn20 304ss耐压多少

1、根据JB/T308-2004《阀门 型号编制方法》阀门的公称压力为PN1602、查GB/T12224-2005《钢制阀门 一般要求》表2-8阀门壳体,温度在-29度至38度的最高耐压是16.1MPa3、由于阀门密封面代号是F,表示密封面材料为聚四氟乙烯或增强聚四氟乙烯查GB/T12237-2007《石油、石化及相关工业用的钢制球阀》表1密封面材料为聚四氟乙烯时,温度在-29度至38度时,阀门最大工作压力是6.90MPa密封面材料为增强聚四氟乙烯时,温度在-29度至38度时,阀门最大工作压力是7.59MPa

5,GBU808耐压电流参数

GBU808耐压800V,电流8A。
峰值反向电压: 800 V 峰值 RMS 反向电压: 560 V 最大浪涌电流: 200 A 正向电压下降: 1 V 最大反向漏泄电流: 5 uA 最大工作温度: + 150 C 最小工作温度: - 55 C 封装/箱体: GBU 封装: Tube 峰值反向电压: 800 V 峰值 RMS 反向电压: 560 V 最大浪涌电流: 200 A 正向电压下降: 1 V 最大反向漏泄电流: 5 uA 最大工作温度: + 150 C 最小工作温度: - 55 C 封装/箱体: GBU 封装: Tube 峰值反向电压: 800 V 峰值 RMS 反向电压: 560 V 最大浪涌电流: 200 A 正向电压下降: 1 V 最大反向漏泄电流: 5 uA 最大工作温度: + 150 C 最小工作温度: - 55 C 封装/箱体: GBU 封装: Tube

6,304不锈钢管耐压是多少MPA外经17mm壁厚07mm帮忙给我公式或者帮我

304不锈钢管的抗拉强度是520MPA。流体用不锈钢焊管液压试验压力公式(GB/T1277-2008):P=2RS/D式中:P-试验压力,MPa;R-应力,取屈服点50%,MPa;S-钢管的公称壁厚,mm;D-钢管的公称外径,mm。扩展资料不锈钢管按成分可分为Cr系(400系列)、Cr-Ni系(300系列)、Cr-Mn-Ni(200系列)及析出硬化系(600系列)。 200 系列—铬-镍-锰奥氏体不锈钢 300 系列—铬-镍奥氏体不锈钢。1、301-----延展性好,用于成型产品。也可通过机械加工使其迅速硬化。焊接性好。抗磨性和疲劳强度优于304不锈钢。2、302-----耐腐蚀性同304,由于含碳相对要高因而强度更好。3、303-----通过添加少量的硫、磷使其较304更易切削加工。4、304-----即18/8不锈钢。GB牌号为0Cr18Ni9。 309—较之304有更好的耐温性。5、316-----继304之後,第二个得到最广泛应用的钢种,主要用于食品工业、制药行业和外科手术器材,添加钼元素使其获得一种抗腐蚀的特殊结构。由于较之304不锈钢管其具有更好的抗氯化物腐蚀能力因而也作“船用钢”来使用。SS316则通常用于核燃料回收装置。18/10级不锈钢管通常也符合这个应用级别。参考资料来源:百度百科-不锈钢管

7,0欧姆电阻各封装规格的耐流值耐压值是多少

一般叫0欧姆电阻是跨接电阻。例示广东风华的厚膜片式跨接电阻的额定数据为参考封装,额定电流(最大过负荷电流)0201, 0.5A (1A)0402, 1A (2A)0603, 1A (3A)0805, 2A (5A)1206, 2A (5A)1210, 2A (5A)1812, 2A (5A)2010, 2A (5A)2512, 2A (5A)阻值为小于50m欧姆,耐压值没有记载。
电阻一般不标注电流和耐压值。因为电阻会给出阻值和功率值,有了这两个值电流和电压都能被计算出来。对于较高耐压等级的电阻生产厂会特别标出(此处不述)。电阻在电路中有很多作用,例如限流、降压。1/8w电阻很小,但可以放在电接线板中做220v的led指示灯的限流电阻。因为,耐受功率=电压2 /阻值上式中电压是常数,而阻值很大,所以耐受功率不会超出额定的1/8w。反之,你可以打开笔记本电脑看一看,虽然电压只有十几伏,但却有很多1/4w,甚至1/2w电阻,原因你可以想一想。

8,郭卫国老师 想问下关于KYN28的10KV耐压试验的问题

其实你自己叙述的内容就已经回答了自己的问题;在交流耐压时泄漏电流过大的问题,就是带了一些“用电设备”打耐压引起的,当将这些“用电设备”去除后,泄漏电流就能够达到要求了;电压互感器是一种“用电设备”,当打耐压时,等于加上了一次电压,它必然将能量向二次传送,玩弄次设备会消耗掉一些能量,引起泄漏增大;避雷器也是一种“用电设备”,虽然耐压打的幅值不高,但会使避雷器电导电流增大,泄漏电流增大是必然的;电流互感器也是一种“用电设备”,当一次施加电压后,虽然一次回路没有稳定电流,但由于电压高,内部及外表面放电必然加剧,虽然电流很小,但由于二次回路是闭合的,会引起损耗增大;带电显示器也是一种“用电设备”,由于其从系统中取工作电源,一加电压,就等于带上了三个小灯泡,耗电是比较大的;更重要的是交流耐压机容量有限,本来就是只有电压没有容量的东西,再有“用电设备”泄漏着,电压就更加不上去,反而又使泄漏加剧;电气设备整体交流耐压是不能将上面设备一起打的,有些设备承受不了上面的高压,有些设备容易饱和,有些设备又带着其它设备;如果确实需要打耐压,应该对其接线进行处理,如解除二次线等之后才能进行。高压试验的书籍比较多,可以多看些规程,也可以多看一下“试验作业指导书”,在网上都能查到的;也可以参考一下国家电力监管委员会电力资质管理中心编写组编写的《电工进网作业许可考试参考教材-特种类高压试验专业》,内容简单,易懂。
不明白啊 = =!

9,这种二极管耐压多少有图

可能800V以上
小功率的发光二极管正常工作电流在10 ~ 30ma范围内。通常正向压降值在1.5 ~ 3v范围内。发光二极管的反向耐压一般在6v左右。 发光二极管的反向耐压(即反向击穿电压)值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。 二极管特性: 正向性 外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服pn结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,pn结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5v,锗管约为0.1v。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8v,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3v。 反向性 外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在na数量级,小功率锗管在μa数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。 击穿 外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
800或1000伏。
看实物是看不出耐压的,一般焊机低压整流二极管耐压为200V附近就足够的。

10,一般二极管的耐压是多少

小功率的发光二极管正常工作电流在10 ~ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ~ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。  发光二极管的反向耐压(即反向击穿电压)值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。  二极管特性:  正向性  外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。  反向性  外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。  击穿  外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
1N5817 20V1N5818 30V1N5819 40V
一般二极管的耐压是多少?这个比较笼统哦,不同型号的二极管相差很大,但可能外观相同。比如:1N4001 50V1N4002 100V1N4003 200V1N4004 400V1N4005 600V1N4006 800V1N4007 1000V这些二极管外观完全相同,但是耐压却从50V到1000V,区别巨大。电子元器件一定要注意型号,否则谬以千里。
这个很难说。因为不同的二极管有不同的参数。
二极管rl207的耐压是1000v。rl207参数: 最大重复峰值反向电压:1000v 最大正向平均整流电流:2a 正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波:70a 最大正向电压@ta=25℃:v:1;a:2 最大反向电流@vrrmta=25℃:5.0μa 最大反向恢复时间:50 封装形式:do-15整流二极管代换: 整流二极管损坏后,可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。通常,高耐压值(反向电压)的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管,而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管,而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。
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